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纳米Ag-TiO_2/SiO_2的制备及其深度处理酿酒废水的研究 认领 引用 被引量：9
1
作者 李相彪 刘丽秀 《中国酿造》 CAS 北大核心 2010年第4期110-112,共3页
以硅胶为载体,采用溶胶凝胶-光还原法制备了掺Ag的TiO2薄膜催化剂(Ag-TiO2/SiO2),再以经厌氧处理后的酿酒废水为对象,考察催化剂的活性和酿酒废水的深度处理效果。实验结果表明:Ag-TiO2/SiO2薄膜具有较强的光催化活性,酿酒废水经光催化... 以硅胶为载体,采用溶胶凝胶-光还原法制备了掺Ag的TiO2薄膜催化剂(Ag-TiO2/SiO2),再以经厌氧处理后的酿酒废水为对象,考察催化剂的活性和酿酒废水的深度处理效果。实验结果表明:Ag-TiO2/SiO2薄膜具有较强的光催化活性,酿酒废水经光催化降解5h后,其CODCr去除率达87.5%,出水水质达国家(GB 8978-1996)二级排放标准;同时,样品表征结果说明Ag掺杂会促进TiO2由锐钛型向金红石型转变,并使催化剂粒径更小更均匀,催化薄膜与硅胶载体结合更牢固。 展开更多
关键词 Ag-TiO2/SiO2薄膜 光催化降解 酿酒废水 深度处理
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The effects of radiation damage on power VDMOS devices with composite SiO_2-Si_3N_4 films 认领 引用 被引量：3
2
作者 高博 刘刚 +5 位作者 王立新 韩郑生 宋李梅 张彦飞 腾瑞 吴海舟 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2013年第3期393-398,共6页
Total dose effects and single event effects on radiation-hardened power vertical double-diffusion metal oxide semiconductor（VDMOS） devices with composite SiO2-Si3N4 film gates are investigated.The relationships amon... Total dose effects and single event effects on radiation-hardened power vertical double-diffusion metal oxide semiconductor（VDMOS） devices with composite SiO2-Si3N4 film gates are investigated.The relationships among the important electrical parameters of the samples with different thickness SiO2-Si3N4 films,such as threshold voltage,breakdown voltage,and on-state resistance in accumulated dose,are discussed.The total dose experiment results show that the breakdown voltage and the on-state resistance barely change with the accumulated dose.However,the relationships between the threshold voltages of the samples and the accumulated dose are more complex,and not only positively drift,but also negatively drift.At the end of the total dose experiment,we select the group of samples which have the smaller threshold voltage shift to carry out the single event effect studies.We find that the samples with appropriate thickness ratio SiO2-Si3N4 films have a good radiation-hardening ability.This method may be useful in solving both the SEGR and the total dose problems with the composite SiO2-Si3N4 films. 展开更多
关键词 power VDMOS device total dose effects single event effects composite SiO2-Si3N4 films
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Microstructures and magnetic properties of [SiO_2/FePt]_5/Ag thin films 认领 引用 被引量：2
3
作者 范九萍 许小红 +2 位作者 江凤仙 田宝强 武海顺 《Journal of Central South University of Technology》 2008年第1期11-14,共4页
