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Relationship Between Stress and Texture in L10-FePt Thin Films 认领 引用
1
作者 Wang Xuanli Li Wei 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2025年第2期337-342,共6页
Impact of texture type on the magnetic properties of ultrahigh density perpendicular magnetic recording media L10-FePt thin film was investigated,so were the texture formation and evolution mechanism.Reuss,Voigt,an... Impact of texture type on the magnetic properties of ultrahigh density perpendicular magnetic recording media L10-FePt thin film was investigated,so were the texture formation and evolution mechanism.Reuss,Voigt,and Hill models were used to determine the anisotropic elastic modulus of L10-FePt thin film with fiber texture.Then,the elastic strain energies of thin films under various stress conditions were calculated.Results reveal that the stress condition has a significant influence on the fiber texture evolution.When the L10-FePt thin film is subjected to compressive in-plane strain prior to ordering phase transformation,the formation of{100}fiber texture is promoted.On the contrary,the ordering phase transformation under tensile in-plane strain promotes the{001}fiber texture formation. 展开更多
关键词 L10-FePt film texture stress elastic modulus
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两步压入法——薄膜力学性能的可靠测量方法 认领 引用 被引量：20
2
作者 田家万 韩增虎 +2 位作者 赖倩茜 虞晓江 李戈扬 《机械工程学报》 EI CAS 北大核心 2003年第6期71-74,共4页
提出了采用力学探针测量薄膜力学性能的两步压入法。该方法通过大载荷压入展示基体变形对薄膜硬度的影响,从而选择不影响基体变形的小载荷测出薄膜的硬度和弹性模量。对高速钢基片上的TiN硬质薄膜,单晶硅片上的金属Ni薄膜和(Ti,Al)N/VN... 提出了采用力学探针测量薄膜力学性能的两步压入法。该方法通过大载荷压入展示基体变形对薄膜硬度的影响,从而选择不影响基体变形的小载荷测出薄膜的硬度和弹性模量。对高速钢基片上的TiN硬质薄膜,单晶硅片上的金属Ni薄膜和(Ti,Al)N/VN纳米多层膜的测量表明,两步压入法能够测出各种性质薄膜的力学性能,并且具有准确可靠的特点。此外,两步法对(Ti,Al)/VN纳米多层膜的力学性能的测量表明,该体系的纳米多层膜存在硬度和弹性模量异常升高的超硬、超模量效应。 展开更多
关键词 薄膜 力学性能 测量方法 两步压入法 纳米多层膜 硬度 弹性模量
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Cr掺杂及Cr过渡层对类金刚石薄膜附着力的影响 认领 引用 被引量：25
3
作者 孙丽丽 代伟 +1 位作者 张栋 汪爱英 《中国表面工程》 CAS 北大核心 2010年第4期26-28,34,共3页
