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APCVD法SiH_4-NH_3-CO_2系统制备氧氮玻璃薄膜的研究 认领 引用 被引量：5
1
作者 余京松 钱晓倩 +3 位作者 马青松 葛曼珍 孟祥森 杨辉 《硅酸盐学报》 EI CAS 北大核心 1999年第3期365-369,共5页
在660℃下以SiH4－NH3－CO2作为反应气体利用常压CVD（APCVD）设备沉积得到了氧氮玻璃薄膜．此温度比文献报道的APCVD法低200℃以上，有效地降低了沉积温度．实验发现NH3中水汽对沉积反应的显著影响．初步研究表明：运用APCVD法将这种... 在660℃下以SiH4－NH3－CO2作为反应气体利用常压CVD（APCVD）设备沉积得到了氧氮玻璃薄膜．此温度比文献报道的APCVD法低200℃以上，有效地降低了沉积温度．实验发现NH3中水汽对沉积反应的显著影响．初步研究表明：运用APCVD法将这种薄膜应用于普通钠钙硅玻璃的表面改性。 展开更多
关键词 氧氮玻璃 改性 薄膜 APCVD法 玻璃
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低温APCVD法制备氮化硅薄膜 认领 引用 被引量：11
2
作者 孟祥森 宋晨路 +2 位作者 余京松 葛曼珍 杨辉 《陶瓷学报》 CAS 1999年第3期119-122,共4页
本实验用常压化学气相沉积法（ APCVD） 在平玻璃基板上沉积了氮化硅薄膜，研究了基板温度、反应气体比例、热处理等对氮化硅薄膜制备的影响，发现在700 ℃以下，NH3／SiH4 流量比例为15／1 时制得较纯的氮化硅薄膜，比常规APCVD 法制... 本实验用常压化学气相沉积法（ APCVD） 在平玻璃基板上沉积了氮化硅薄膜，研究了基板温度、反应气体比例、热处理等对氮化硅薄膜制备的影响，发现在700 ℃以下，NH3／SiH4 流量比例为15／1 时制得较纯的氮化硅薄膜，比常规APCVD 法制备温度低大约150 ℃。 展开更多
关键词 氮化硅 薄膜 APCVD 低温 陶瓷薄膜
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APCVD生长碳化硅薄膜中汽相结晶过程的研究 认领 引用 被引量：3
3
作者 王剑屏 郝跃 +3 位作者 宋国乡 彭军 朱作云 张永华 《光子学报》 EI CAS 北大核心 2002年第7期832-836,共5页
对宽禁带半导体材料碳化硅薄膜的常压化学汽相沉积 ( APCVD)异质外延技术进行了讨论 .在 Si C薄膜的生长过程中对 Si/ C原子比例的控制一直是影响薄膜表面形貌和膜层掺杂浓度的重要因素 .针对水平卧式反应室 ,分析了生长过程中气流流速... 对宽禁带半导体材料碳化硅薄膜的常压化学汽相沉积 ( APCVD)异质外延技术进行了讨论 .在 Si C薄膜的生长过程中对 Si/ C原子比例的控制一直是影响薄膜表面形貌和膜层掺杂浓度的重要因素 .针对水平卧式反应室 ,分析了生长过程中气流流速分布、反应室内温度分布以及反应气体浓度分布 ,指出“汽相结晶”过程对薄膜生长区 Si/ C比例有很大影响 ,从而影响了碳化硅薄膜的生长速率 。 展开更多
关键词 APCVD 碳化硅薄膜 汽相结果 常压化学汽相淀积 异质外延 生长过程 生长速率
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铝基APCVD沉积SiO_x膜层的光学性能研究 认领 引用 被引量：1
4
作者 张际亮 沃银花 +2 位作者 郦剑 甘正浩 徐亚伯 《浙江大学学报（工学版）》 EI CAS 北大核心 2005年第8期1243-1246,共4页
采用低温常压化学气相沉积(APCVD)的方法在铝基底上制备硅氧化物陶瓷膜层.采用XPS、XRD、HRTEM、UV-VAS和NIRS等技术分析膜层的成分、结构组织和形貌特征,并测试了膜层的光学吸收性能.研究结果表明,SiOx中的硅氧原子比为1∶1.60～1∶1.... 采用低温常压化学气相沉积(APCVD)的方法在铝基底上制备硅氧化物陶瓷膜层.采用XPS、XRD、HRTEM、UV-VAS和NIRS等技术分析膜层的成分、结构组织和形貌特征,并测试了膜层的光学吸收性能.研究结果表明,SiOx中的硅氧原子比为1∶1.60～1∶1.75,硅氧化物陶瓷膜层大部分为非晶态组织,包含少量局部有序区域.SiOx陶瓷膜层沉积在铝基上后具有很高的紫外-可见光吸收率和较高的近红外光吸收率,产生机制是硅氧化物陶瓷膜层中氧空位存在局域电子态,电子吸收能量产生能级跃迁. 展开更多
关键词 常压化学气相沉积(APCVD) 铝基SiOx膜层 显微结构 光学性能
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Kinetic Study of SiO_2/S Coating Deposition by APCVD 认领 引用 被引量：3
5