[SiO2/FePt]5/Ag thin films were deposited by RF magnetron sputtering on the glass substrates and post annealing at 550 ℃ for 30 min in vacuum. Vibrating sample magnetometer and X-ray diffraction analyser were applied... [SiO2/FePt]5/Ag thin films were deposited by RF magnetron sputtering on the glass substrates and post annealing at 550 ℃ for 30 min in vacuum. Vibrating sample magnetometer and X-ray diffraction analyser were applied to study the magnetic properties and microstructures of the films. The results show that without Ag underlayer [SiO2/FePt]5 films deposited onto the glass are FCC disordered; with the addition of Ag underlayer [SiO]FePt]5/Ag films are changed into L10 and （111） mixed texture. The variation of the SiO2 nonmagnetic layer thickness in [SiO2/FePt]5/Ag films indicates that SiO2-doping plays an important role in improving the order parameter and the perpendicular magnetic anisotropy, and reducing the grain size and intergrain interactions. By controlling SiO2 thickness the highly perpendicular magnetic anisotropy can be obtained in the [SiO2 （0.6 nm）/FePt （3 nm）]5/Ag （50 nm） films and highly （001）-oriented films can be obtained in the [SiO2 （2 nm）/FePt （3 nm）]5/Ag （50 nm） films. 展开更多
关键词 [SiO2/FePt]5 multilayer films SiO2-doping Ag underlayer （001） orientation
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Antireflective and Self-cleaning Properties of SiO2/TiO2 Double-Layer Films Prepared by Cost-Effective Sol-Gel Process 认领 引用
4
作者 Hui Zhang Duo-wang Fan +1 位作者 Tian-zhi Yu Cheng-long Wang 《Chinese Journal of Chemical Physics》 SCIE EI CAS CSCD 2015年第6期
关键词 SiO2/TiO2 double-layer films Antireflective Self-cleaning Sol-gel process
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Crystallization Process of Superlattice-Like Sb/SiO_2 Thin Films for Phase Change Memory Application 认领 引用
5
作者 Xiao-Qin Zhu Rui Zhang +4 位作者 Yi-Feng Hu Tian-Shu Lai Jian-Hao Zhang Hua Zou Zhi-Tang Song 《Chinese Physics Letters》 SCIE EI CAS CSCD 2018年第5期99-103,共5页
After compositing with SiO_2 layers, it is shown that superlattice-like Sb/SiO_2 thin films have higher crystallization temperature（~240°C）, larger crystallization activation energy（6.22 e V）, and better data... After compositing with SiO_2 layers, it is shown that superlattice-like Sb/SiO_2 thin films have higher crystallization temperature（~240°C）, larger crystallization activation energy（6.22 e V）, and better data retention ability（189°C for 10 y）. The crystallization of Sb in superlattice-like Sb/SiO_2 thin films is restrained by the multilayer interfaces. The reversible resistance transition can be achieved by an electric pulse as short as 8 ns for the Sb（3 nm）/SiO_2（7 nm）-based phase change memory cell. A lower operation power consumption of 0.09 m W and a good endurance of 3.0 × 10~6 cycles are achieved. In addition, the superlattice-like Sb（3 nm）/SiO_2（7 nm） thin film shows a low thermal conductivity of 0.13 W/（m·K）. 展开更多
关键词 Sb Crystallization Process of Superlattice-Like Sb/SiO2 Thin Films for Phase Change Memory Application SiO
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Enhanced nonlinear optical absorption of Au/SiO_2 nano-composite thin films 认领 引用
6