采用线性离子束复合磁控溅射的混合PVD技术制备了含Cr过渡层以及Cr掺杂的DLC薄膜,并测量了其厚度、残余应力、结合力、摩擦因数等性能。划痕测试的结果表明,增加过渡层后薄膜的结合状况得到了明显改善,其残余应力也有所下降,Cr掺杂的DL... 采用线性离子束复合磁控溅射的混合PVD技术制备了含Cr过渡层以及Cr掺杂的DLC薄膜,并测量了其厚度、残余应力、结合力、摩擦因数等性能。划痕测试的结果表明,增加过渡层后薄膜的结合状况得到了明显改善,其残余应力也有所下降,Cr掺杂的DLC薄膜残余压应力最低可达0.23GPa。有关结果为强膜基结合力、低应力、大面积的类金刚石薄膜可控制备提供了新的技术思路。 展开更多
关键词 类金刚石膜 Cr掺杂 过渡层 结合力 残余应力
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等离子体浸没离子注入与沉积合成TiN薄膜的滚动接触疲劳寿命和机械性能 认领 引用 被引量：12
4
作者 刘洪喜 蒋业华 +3 位作者 周荣 周荣锋 金青林 汤宝寅 《金属学报》 SCIE EI CAS 北大核心 2008年第3期325-330,共6页
采用等离子体浸没离子注入与沉积(PIII&D)技术在AISI 52100轴承钢表面合成了高硬耐磨的TiN薄膜.膜层元素分布、化学组成和表面形貌分别用XRD,XPS表征.合成薄膜前后试样的滚动接触疲劳寿命和摩擦磨损性能分别由球棒疲劳磨损试验机和... 采用等离子体浸没离子注入与沉积(PIII&D)技术在AISI 52100轴承钢表面合成了高硬耐磨的TiN薄膜.膜层元素分布、化学组成和表面形貌分别用XRD,XPS表征.合成薄膜前后试样的滚动接触疲劳寿命和摩擦磨损性能分别由球棒疲劳磨损试验机和球-盘磨损试验机测定;疲劳破坏后的微观形貌通过SEM观察;薄膜力学性能经纳米压痕和纳米划痕实验评价.结果表明,TiN膜中还含有少量的TiO_2和Ti,N,O的化台物.在优化条件下,TiN膜层致密均匀,与基体结合良好,纳米硬度和弹性模量分别达到25和350 GPa;最低摩擦系数由基体的0.92下降到0.2.被处理薄膜试件在90%置信区间下的最大L10,L50,L_a和(?)寿命较基体分别提高了约4.5,1.8,1.3和1.2倍,疲劳寿命的分散性得到了显著改善. 展开更多
关键词 等离子体浸没离子注入与沉积 TiN薄膜 机械性能 滚动接触疲劳寿命 轴承钢
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100 nm厚铜薄膜的拉伸性能 认领 引用 被引量：13
5
作者 张滨 孙恺红 +3 位作者 宫骏 孙超 才庆魁 张广平 《材料研究学报》 EI CAS 北大核心 2006年第1期29-32,共4页
以聚酰亚胺为基体制备了厚度为100 nm的金属铜薄膜,利用基体的高弹性变形测定了铜薄膜的屈服应力,并研究了铜薄膜的形变与断裂行为．结果表明:使用铜薄膜/聚酰亚胺复合体能够测量出铜薄膜的屈服强度,厚度100 nm的铜薄膜的屈服强度明显... 以聚酰亚胺为基体制备了厚度为100 nm的金属铜薄膜,利用基体的高弹性变形测定了铜薄膜的屈服应力,并研究了铜薄膜的形变与断裂行为．结果表明:使用铜薄膜/聚酰亚胺复合体能够测量出铜薄膜的屈服强度,厚度100 nm的铜薄膜的屈服强度明显高于厚铜膜的屈服强度,厚度100 nm铜薄膜的断裂为Ⅰ型沿晶断裂．超薄铜薄膜较高的屈服强度归因于小尺度材料中纳米量级的薄膜厚度和晶粒对位错运动的约束作用． 展开更多
关键词 金属材料 超薄铜薄膜 聚酰亚胺 屈服应力 断裂
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多晶硅薄膜应力特性研究 认领 引用 被引量：26
6
作者 张国炳 郝一龙 +3 位作者 田大宇 刘诗美 王铁松 武国英 《Journal of Semiconductors》 CAS 北大核心 1999年第6期463-467,共5页
本文报道了低压化学气相淀积（LPCVD）制备的多晶硅薄膜内应力与制备条件、退火温度和时间及掺杂浓度关系的实验研究结果，用XRD、RED等技术测量分析了多晶硅膜的微结构组成．结果表明，LPCVD制备的多晶硅薄膜具有本征压应力，其内应力... 本文报道了低压化学气相淀积（LPCVD）制备的多晶硅薄膜内应力与制备条件、退火温度和时间及掺杂浓度关系的实验研究结果，用XRD、RED等技术测量分析了多晶硅膜的微结构组成．结果表明，LPCVD制备的多晶硅薄膜具有本征压应力，其内应力受淀积条件、微结构组成等因素的影响．采用快速退火（RTA）可以使其压应力松弛，减小其内应力，并可使其转变成为本征张应力，以满足在微机电系统（MEMS）制备中的要求． 展开更多
关键词 多晶硅薄膜 VLSI LPCVD 制备 应力特性
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薄膜厚度对HfO_2薄膜残余应力的影响 认领 引用 被引量：12
7
作者 申雁鸣 贺洪波 +2 位作者 邵淑英 范正修 邵建达 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS 北大核心 2007年第3期412-415,共4页