作者 Jianxin ZHOU Hong XU Li ZHANG Jinglei LIU Xuegui QI Bo PENG 《Journal of Materials Science & Technology》 SCIE EI CAS 2007年第4期535-540,共6页
To alleviate catalytic coking on the inner surface of radiant tube for ethylene production in petrochemical plants,SiO2/S coatings were deposited on HP40 alloy specimens using dimethyldisulfide （DMDS） and tetraethox... To alleviate catalytic coking on the inner surface of radiant tube for ethylene production in petrochemical plants,SiO2/S coatings were deposited on HP40 alloy specimens using dimethyldisulfide （DMDS） and tetraethoxysilane （TEOS） by atmospheric pressure chemical vapor deposition （APCVD）. A two-dimension mathematical model was made to predict the growth rate of SiO2/S coating and to study the effects of deposition parameters on the deposition rate. The results show that the predicted deposition rate is in good agreement with the experimental one. The deposition rate mainly depends on the concentrations of precursors in the total gas flow, concentrations of intermediates on the deposition surface, total gas flow rate and deposition temperature. The weight of SiO2/S coating linearly increases with the deposition time. When the gas flow rate is below 0.3 m/s, the rate-limiting step of SiO2/S coating deposition is the diffusions of intermediates.However, the surface reactions of intermediates will be the rate-limiting step after the gas flow rate is above 0.3 m/s. When the deposition temperature is below 780℃, the rate-limiting step of SiO2/S coating deposition mainly depends on the surface reactions of intermediates. When the deposition temperature is above 780℃,the rate-limiting step depends on the diffusions of intermediates. The deposition rate increases with increasing the concentrations of the intermediates. However, when the partial pressures of the intermediates reach 8 Pa,the deposition rate keeps constant. 展开更多
关键词 APCVD SiO2/S coating Mathematical model HP40 steel Kinetics
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APCVD制备二氧化硅薄膜工艺研究 认领 引用 被引量：1
6
作者 高丹 康洪亮 +1 位作者 徐强 佟丽英 《电子工艺技术》 2019年第6期345-347,355,共3页
背封技术可以有效防止硅外延过程中造成的自掺杂现象。讨论了APCVD制备二氧化硅膜工艺中膜厚、淀积温度和O2与SiH4比例等关系,分析了膜厚均匀性的影响因素和膜表面质量,提出了SiO2膜淀积的工艺条件及背封前清洗方法。
关键词 背封 APCVD SiO2膜