作者 赵翠华 张波萍 尚鹏鹏 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS 2009年第12期5539-5543,共5页
Nano metal-particle dispersed glasses are the attractive candidates for nonlinear optical material applications. Au/SiO2 nano-composite thin films with 3 vol% to 65 vol% Au are prepared by inductively coupled plasma s... Nano metal-particle dispersed glasses are the attractive candidates for nonlinear optical material applications. Au/SiO2 nano-composite thin films with 3 vol% to 65 vol% Au are prepared by inductively coupled plasma sputtering. Au particles as perfect spheres with diameters between 10 nm and 30 nm are uniformly dispersed in the SiO2 matrix. Optical absorption peaks due to the surface plasmon resonance of Au particles are observed. The absorption property is enhanced with the increase of Au content, showing a maximum value in the films with 37 vol% Au. The absorption curves of the Au/SiO2 thin films with 3 vol% to 37 vol% Au accord well with the theoretical optical absorption spectra obtained from Mie resonance theory. Increasing Au content over 37 vol% results in the partial connection of Au particles, whereby the intensity of the absorption peak is weakened and ultimately replaced by the optical absorption of the bulk. The band gap decreases with Au content increasing from 3 vol% to 37 vol % but increases as Au content further increases. 展开更多
关键词 Au/SiO2 nano-composite film plasma sputtering optical absorption spectra
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Morphology and Structure of SiO_2 Film Using Thermal Oxidation Process on(111)Silicon Crystals in Dry Oxygen Atmosphere 认领 引用
7
作者 TaokaT. 《Rare Metals》 SCIE EI CAS 1989年第1期32-38,共7页
By means of scanning electron microscope(SEM)and high voltage electron microscope(HVEM)we have observed and analysed morphology and micro-structure of silicon oxide film with different thickness formed on(111)silicon ... By means of scanning electron microscope(SEM)and high voltage electron microscope(HVEM)we have observed and analysed morphology and micro-structure of silicon oxide film with different thickness formed on(111)silicon monocrystal under dry oxygen atmosphere at 1100℃.Compared with their oxidation kinetic curves consisted of three stages,we suggested a mechanism on forming silicon oxide film.According to electron and X-ray diffraction analyses the silicon oxide films consisted of silica with different crystal structure.We also have discussed a stacking fault and a dislocation formed in the Si-Sio_2 interface region simulaneously forming silicon oxide film. 展开更多
关键词 Silicon Crystals in Dry Oxygen Atmosphere Morphology and Structure of SiO2 Film Using Thermal Oxidation Process on SiO
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Study of SiO_2 Films Prepared by Electron CyclotronResonant Microwave Plasma 认领 引用
8
作者 张劲松 任兆杏 +2 位作者 梁荣庆 隋毅峰 刘卫 《Plasma Science and Technology》 SCIE CAS 2000年第2期199-205,共7页