HfO2薄膜是用电子束蒸发方法制备的,利用ZYGO干涉仪测量了基片镀膜前后曲率半径的变化,计算了薄膜应力。对样品进行了XRD测试,讨论了膜厚对薄膜残余应力的影响。结果发现不同厚度HfO2薄膜的残余应力均为张应力,应力值随薄膜厚度的增加... HfO2薄膜是用电子束蒸发方法制备的,利用ZYGO干涉仪测量了基片镀膜前后曲率半径的变化,计算了薄膜应力。对样品进行了XRD测试,讨论了膜厚对薄膜残余应力的影响。结果发现不同厚度HfO2薄膜的残余应力均为张应力,应力值随薄膜厚度的增加而减小,当薄膜厚度达到一定值后,应力值趋于稳定。从微观结构变化对实验结果进行了分析,发现微结构演变引起的本征应力变化是引起薄膜残余应力改变的主要因素。 展开更多
关键词 HfO2薄膜 残余应力 膜厚 电子束蒸发
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沉积温度对HfO_2薄膜残余应力的影响 认领 引用 被引量：11
8
作者 申雁鸣 贺洪波 +2 位作者 邵淑英 范正修 邵建达 《强激光与粒子束》 EI CAS 北大核心 2005年第12期1812-1816,共5页
用电子束蒸发方法制备了HfO2薄膜,根据镀膜前后基片曲率半径的变化,用Stoney公式计算了薄膜应力,讨论了沉积温度对薄膜残余应力的影响.结果发现,HfO2薄膜的残余应力均为张应力,应力值随沉积温度的升高先增大后减小,在280℃左右出现极大... 用电子束蒸发方法制备了HfO2薄膜,根据镀膜前后基片曲率半径的变化,用Stoney公式计算了薄膜应力,讨论了沉积温度对薄膜残余应力的影响.结果发现,HfO2薄膜的残余应力均为张应力,应力值随沉积温度的升高先增大后减小,在280℃左右出现极大值.对样品进行了XRD测试,从微观结构上对实验结果进行了分析,发现微结构演变引起的内应力变化是引起薄膜残余应力改变的主要因素,HfO2薄膜在所选沉积温度60～350℃内出现了晶态转变,堆积密度随温度升高而增大. 展开更多
关键词 HfO2薄膜 残余应力 沉积温度 微结构 X射线衍射
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纳米金刚石薄膜的微结构和残余应力 认领 引用 被引量：8
9
作者 徐锋 左敦稳 +2 位作者 卢文壮 张海余 王珉 《金属学报》 SCIE EI CAS 北大核心 2008年第1期74-78,共5页
采用双偏压热丝化学气相沉积法在不同栅极和衬底偏流下制备出纳米金刚石薄膜.采用Raman谱、SEM、AFM、纳米压痕法和XRD分析纳米金刚石膜的微结构、弹性模量和残余应力.分析结果表明,金刚石晶粒尺寸随着栅极和衬底偏流的增加而减小,而衬... 采用双偏压热丝化学气相沉积法在不同栅极和衬底偏流下制备出纳米金刚石薄膜.采用Raman谱、SEM、AFM、纳米压痕法和XRD分析纳米金刚石膜的微结构、弹性模量和残余应力.分析结果表明,金刚石晶粒尺寸随着栅极和衬底偏流的增加而减小,而衬底偏流的加入会引起非金刚石成分的显著增加.金刚石晶界的畸变使得弹性模量随着栅极和衬底偏流的增加而减小,薄膜热应力也随之减小.晶界非金刚石成分引起金刚石本征应力呈压应力性质,晶界密度的增加使得本征应力随着栅极偏流的增加而增加,但衬底偏流引起薄膜抵抗变形能力剧烈下降,导致金刚石本征压应力的减小. 展开更多
关键词 纳米金刚石膜 热丝化学气相沉积 弹性模量 残余应力 栅极偏流 衬底偏流
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LPCVD制备纳米硅镶嵌结构氮化硅膜及其内应力 认领 引用 被引量：14
10
作者 陈大鹏 叶甜春 +4 位作者 谢常青 李兵 赵玲莉 韩敬东 胥兴才 《Journal of Semiconductors》 CAS 北大核心 2001年第12期1529-1533,共5页
报道了在采用 L PCVD法制备的富硅 Si Nx 膜中发现的部分晶化的硅镶嵌微结构 .视生长条件和工艺不同 ,该结构的尺度范围从数十到几百纳米不等 .利用不同条件下生长的 Si Nx 膜的应力测试结果和透射电镜观测结果 ,分析了富硅型 Si Nx 膜... 报道了在采用 L PCVD法制备的富硅 Si Nx 膜中发现的部分晶化的硅镶嵌微结构 .视生长条件和工艺不同 ,该结构的尺度范围从数十到几百纳米不等 .利用不同条件下生长的 Si Nx 膜的应力测试结果和透射电镜观测结果 ,分析了富硅型 Si Nx 膜的微结构的成因及其与膜内应力之间的相互影响 ,对富硅型 Si Nx 膜的 L PCVD生长工艺进行优化 ,大大降低了膜的张应力 ,无支撑成膜面积可达 4 0 m m× 4 0 mm.通过这一研究结果 ,实现了 L PCVD可控制生长确定张应力的 Si Nx 展开更多
关键词 硅镶嵌微结构 LPCVD 氮化硅 薄膜