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Conduction Properties and Scattering Mechanisms in F-doped Textured Transparent Conducting SnO_2 Films Deposited by APCVD 认领 引用 被引量：1
7
作者 Deheng ZHANGHonglei MA 《Journal of Materials Science & Technology》 SCIE EI CAS 1997年第1期50-56,共7页
Transparent conducting F-doped texture SnO2 films with resistivity as low as 5× 10-4 Ω ·cm,with carrier concentrations between 3.5 × 1020 and 7× 1020 cm-3 and Hall mobilities from 15.7 to 20.1 cm2... Transparent conducting F-doped texture SnO2 films with resistivity as low as 5× 10-4 Ω ·cm,with carrier concentrations between 3.5 × 1020 and 7× 1020 cm-3 and Hall mobilities from 15.7 to 20.1 cm2/(V/s) have been prepared by atmosphere pressure chemical vapour deposition (APCVD). These polycrystalline films possess a variable preferred orientation, the polycrystallite sizes and orientations vary with substrate temperature. The substrate temperature and fluorine flow rate dependence of conductivity, Hall mobility and carrier conentration fOr the resultingfilms have been obtained. The temperature dependence of the mobiity and carrier concentrationhave been measured over a temperature range 16～400 K. A systematically theoretical analysis on scattering mechanisms for the highly conductive SnO2 films has been given. Both theoretical analysis and experimental results indicate that for these degenerate, polycrystalline SnO2 ：F films in the low temperature range (below 100 K), ionized impurity scattering is main scattering mechanism. However, when the temperature is higher than 100 K, the lattice vibration scattering becomes dominant. The grain boundary scattering makes a small contribution to limit the mobility of the films. 展开更多
关键词 SnO cm Conduction Properties and Scattering Mechanisms in F-doped Textured Transparent Conducting SnO2 Films Deposited by APCVD
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在不同基底上APCVD生长石墨烯及其生长机制 认领 引用
8
作者 张召凯 宋也男 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2022年第12期1343-1351,共9页