Microwave electron cyclotron resonance plasma enhanced chemical vapor depositionwas used to grow silicon dioxide films on crystalline silicon substrate for planar optical waveguides.The relationship between plasma par... Microwave electron cyclotron resonance plasma enhanced chemical vapor depositionwas used to grow silicon dioxide films on crystalline silicon substrate for planar optical waveguides.The relationship between plasma parameters and deposition rates was investigated, and the influ-ence of radio frequency substrate bias on properties of SiO2 films was also preliminarily studied.X-ray photoelectron spectroscopy, Fourier transform infrared spectroscopy, scanning electron mi-croscopy, atomic force microscopy and elllipsometry were used to characterize the deposited films,showing that SiO2 films with good structural and optical properties prepared at low temperaturehave been achieved. They can basically meet the requirements of integrated optical waveguides. 展开更多
关键词 OA OO Study of SiO2 Films Prepared by Electron CyclotronResonant Microwave Plasma
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热处理对离子束溅射SiO_2薄膜结构特性的影响分析 认领 引用 被引量：12
9
作者 季一勤 姜玉刚 +6 位作者 刘华松 王利栓 刘丹丹 姜承慧 羊亚平 樊荣伟 陈德应 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2013年第2期418-422,共5页
采用离子束溅射沉积技术,在熔融石英基底上制备了SiO2薄膜,研究了热处理对离子束溅射SiO2薄膜结构特性的影响。热处理温度对表面粗糙度影响较大,低温热处理可降低表面粗糙度,高温热处理则增大表面粗糙度,选择合适的热处理温度,可以使表... 采用离子束溅射沉积技术,在熔融石英基底上制备了SiO2薄膜,研究了热处理对离子束溅射SiO2薄膜结构特性的影响。热处理温度对表面粗糙度影响较大,低温热处理可降低表面粗糙度,高温热处理则增大表面粗糙度,选择合适的热处理温度,可以使表面粗糙度几乎不变。采用X射线衍射仪(XRD)物相分析方法,分析了热处理对离子束溅射SiO2薄膜的无定形结构特性的影响,当退火温度为550℃,离子束溅射SiO2薄膜的短程有序范围最大、最近邻原子平均距离最小,与熔融石英基底很接近,结构稳定。实验结果表明,采用合适的热处理温度,能大大改善离子束溅射SiO2薄膜的结构特性。 展开更多
关键词 SiO2薄膜 热处理 表面粗糙度 XRD 无定形结构
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GaSb基PECVD法制备SiO_2薄膜的应力研究 认领 引用 被引量：8
10
作者 王志伟 郝永芹 +5 位作者 李洋 谢检来 王霞 晏长岭 魏志鹏 马晓辉 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第7期935-941,共7页
为了实现在GaSb衬底上获得低应力的SiO_2薄膜,研究了等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)在晶格失配较大的GaSb衬底上沉积SiO_2薄膜的应力情况。通过改变薄膜沉积时的工艺条件,如反应温度、射频功率、反应压强、气体流量比,并基于曲率法... 为了实现在GaSb衬底上获得低应力的SiO_2薄膜,研究了等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)在晶格失配较大的GaSb衬底上沉积SiO_2薄膜的应力情况。通过改变薄膜沉积时的工艺条件,如反应温度、射频功率、反应压强、气体流量比,并基于曲率法模型,对镀膜前后的曲率半径进行了实验测量,利用Stoney公式计算相关应力值并绘制应力变化曲线。详细讨论了PECVD工艺条件的改变对SiO_2薄膜应力所产生的影响。同时通过在Si衬底上沉积SiO_2薄膜,对比分析了导致薄膜应力产生的因素及变化过程。实验结果表明,在沉积温度为300℃、射频功率为20 W、腔体压强为90 Pa、气体流量比SiH_4/N_2O为125/70 cm^3·min-1的工艺参数下,PECVD法在GaSb衬底上沉积的SiO_2薄膜应力相对较小。 展开更多
关键词 GaSb PECVD SiO2薄膜 应力
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SiO2表面金属包覆处理对铜基粉末冶金材料制动摩擦磨损性能的影响 认领 引用 被引量：6
11
作者 刘军锋 张鑫 +3 位作者 上官宝 商宏飞 傅丽华 杜三明 《润滑与密封》 CAS CSCD 北大核心 2023年第6期15-24,共10页