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联合载荷下无裂纹DLC薄膜的内应力有限元分析 认领 引用 被引量：9
11
作者 蔺增 孙少妮 +3 位作者 王永 巴德纯 韩清凯 刘春明 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第5期550-554,共5页
本文用有限元分析的方法,对受法向和切向联合载荷作用下的无裂纹类金刚石(DLC)薄膜系统内部应力进行了模拟计算,分析了不同摩擦系数和膜厚比对于内部应力的影响,数值模拟结果表明:较大的摩擦系数可以使得界面处剪切应力和Mises等效应力... 本文用有限元分析的方法,对受法向和切向联合载荷作用下的无裂纹类金刚石(DLC)薄膜系统内部应力进行了模拟计算,分析了不同摩擦系数和膜厚比对于内部应力的影响,数值模拟结果表明:较大的摩擦系数可以使得界面处剪切应力和Mises等效应力以及y轴Mises等效应力显著增大,而对于界面处的y向压应力影响不是很大。在一定的范围内(0<t/a<0.1),DLC薄膜的厚度越大越有利于薄膜体系内部应力的改善。模拟结果能为不同膜系系统中涂层基底结合力的评价以及界面失效临界应力的预估提供参考。 展开更多
关键词 DLC薄膜 有限元分析 结合强度 应力分析
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离子束轰击对电子束蒸发制备二氧化钛薄膜应力的影响 认领 引用 被引量：11
12
作者 陈焘 罗崇泰 +1 位作者 王多书 刘宏开 《真空科学与技术学报》 EI CAS 北大核心 2009年第2期164-167,共4页
在硅基底上用电子束蒸发方法制备了二氧化钛薄膜。通过XRD、AFM和薄膜应力测试仪研究了离子束轰击对薄膜应力的影响规律。结果表明沉积温度为323K、沉积速率为0.2nm.s-1时,二氧化钛薄膜具有较小的应力值,平均应力为48.2MPa。用能量为11... 在硅基底上用电子束蒸发方法制备了二氧化钛薄膜。通过XRD、AFM和薄膜应力测试仪研究了离子束轰击对薄膜应力的影响规律。结果表明沉积温度为323K、沉积速率为0.2nm.s-1时,二氧化钛薄膜具有较小的应力值,平均应力为48.2MPa。用能量为113eV的离子束轰击300s时,平均应力由72.9MPa的张应力变为16.7MPa的压应力。二氧化钛薄膜的微观结构变化是影响薄膜应力的主要因素。 展开更多
关键词 二氧化钛 离子束轰击 张应力 压应力 薄膜
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一种测量硬质薄膜残余应力的新方法 认领 引用 被引量：9
13
作者 赵升升 华伟刚 +3 位作者 杜昊 宫骏 孙超 李家宝 《金属学报》 SCIE EI CAS 北大核心 2008年第1期125-128,共4页
提出了一种测量硬质薄膜残余应力的新方法——剥层曲率半径法,并设计了一套光杠杆系统,可以精确测量镀膜样品因薄膜存在残余应力而造成试片弯曲的曲率半径,从而计算出薄膜的残余应力.通过对仪器测量误差的考察和电弧离子镀(Ti,Al)N薄膜... 提出了一种测量硬质薄膜残余应力的新方法——剥层曲率半径法,并设计了一套光杠杆系统,可以精确测量镀膜样品因薄膜存在残余应力而造成试片弯曲的曲率半径,从而计算出薄膜的残余应力.通过对仪器测量误差的考察和电弧离子镀(Ti,Al)N薄膜残余应力的测定,证明了该方法的有效性. 展开更多
关键词 硬质薄膜 残余应力 测量方法 剥层曲率半径法
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Effect of Nitrogen Content on Microstructures and Mechanical Properties of WB_2(N) Films Deposited by Reactive Magnetron Sputtering 认领 引用 被引量：7
14
作者 Y.M.Liu D.Y.Deng +4 位作者 H.Lei Z.L.Pei C.L.Jiang C.Sun J.Gong 《Journal of Materials Science & Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2015年第12期1217-1225,共9页