石墨烯的常压化学气相沉积(APCVD)生长通常在具有催化活性的Cu、铜镍(Cu-Ni)合金等金属基底表面进行,生长基底的单一性和模糊的生长机制大大限制了APCVD在石墨烯大规模制备中的应用前景。使用乙醇作为液态碳源,在石墨烯的APCVD生长过程... 石墨烯的常压化学气相沉积(APCVD)生长通常在具有催化活性的Cu、铜镍(Cu-Ni)合金等金属基底表面进行,生长基底的单一性和模糊的生长机制大大限制了APCVD在石墨烯大规模制备中的应用前景。使用乙醇作为液态碳源,在石墨烯的APCVD生长过程中,调控生长时间和生长基底,在铜箔、Cu-Ni合金和SiO2/Si基底表面实现了石墨烯的可控快速生长。1 min生长时间可在铜箔和Cu-Ni合金基底上分别生长高质量均匀的单层与双层石墨烯,5 min生长时间可在不具催化活性的SiO2/Si基底上完成石墨烯的生长。此外,在石墨烯生长过程中,采用气相色谱对液态碳源乙醇高温裂解后碳原子的去向进行分析,发现采用不同基底时,在APCVD乙醇裂解生长石墨烯的过程中CO和CO2的体积分数存在差异,以此推断不同基底表面上石墨烯生长行为的差异和生长过程中基底起到的催化作用。此工作对探明石墨烯的APCVD生长机制以及实现SiO2/Si基底上石墨烯的APCVD生长具有重要的意义。 展开更多
关键词 常压化学气相沉积(APCVD) 石墨烯 气相色谱 金属基底 SiO2/Si
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乙烯掺杂APCVD法沉积非晶硅薄膜的光学特性 认领 引用 被引量：1
9
作者 詹宝华 宋晨路 +2 位作者 刘涌 朱建强 韩高荣 《材料科学与工程学报》 CAS 北大核心 2005年第6期843-845,共3页
通过硅烷、乙烯和氮气的混合气体在620℃下采用常压化学气相沉积(APCVD)法沉积了非晶硅薄膜,讨论了乙烯/硅烷的体积比(R=VC2H4/VSiH4)对薄膜的光学性质的影响。用Raman光谱、红外光谱和紫外-可见光光谱仪对薄膜进行表征。结果表明通过... 通过硅烷、乙烯和氮气的混合气体在620℃下采用常压化学气相沉积(APCVD)法沉积了非晶硅薄膜,讨论了乙烯/硅烷的体积比(R=VC2H4/VSiH4)对薄膜的光学性质的影响。用Raman光谱、红外光谱和紫外-可见光光谱仪对薄膜进行表征。结果表明通过乙烯掺杂制备的薄膜样品中存在着Si-C键,在R值变化的开始阶段薄膜的光学带隙随着R值增大而增大,在R=0.1时达到最大值,然后随着R值的增大而减小。 展开更多
关键词 APCVD 非晶硅薄膜 红外光谱 紫外-可见光光谱 光学带隙
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工作气体对APCVD石墨烯薄膜生长和性能的影响 认领 引用 被引量：1
10
作者 刘庆渊 苏东艺 彭继华 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第11期2315-2321,共7页
以铜箔为基底,采用常压化学气相沉积(APCVD)方法制备石墨烯,控制总气体流量不变,改变甲烷流量(甲烷流量与总气体流量之比),利用RAMAN、SEM、分光光度计、四探针电阻率测试仪等对样品的形貌、结构、透光率及导电性能进行表征,讨论甲烷流... 以铜箔为基底,采用常压化学气相沉积(APCVD)方法制备石墨烯,控制总气体流量不变,改变甲烷流量(甲烷流量与总气体流量之比),利用RAMAN、SEM、分光光度计、四探针电阻率测试仪等对样品的形貌、结构、透光率及导电性能进行表征,讨论甲烷流量比改变对石墨烯生长过程和性能的影响。结果表明:甲烷流量比越大,甲烷分解出的碳原子越多,铜箔表面覆盖石墨烯越完整。当甲烷流量比增加到一定程度时,会得到过量的碳原子形成碳原子团聚集在铜箔表面。甲烷流量比越大,所制备的石墨烯I_D/I_G比值越大,缺陷越多,导电性降低。石墨烯的透光性受到层数和缺陷的制约,当甲烷流量比为20%时,透光率最高,波长550 nm处透光率达到86%。 展开更多
关键词 石墨烯 常压化学气相沉积(APCVD) 生长过程 光电性能
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APCVD法制备掺氮二氧化钛薄膜及其性能研究 认领 引用 被引量：11
11
作者 王薇薇 郭玉 +1 位作者 张溪文 韩高荣 《功能材料与器件学报》 EI CAS 北大核心 2006年第3期187-191,共5页
采用常压化学气相沉积(APCVD)法,以四氯化钛(TiC l4)、氧气(O2)氨气(NH3)作为先驱体,成功制备了掺氮二氧化钛(TiO2)薄膜。通过对其进行扫描电镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、紫外可见透过光谱(UV-VIS)研究后发现,氮掺杂后在二氧化钛薄膜中引... 采用常压化学气相沉积(APCVD)法,以四氯化钛(TiC l4)、氧气(O2)氨气(NH3)作为先驱体,成功制备了掺氮二氧化钛(TiO2)薄膜。通过对其进行扫描电镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、紫外可见透过光谱(UV-VIS)研究后发现,氮掺杂后在二氧化钛薄膜中引入Ti4O7相,抑制了锐钛矿相向金红石相的转变,光吸收限发生红移,相应从365.8nm红移到了402.6nm,提高了薄膜在可见光照射下的光催化效率,并改善了薄膜表面的亲水性能。 展开更多
关键词 光催化性 亲水性 掺氮二氧化钛薄膜 常压化学气相沉积