为改善摩擦组元SiO2颗粒与铜基体间界面结合性能,通过表面金属包覆处理的方式制备铜包覆SiO2。分别以铜包覆SiO2和普通SiO2颗粒作为摩擦组元之一,利用SPS烧结技术制备2种铜基粉末冶金摩擦材料。分析2种摩擦材料的微观组织... 为改善摩擦组元SiO2颗粒与铜基体间界面结合性能,通过表面金属包覆处理的方式制备铜包覆SiO2。分别以铜包覆SiO2和普通SiO2颗粒作为摩擦组元之一,利用SPS烧结技术制备2种铜基粉末冶金摩擦材料。分析2种摩擦材料的微观组织、力学及物理性能,在MM1000-Ⅱ型惯性制动试验台上测试2种摩擦材料的制动摩擦磨损性能,并对2种摩擦材料的摩擦表面及其三维形貌特征、磨屑特征和摩擦表面物相进行微观分析,研究SiO2表面金属包覆处理对制动条件下铜基粉末冶金材料摩擦磨损性能的影响。结果表明:经铜包覆处理的SiO2与Cu基体间的界面结合性能明显改善,提高了材料的硬度、致密度及导热系数,特别是导热系数得到了显著提升;随着制动初速度的升高,2种摩擦材料的平均摩擦因数均呈现先上升后下降的趋势;在相同的制动条件下,与含普通SiO2材料相比,除了制动压力为0.8 MPa、制动初速度为100 km/h外,在其他各制动条件下含铜包覆SiO2材料具有较高的平均摩擦因数和较低的磨损率,且其摩擦表面更为平整;提高制动初速度均能够促进2种摩擦材料表面形成以氧化膜为主的摩擦膜,且含铜包覆SiO2材料的摩擦膜更均匀,因而保护作用更好,即磨损率低。 展开更多
关键词 铜基粉末冶金 SiO2 制动 摩擦磨损 摩擦膜
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纳米Ag—TiO_2/SiO_2薄膜催化剂的制备及其性能研究 认领 引用 被引量：4
12
作者 刘丽秀 何爱江 俞慧玲 《资源开发与市场》 CAS CSSCI 2008年第7期591-593,F0004,共3页
以硅胶为载体,采用溶胶凝胶—光还原法制备了掺杂Ag的TiO2薄膜催化剂(Ag—TiO2/SiO2);以甲基橙为目标降解物,对其光催化活性进行了考察。实验结果表明,Ag改性的TiO2/SiO2薄膜光催化性能是未改性催化剂性能的2.06倍。以XRD、SEM、BET等... 以硅胶为载体,采用溶胶凝胶—光还原法制备了掺杂Ag的TiO2薄膜催化剂(Ag—TiO2/SiO2);以甲基橙为目标降解物,对其光催化活性进行了考察。实验结果表明,Ag改性的TiO2/SiO2薄膜光催化性能是未改性催化剂性能的2.06倍。以XRD、SEM、BET等手段进行表征,结果表明Ag的掺杂会促进薄膜催化剂中的TiO2由锐钛型向金红石型转变,同时Ag对电子的捕获使电子—空穴对有效分离,导致了其催化活性的提高。 展开更多
关键词 Ag—TiO2/SiO2薄膜 光催化降解 甲基橙
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溶胶-凝胶SiO_2在变色薄膜中的应用 认领 引用 被引量：3
13
作者 倪星元 吕俊霞 +2 位作者 邓忠生 沈军 王珏 《功能材料》 EI CAS 北大核心 2002年第4期435-436,439,共2页
变色薄膜是一种非常有用的光学产品。用溶胶 凝胶SiO2 作为变色薄膜中的介质层 (Cr/SiO2 /Al)能明显提高产品的质量和生产效率。本文介绍了溶胶 凝胶SiO2 薄膜的制作方法 ,提出了用酸性催化控制SiO2 溶胶过程 ;用网线辊涂布的方法形成薄... 变色薄膜是一种非常有用的光学产品。用溶胶 凝胶SiO2 作为变色薄膜中的介质层 (Cr/SiO2 /Al)能明显提高产品的质量和生产效率。本文介绍了溶胶 凝胶SiO2 薄膜的制作方法 ,提出了用酸性催化控制SiO2 溶胶过程 ;用网线辊涂布的方法形成薄膜 ,连同烘烤后处理完成SiO2 凝胶过程。文章还对SiO2 展开更多
关键词 薄膜 溶胶-凝胶 SiO2 变色薄膜
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ZrO_2-SiO_2膜的制备和结构研究 认领 引用 被引量：13
14
作者 黄永前 郑昌琼 +1 位作者 胡英 张育林 《功能材料》 EI CAS 北大核心 2000年第2期204-206,共3页
以正硅酸乙酯和氧氯化锆为原料 ,用溶胶 -凝胶法制备了无支撑ZrO2 -SiO2 膜。应用DTA -TG、XRD、SEM和BET等测试技术对无支撑ZrO2 -SiO2 膜的结构、表面形貌和孔径进行了表征 ,结果表明ZrO2 -SiO2 凝胶膜虽在 46 7℃开始出现少量单斜ZrO... 以正硅酸乙酯和氧氯化锆为原料 ,用溶胶 -凝胶法制备了无支撑ZrO2 -SiO2 膜。应用DTA -TG、XRD、SEM和BET等测试技术对无支撑ZrO2 -SiO2 膜的结构、表面形貌和孔径进行了表征 ,结果表明ZrO2 -SiO2 凝胶膜虽在 46 7℃开始出现少量单斜ZrO2 ,但在 5 0 0℃和 12 0 0℃热处理后的主晶相均为四方ZrO2 ,显然SiO2 的存在阻碍了四方相ZrO2 向单斜相ZrO2 转变的过程 ,ZrO2 -SiO2 膜具有比ZrO2 膜更高的热稳定性 ,在95 0℃烧结的无支撑ZrO2 -SiO2 膜孔径稍呈双峰分布 ,其最可几孔径为 3 .3 5nm。 展开更多
关键词 ZrO2-SiO2膜 溶胶-凝胶 制备 结构 热稳定性
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Local corrosion mechanism of SiO2-based refractories caused by slag movement near solid–liquid–gas interface in different slag systems 认领 引用 被引量：1
15
作者 Zhang-fu YUAN Shan-shan XIE +2 位作者 Xiang-tao YU Yan-gang ZHANG Rong-yue WANG 《Transactions of Nonferrous Metals Society of China》 SCIE EI CAS CSCD 2019年第9期1975-1982,共8页