In the present study,WB 2（N） films are fabricated on silicon and YG8 substrates at different N 2 pressures by reactive magnetron sputtering.The influence of N 2 partial pressure（P （N2）） on the film microstructur... In the present study,WB 2（N） films are fabricated on silicon and YG8 substrates at different N 2 pressures by reactive magnetron sputtering.The influence of N 2 partial pressure（P （N2）） on the film microstructure and characteristics is studied systematically,including the chemical composition,crystalline structure,residual stress,surface roughness as well as the surface and the cross-section morphology.Meanwhile,nano-indentation and ball-on-disk tribometer are performed to analyze the mechanical and tribological properties of the films.The results show that the addition of nitrogen apparently leads to the change of the structure from（1 0 1） to（0 0 1） orientation then to the amorphous structure with the formation of BN phase.And the addition of nitrogen can greatly refine the grain size and microstructure of the films.Furthermore,the residual stress of the film is also found to change from tensile to compressive stress as a function of P （N2）,and the compressive stress increases with P （N2）,The WB 2（N） films with small nitrogen content,which are deposited at P （N2） of 0.004 and 0.006 Pa,exhibit better mechanical,tribological and corrosion properties than those of other films.Further increase of nitrogen content accelerates the formation of BN phase and fast decreases the film hardness.In addition,the large N 2 partial pressure gives rise to the target poisoning accompanied by the increase of the target voltage and the decrease of the deposition rate. 展开更多
关键词 Reactive magnetron sputtering Nanocomposites WB 2（N） films Residual stress Mechanical properties
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不锈钢和Ti基体上Cu,Ag,Ni膜中的内应力研究 认领 引用 被引量：7
15
作者 任凤章 郑茂盛 +2 位作者 周根树 赵文轸 顾海澄 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS 北大核心 2004年第7期706-709,共4页
用电镀工艺在不锈钢基体上镀制了Cu,Ag,Ni膜和Ti基体上制备了Ni膜,并用悬臂梁法和X射线法测量了膜中的残余应力。并基于改进的TFD模型,对任意膜厚下由界面电子转移引起的膜内应力作了理论估算。结果表明,理论估算所给出的膜内应力与实... 用电镀工艺在不锈钢基体上镀制了Cu,Ag,Ni膜和Ti基体上制备了Ni膜,并用悬臂梁法和X射线法测量了膜中的残余应力。并基于改进的TFD模型,对任意膜厚下由界面电子转移引起的膜内应力作了理论估算。结果表明,理论估算所给出的膜内应力与实验测量值具有可比性。这说明理论计算模型具有较高的准确性和膜内残余应力主要由界面电子转移引起。 展开更多
关键词 薄膜 内应力 悬臂梁法 电子密度 TFD模型