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APCVD法制备ZnO基TCO薄膜的研究进展 认领 引用 被引量：1
12
作者 窦玉博 许莹 《河北理工大学学报（自然科学版）》 2011年第2期122-126,共5页
介绍了APCVD法制备ZnO基TCO薄膜的发展过程,总结了APCVD工艺设备及参数对ZnO基TCO薄膜性能的影响。展望了APCVD法结合浮法玻璃生产工艺在线生产ZnO基TCO薄膜的产业化应用前景。
关键词 ZnO TCO薄膜 APCVD
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表面预处理对SiO_2/Si结构上APCVD生长SiC薄膜的影响(英文) 认领 引用 被引量：1
13
作者 贾护军 杨银堂 +1 位作者 柴常春 李跃进 《人工晶体学报》 EI CAS 北大核心 2006年第3期510-513,509,共4页
采用SiH4-C3H8-H2气体反应体系在SiO2／Si复合衬底上进行了SiC薄膜的APCVD生长。实验结果表明，H2表面预处理温度过高或时间过长会导致衬底表面SiO2层熔化再结晶或被腐蚀掉。通过“先硅化再碳化”的工艺方法可以较好地解决SiO2／Si复合... 采用SiH4-C3H8-H2气体反应体系在SiO2／Si复合衬底上进行了SiC薄膜的APCVD生长。实验结果表明，H2表面预处理温度过高或时间过长会导致衬底表面SiO2层熔化再结晶或被腐蚀掉。通过“先硅化再碳化”的工艺方法可以较好地解决SiO2／Si复合衬底上SiC成核困难以及粘附性差的问题，同时还可以有效抑制SiO2中的O原子向SiC生长膜扩散。选择预处理温度和薄膜生长温度为1180℃、H2预处理、SiH4硅化和C3H8碳化时间均为30s的最佳生长条件时，可以得到〈111〉晶向择优生长的多晶3C-SiC外延薄膜，薄膜生长速率约为2．0～2．5nm／min． 展开更多
关键词 碳化硅薄膜 常压化学气相淀积 表面预处理 硅化 碳化
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重掺硅片表面APCVD法生长SiO2薄膜的致密性 认领 引用
14
作者 史延爽 王浩铭 +2 位作者 田原 张旭 武永超 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第6期544-548,共5页
在硅片加工过程中,金属杂质的存在会增大pn结器件的漏电流,甚至直接导致pn结禁带宽度变窄,为防止出现硅外延过程中造成的自掺杂现象,通常在硅片表面生长一层高致密性的SiO2薄膜。基于常压化学气相沉积(APCVD)法在6英寸(1英寸≈2.54 c... 在硅片加工过程中,金属杂质的存在会增大pn结器件的漏电流,甚至直接导致pn结禁带宽度变窄,为防止出现硅外延过程中造成的自掺杂现象,通常在硅片表面生长一层高致密性的SiO2薄膜。基于常压化学气相沉积(APCVD)法在6英寸(1英寸≈2.54 cm)n型硅片表面生长SiO2薄膜,首先研究不同沉积温度、SiH4和O2的体积流量比对沉积速率和SiO2薄膜致密性的影响,进一步探究了不同退火温度对SiO2薄膜致密性的影响,以期获得致密性较高的SiO2薄膜。采用HF腐蚀速率法表征其致密性,采用扫描电子显微镜(SEM)观察SiO2薄膜的表面形貌,采用F50膜厚测试仪测试SiO2薄膜的厚度。结果表明,沉积温度为400℃,SiH4和O2的体积流量比为1∶10,退火温度为1100℃时,制备的SiO2薄膜的致密性为0.096 nm/s(采用体积分数为1%的HF腐蚀)。 展开更多
关键词 常压化学气相沉积(APCVD)法 SiO2薄膜 致密性 自掺杂 沉积速率
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多晶SiC/多孔硅结构材料的APCVD生长及表征 认领 引用 被引量：1
15
作者 贾护军 杨银堂 李跃进 《西安电子科技大学学报》 EI CAS 北大核心 2009年第2期298-300,330,共3页
采用SiH4-C3H8-H2气体反应体系,通过常压化学气相淀积(APCVD)工艺在电化学腐蚀的多孔硅衬底上进行了多晶3C-SiC薄膜的生长,研究了多孔硅孔隙率对薄膜生长质量的影响.实验结果表明,当多孔硅孔隙率较低时,得到的是含有SiC(111)晶粒的多晶... 采用SiH4-C3H8-H2气体反应体系,通过常压化学气相淀积(APCVD)工艺在电化学腐蚀的多孔硅衬底上进行了多晶3C-SiC薄膜的生长,研究了多孔硅孔隙率对薄膜生长质量的影响.实验结果表明,当多孔硅孔隙率较低时,得到的是含有SiC(111)晶粒的多晶硅薄膜,随着孔隙率的增加,生长薄膜由富碳多孔SiC向多晶SiC薄膜过渡,表面平整度增加,并具有晶向择优生长的特点. 展开更多
关键词 多晶碳化硅薄膜 多孔硅 常压化学气相淀积 生长 表征
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IGBT制造工艺中的APCVD设备改进研究 认领 引用 被引量：1
16
作者 傅轶 《集成电路应用》 2017年第8期56-58,共3页