Slag movement on SiO2-based prism refractories in different slag systems was observed. The cross section shape evolution mechanism was discussed. Two types of shape evolution appear. For PbO-SiO2 slag whose surface te... Slag movement on SiO2-based prism refractories in different slag systems was observed. The cross section shape evolution mechanism was discussed. Two types of shape evolution appear. For PbO-SiO2 slag whose surface tension improves with SiO2 concentration, slag film flows up along four edges under axial Marangoni shear force and wettability. Then, it flows down along four lateral faces under gravity. Corrosion rate at edges is larger than that on lateral faces due to different SiO2 solubilities of ascending and descending flow. Prism cross section shape changes from square to round. For FetO-SiO2 slag whose surface tension reduces with the increase of SiO2 concentration, slag film flows up under the inflence of wettability. Then, it flows down under Marangoni shear force and gravity. Compared to four edges, slag is mainly up and down on four lateral faces due to larger surface tension and size. So, prism cross section shape keeps square. 展开更多
关键词 Marangoni convection slag film local corrosion solid-liquid-gas interface SiO2-based refractories
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EVA/Nano-SiO_2隔热复合材料的制备及性能研究 认领 引用 被引量：3
16
作者 张祯华 李光吉 冯晖 《塑料工业》 CAS CSCD 北大核心 2011年第12期98-103,共6页
通过挤出共混法将低导热系数的纳米二氧化硅(nano-SiO2)添加到乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)中,制备了用于透明隔热型夹层玻璃中间膜的EVAano-SiO2隔热复合材料。系统地研究了nano-SiO2的含量和比表面积对EVAano-SiO2复合材料的隔热性能... 通过挤出共混法将低导热系数的纳米二氧化硅(nano-SiO2)添加到乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)中,制备了用于透明隔热型夹层玻璃中间膜的EVAano-SiO2隔热复合材料。系统地研究了nano-SiO2的含量和比表面积对EVAano-SiO2复合材料的隔热性能、拉伸性能、可见光透过率以及热稳定性的影响,并考察了复合材料与玻璃之间的黏合强度。结果表明,nano-SiO2作为隔热添加剂,其含量和比表面积的增加均会使EVAano-SiO2复合材料的导热系数下降,隔热性能得到改善。与未改性EVA相比,含9.0%nano-SiO2(比表面积为300 m2/g)的EVAano-SiO2复合材料的导热系数最低,为0.219 9 W/(m.K);用其胶膜夹在两块玻璃中间制作的盖板能使隔热箱内的温度降低4.1℃。nano-SiO2的质量分数在3.8%～9.0%范围内,EVAano-SiO2复合材料与玻璃的黏合强度均大于30 N/cm;nano-SiO2质量分数为5.6%左右,复合材料的黏合强度、拉伸强度和断裂伸长率均出现最大值,可见光透过率约为80%。 展开更多
关键词 乙烯-乙酸乙烯酯共聚物胶膜 纳米二氧化硅 导热系数 隔热性能
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Grain Size and Wettability of TiO_2/SiO_2 Photocatalytic Composite Thin Filing 认领 引用 被引量：11
17
作者 Jiaguo Yu, Xiujian Zhao, Jimmy C Yu, Jun Lin (State Key Laboratory of Advanced Technology for Materials Synthesis and Processing, Wuhan University of Technology, Wuhan 430070, China Deportment of Chemised The Chinese University of Hong Kong, Hong Kong, 《Rare Metals》 SCIE EI CAS 2001年第2期81-86,共6页
The uniform transparent TiO2/SiO2 photocatalytic composite thin films are prepared by sol-gel method on the soda lime glass substrates, and characterized by UV-visible spectroscopy, X-ray diffraction (XRD), transmissi... The uniform transparent TiO2/SiO2 photocatalytic composite thin films are prepared by sol-gel method on the soda lime glass substrates, and characterized by UV-visible spectroscopy, X-ray diffraction (XRD), transmission electron microscopy (TEM), BET surface area, FTIR spectroscopy and X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). It