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TiN/Ti多层膜调制比对摩擦磨损行为影响的研究 认领 引用 被引量：12
16
作者 龚海飞 邵天敏 +1 位作者 张晨辉 徐军 《无机材料学报》 SCIE EI CAS 北大核心 2008年第4期758-762,共5页
考察了TiN/Ti多层膜调制比对其摩擦磨损行为的影响.采用磁过滤阴极弧沉积的方法制备了具有不同调制比的TiN/Ti多层膜,用扫描电镜和透射电镜对其层状结构及子层结构进行了观察和分析.用纳米压痕和SRV摩擦磨损试验的方法,对多层膜进行了... 考察了TiN/Ti多层膜调制比对其摩擦磨损行为的影响.采用磁过滤阴极弧沉积的方法制备了具有不同调制比的TiN/Ti多层膜,用扫描电镜和透射电镜对其层状结构及子层结构进行了观察和分析.用纳米压痕和SRV摩擦磨损试验的方法,对多层膜进行了纳米硬度和弹性模量测试以及摩擦磨损实验.结果表明,所制备的TiN/Ti多层膜层状结构清晰,与基底结合良好,调制比对多层膜的硬度和磨损特性影响较大,而对摩擦系数的影响却不明显.结合实验结果,讨论了硬度与弹性模量的比值(H/E值)对TiN/Ti多层膜耐磨性的影响. 展开更多
关键词 TiN/Ti 多层膜 层状结构 摩擦磨损
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Superior tribological properties of an amorphous carbon film with a graphite-like structure 认领 引用 被引量：7
17
作者 Wang Yong-Jun Li Hong-Xuan +4 位作者 Ji Li Liu Xiao-Hong Wu Yan-Xia Zhou Hui-Di Chen Jian-Min 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2012年第1期320-328,共9页
Amorphous carbon films with high sp2 concentrations are deposited by unbalanced magnetron sputtering with a narrow range of substrate bias voltage. Field emission scanning electron microscopes （FESEMs）, high resolut... Amorphous carbon films with high sp2 concentrations are deposited by unbalanced magnetron sputtering with a narrow range of substrate bias voltage. Field emission scanning electron microscopes （FESEMs）, high resolution transmission electron microscopes （HRTEMs）, atomic force microscopes （AFMs）, the Raman spectrometers, nano- indentation, and tribometers are subsequently used to characterize the microstructures and the properties of the resulting films. It is found that the present films are dominated by the sp2 sites. However, the films demonstrate a moderate hardness together with a low internal stress. The high hardness of the deposited film originates from the crosslinking of the sp2 clusters by the sp3 sites. The presence of the graphite-like clusters in the film structure may be responsible for the low internal stress. What is more important is that the resulting films show excellent tribological properties with high load capacity and excellent wear resistance in humid atmospheres. The relationship between the microstructure determined by the deposition condition and the film characteristic is discussed in detail. 展开更多