采用新的备件清洗和管理方式,降低offline和inline存在的particle和defect,提高产品line yeild,并研究常压化学气相淀积(APCVD)设备系统存在稳定性差,均匀性差等特点,合理使用设备和备件,增加设备保养周期内的出片率,降低产品缺陷和设... 采用新的备件清洗和管理方式,降低offline和inline存在的particle和defect,提高产品line yeild,并研究常压化学气相淀积(APCVD)设备系统存在稳定性差,均匀性差等特点,合理使用设备和备件,增加设备保养周期内的出片率,降低产品缺陷和设备维护成本的方法,并解决产能瓶颈的问题。 展开更多
关键词 集成电路制造 IGBT 常压化学淀积 APCVD Particle VPD
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APCVD技术在晶硅太阳电池中的应用研究 认领 引用
17
作者 钱俊 何凤琴 +2 位作者 卢刚 张治 郭灵山 《太阳能》 2016年第4期29-31,67,共3页
为研究APCVD制备p-n结技术在晶硅太阳电池中的应用,对APCVD的原理及实现方式进行了分析。调节温度及气体流量比例,对APCVD制备PSG进行实验对比,得出随着O_2与氢化物的比例的增大,沉积的膜厚先增大后减小,升高温度有助于加快PSG的沉积这... 为研究APCVD制备p-n结技术在晶硅太阳电池中的应用,对APCVD的原理及实现方式进行了分析。调节温度及气体流量比例,对APCVD制备PSG进行实验对比,得出随着O_2与氢化物的比例的增大,沉积的膜厚先增大后减小,升高温度有助于加快PSG的沉积这一结论。结合APCVD的原理及实现方式对双面太阳电池制备的关键工艺高温共扩散进行方案设计,并进行相应的实验验证,完成了成品双面电池的制作,正面转换效率达到19.68%,背面转换效率为11.66%。 展开更多
关键词 APCVD 双面太阳电池 共扩散
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温度对浮法在线APCVD法生产的TiO_2薄膜结构与性能的影响 认领 引用 被引量：1
18
作者 莫建良 《玻璃》 2010年第12期3-5,共3页
通过模拟浮法在线APCVD法生产TiO镀膜玻璃工艺,详细研究了玻璃基板温度对TiO薄膜膜层结构、形貌、光催化性能的影响。研究发现,基板温度影响TiO薄膜中各种晶相的相对比例,而不同晶相组成的膜层结构对膜层表面形貌和光催化性能有很大的... 通过模拟浮法在线APCVD法生产TiO镀膜玻璃工艺,详细研究了玻璃基板温度对TiO薄膜膜层结构、形貌、光催化性能的影响。研究发现,基板温度影响TiO薄膜中各种晶相的相对比例,而不同晶相组成的膜层结构对膜层表面形貌和光催化性能有很大的影响。 展开更多
关键词 APCVD TiO2薄膜 结构 形貌 光催化
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掺杂剂对200 mm重掺杂硅片APCVD工艺前表面颗粒的影响 认领 引用 被引量：1
19
作者 韩萍 曲翔 +3 位作者 周旗钢 肖清华 刘斌 何宇 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第6期668-672,共5页
在重掺硅衬底片背封过程中,硅片表面颗粒的尺寸和数量将会极大的影响到沉积薄膜的质量,并影响硅片几何特征的形成。主要针对不同掺杂剂的200 mm重掺衬底硅片在进行常压化学气相沉积(atmospheric-pressure chemical vapor deposition, AP... 在重掺硅衬底片背封过程中,硅片表面颗粒的尺寸和数量将会极大的影响到沉积薄膜的质量,并影响硅片几何特征的形成。主要针对不同掺杂剂的200 mm重掺衬底硅片在进行常压化学气相沉积(atmospheric-pressure chemical vapor deposition, APCVD)生长SiO2薄膜前的颗粒沾污开展研究。将经过相同清洗及干燥工艺处理的硅片放置于有风机过滤机组(fan filter unit, FFU)存在的百级环境中,利用表面激光扫描方法对硅片表面粒径在0.3~0.5μm范围的颗粒进行测试,分析重掺衬底硅片表面颗粒随存放时间的增长情况。结果表明:在有FFU存在的百级环境中,随存放时间的延长:(1)同种掺杂剂硅片表面颗粒呈增长趋势,且粒径小的颗粒增长幅度较大;(2)不同掺杂剂硅片中,相比于重掺As, Sb的硅片,重掺B硅片表面颗粒的增长速度最快,而其他两种掺杂剂硅片表面颗粒增长速度相对较缓且差别不大。 展开更多
关键词 颗粒 存放时间 重掺硅片 常压化学气相沉积
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B掺杂对APCVD Si生长速率的影响 认领 引用
20
作者 晓晔 《电子材料快报》 1998年第4期6-6,共1页
关键词 B掺杂 APCVD 硅 生长速率
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