was found that the addition of SiO2 to TiO2 thin films can suppress the grain growth of TiO2 crystal, increase the hydroxyl content on the surface of TiO2 films, lower the contact angle for water on TiO, films and enhance the hydrophilic property of TiO2 films. The super-hydrophilic TiO2/SiO2 photocatalytic composite thin films with the contact angle of 0((o) under bar) are obtained by the addition of 10%-20% SiO2 in mole fraction. 展开更多
关键词 sol-gel method TiO2/SiO2 photocatalytic composite thin films grain size wettability
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化学修饰法制备的ZrO_2-SiO_2系凝胶薄膜的感光特性研究 认领 引用 被引量：3
18
作者 赵桂荣 赵高扬 《功能材料》 EI CAS 北大核心 2002年第2期207-208,211,共2页
本研究采用溶胶 凝胶与化学修饰相结合的方法制备了xZrO2 ·(10 0 -x)SiO2 系薄膜 ,进一步研究了这种薄膜的紫外光谱特性 ,发现了当x >3 0时 ,这种凝胶薄膜在 3 3 5nm附近有较强的吸收峰 ,这一吸收峰对应于与Zr形成配位体的BzAc... 本研究采用溶胶 凝胶与化学修饰相结合的方法制备了xZrO2 ·(10 0 -x)SiO2 系薄膜 ,进一步研究了这种薄膜的紫外光谱特性 ,发现了当x >3 0时 ,这种凝胶薄膜在 3 3 5nm附近有较强的吸收峰 ,这一吸收峰对应于与Zr形成配位体的BzAcH的π π 迁移。当紫外光照射薄膜后 ,随着含Zr螯合物的分解 ,吸收峰也消失 ,并引起薄膜在有机溶剂中的溶解特性的显著变化 ,表现出明显的感光特性。这种薄膜经 40 0℃、3 0min热处理以后 ,薄膜中的有机物消失 ,可获得非晶质的ZrO2 SiO2 系薄膜 ,依据这一特性可以用紫外光对这类薄膜进行微细加工。 展开更多
关键词 熔胶-凝胶法 化学修饰 微细加工 吸光度 氧化锆-氧化硅薄膜
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Preparation of Ag-doped TiO_2 Thin Film by Sol-gel Method 认领 引用 被引量：3
19
作者 魏建红 《Journal of Wuhan University of Technology(Materials Science)》 SCIE EI CAS 2001年第4期27-30,共4页
The Ag-TiO2 thin film has been prepared on glass substrate by sol-gel process . The structure and properties of the materials were studied by DTA , XRD, and EPR. The photocatalytic activity was examined by the photoca... The Ag-TiO2 thin film has been prepared on glass substrate by sol-gel process . The structure and properties of the materials were studied by DTA , XRD, and EPR. The photocatalytic activity was examined by the photocatalytic degradation of dichlorophos. The analysis results indicate that the photocatalytic activity of the Ag-TiO2 thin film is higher than that of pure TiO2 thin film. It is also influenced by the content of anatase and heating temperature . The ESR result shows that the Ag-TiO2 thin film has more hydroxide radicals than pure TiO2 thin film after illuminated by UV light. 展开更多
关键词 sol-gel process Ag-TiO2 thin film properties photocatolytic activity
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Ge-SiO_2薄膜的XPS研究 认领 引用 被引量：1
20
作者 叶春暖 汤乃云 +3 位作者 吴雪梅 诸葛兰剑 余跃辉 姚伟国 《微细加工技术》 EI 2002年第1期36-39,共4页
采用射频磁控溅射技术制备了Ge SiO2 薄膜 ,在N2 气氛下进行 30 0℃到 1 0 0 0℃的退火处理 30分钟 ,对样品进行XPS分析 ,研究了在不同退火温度下薄膜样品的成分与化学状态 ,为进一步探讨薄膜的光致发光机理提供了依据。结合XRD谱图分... 采用射频磁控溅射技术制备了Ge SiO2 薄膜 ,在N2 气氛下进行 30 0℃到 1 0 0 0℃的退火处理 30分钟 ,对样品进行XPS分析 ,研究了在不同退火温度下薄膜样品的成分与化学状态 ,为进一步探讨薄膜的光致发光机理提供了依据。结合XRD谱图分析结果可发现 ,退火处理对纳米晶粒的形成与长大起着关键作用。随着退火温度的升高 ,样品中的Si向高价态转化 ,Ge则向低价态转化 ;GeO含量在 80 0℃退火样品中为最大 ,高于 80 展开更多
关键词 Ge-SiO2薄膜 溅射 XPS谱 退火
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