关键词 magnetron sputtering graphite-like carbon film microstructure performance
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GaSb基PECVD法制备SiO_2薄膜的应力研究 认领 引用 被引量：8
18
作者 王志伟 郝永芹 +5 位作者 李洋 谢检来 王霞 晏长岭 魏志鹏 马晓辉 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第7期935-941,共7页
为了实现在GaSb衬底上获得低应力的SiO_2薄膜,研究了等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)在晶格失配较大的GaSb衬底上沉积SiO_2薄膜的应力情况。通过改变薄膜沉积时的工艺条件,如反应温度、射频功率、反应压强、气体流量比,并基于曲率法... 为了实现在GaSb衬底上获得低应力的SiO_2薄膜,研究了等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)在晶格失配较大的GaSb衬底上沉积SiO_2薄膜的应力情况。通过改变薄膜沉积时的工艺条件,如反应温度、射频功率、反应压强、气体流量比,并基于曲率法模型,对镀膜前后的曲率半径进行了实验测量,利用Stoney公式计算相关应力值并绘制应力变化曲线。详细讨论了PECVD工艺条件的改变对SiO_2薄膜应力所产生的影响。同时通过在Si衬底上沉积SiO_2薄膜,对比分析了导致薄膜应力产生的因素及变化过程。实验结果表明,在沉积温度为300℃、射频功率为20 W、腔体压强为90 Pa、气体流量比SiH_4/N_2O为125/70 cm^3·min-1的工艺参数下,PECVD法在GaSb衬底上沉积的SiO_2薄膜应力相对较小。 展开更多
关键词 GaSb PECVD SiO2薄膜 应力
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空位缺陷对单层石墨烯薄膜拉伸力学性能的影响 认领 引用 被引量：11
19
作者 韩同伟 贺鹏飞 +1 位作者 王健 吴艾辉 《同济大学学报（自然科学版）》 EI CAS 北大核心 2010年第8期1210-1214,共5页
采用Tersoff势对完美的和含空位缺陷的单层石墨烯薄膜的单向拉伸力学性能进行了分子动力学模拟,分别研究了单个单原子空位缺陷和单个双原子空位缺陷对扶手椅型和锯齿型石墨烯拉伸力学性能及变形机制的影响.研究结果表明,单原子空位缺陷... 采用Tersoff势对完美的和含空位缺陷的单层石墨烯薄膜的单向拉伸力学性能进行了分子动力学模拟,分别研究了单个单原子空位缺陷和单个双原子空位缺陷对扶手椅型和锯齿型石墨烯拉伸力学性能及变形机制的影响.研究结果表明,单原子空位缺陷和双原子空位缺陷对扶手椅型和锯齿型石墨烯薄膜的杨氏模量没有影响,但在一定程度上降低了拉伸强度和拉伸极限应变.单原子空位缺陷和双原子空位缺陷使拉伸强度降低幅度最高达8.10%和6.41%,并大幅度降低极限应变.缺陷对石墨烯的拉伸变形破坏机制也有一定的影响.在外载作用下,新的缺陷的萌生位置均出现在空位缺陷附近. 展开更多
关键词 空位缺陷 单层石墨烯薄膜 拉伸力学性能 分子动力学
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SiO2薄膜热应力模拟计算 认领 引用 被引量：11
20
作者 吴靓臻 唐吉玉 +3 位作者 马远新 孔蕴婷 文于华 陈俊芳 《华南师范大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2009年第1期52-55,共4页
薄膜内应力严重影响薄膜在实际中的应用.该文采用有限元模型对S iO2薄膜热应力进行模拟计算,验证了模型的准确性.计算了薄膜热应力的大小和分布,分析了不同镀膜温度、不同膜厚和不同基底厚度生长环境下热应力的大小,得到了相应的变化趋... 薄膜内应力严重影响薄膜在实际中的应用.该文采用有限元模型对S iO2薄膜热应力进行模拟计算,验证了模型的准确性.计算了薄膜热应力的大小和分布,分析了不同镀膜温度、不同膜厚和不同基底厚度生长环境下热应力的大小,得到了相应的变化趋势图,对薄膜现实生长具有一定的指导意义. 展开更多
关键词 热应力 SiO2薄膜 有限元 模拟
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