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- Al/Si比对SiO_2-Al_2O_3-MgO系玻璃结构和性能的影响 认领 引用 被引量：5
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- 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2017年第11期3913-3919,共7页
- SiO_2-Al_2O_3-MgO系玻璃因具备强度大、弹性模量高等优异性能而用作高模量玻璃纤维的制备。采用熔融冷却法制备了不同Al/Si比的SiO_2-Al_2O_3-MgO系基础玻璃,并研究了玻璃的结构和性能。红外光谱分析表明,玻璃网络结构由铝氧四面体[AlO... 展开更多
- 关键词 SiO2-Al2O3-MgO玻璃 玻璃结构 玻璃性能 Al/Si比
- SiO_2/(Si_3N_4+BN)透波材料表面涂层的防潮性能和透波性能研究 认领 引用 被引量：11
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- 《涂料工业》 CAS 2007年第1期5-7,10,共3页
- SiO2／（Si3N4＋BN）复合材料是近几年发展起来的综合性能优良的适用于高马赫数的导弹天线罩材料。本文分析了SiO2／（Si3N4＋BN）复合材料的吸潮机理。采用有机硅树脂在SiO2／（Si3N4＋BN）复合材料表面制备了防潮涂层，取得较好的防... 展开更多
- 关键词 SiO2/(Si3N4+BN) 透波率 防潮涂层 吸水率
- CaCl_2熔盐中电解高钛渣/SiO_2复合阴极制备Ti_5Si_3的研究 认领 引用 被引量：2
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- 《有色金属（冶炼部分）》 CAS 北大核心 2017年第7期52-57,共6页
- 采用FFC熔盐电解法,在900℃和2.6~3.2V槽电压的条件下,以CaCl2熔盐为电解质电解还原高钛渣/SiO_2复合阴极,成功制备出了Ti_5Si_3合金。通过热力学计算和单因素条件试验探讨了电解时间和槽电压对电解产物的影响。结果表明,在初始阶段反... 展开更多
- 关键词 Ti5Si3 高钛渣 SiO2 CaCl2熔盐电解
- 用于微机电系统的SiO_2/Si_3N_4驻极体的制备及电荷稳定性 认领 引用 被引量：3
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- 《功能材料》 EI CAS 北大核心 2007年第8期1297-1299,1303,共3页
- 驻极体微型发电机是近期提出的微电子机械系统开发中的一个新领域,驻极体电荷稳定性则是影响驻极体微型发电机性能的关键。用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法制备SiO2/Si3N4双层膜,采用电晕充电和热极化方法对材料进行注极形成驻极... 展开更多
- 关键词 驻极体 微型发电机 SiO2/Si3N4双层膜 电荷稳定性 微器件加工
- Fabrication and characterization of SiO2(f)/Si)_3N_4 composites 认领 引用 被引量：4
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- 《Journal of University of Science and Technology Beijing》 2007年第5期454-459,共6页
- A silicon dioxide fiber-reinforced silicon nitride matrix(SiOJSi3N4)composite used for radomes was prepared by chemical vapor infiltration(CVI)process using the SiCl4-NH3-H2 system.The effects of the process condition... 展开更多
- 关键词 SiO2/Si3N4 composite fabrication characterization chemical vapor infiltration
- Si/SiO_2及Si/SiO_2/Si_3N_4系统的总剂量辐射损伤 认领 引用 被引量：1
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- 《西安电子科技大学学报》 EI CAS 北大核心 2003年第4期433-436,共4页
- 从微观氧化物电荷、界面态的感生变化及界面态的能量分布变化的角度,比较并分析了3种采用54HC电路工艺制作的MOS电容样品的总剂量电离辐射损伤退化,结果显示,采用单绝缘栅介质的Si/SiO2系统的双绝缘栅介质的Si/SiO2/Si3N4系统表现出对... 展开更多
- 关键词 氧化物电荷 界面态 能量分布 MOS电容 总剂量辐射损伤 Si/SiO2 Si/SiO2/Si3N4
- Si_3N_4/SiO_2复合栅介质电离辐照的电子能谱分析 认领 引用 被引量：1
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- 《西安电子科技大学学报》 EI CAS 北大核心 2003年第3期302-305,共4页
- 采用氩离子刻蚀X光激发电子能谱分析方法对Si3N4/SiO2/Si复合栅介质系统进行电离辐照剖析.实验结果表明存在一个由Si3N4和SiO2构成的界面区及由SiO2和Si构成的界面区,电离辐照能将SiO2/Si界面区中心向Si3N4/SiO2界面方向推移,同时SiO2/S... 展开更多
- 关键词 Si3N4/SiO2复合栅介质 电离辐照 X光激发电子能谱 氢离子刻蚀 Si过渡态
- Si_3N_4结合SiC制品中SiO_2含量的测定 认领 引用 被引量：2
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- 《耐火材料》 EI CAS 北大核心 2007年第3期236-236,240,共1页
- 关键词 SiO2含量 碳化硅制品 测定方法 Si3N4 SiC 氮化硅 高温强度 抗热震性
- MEMS用Si台面及SiO_2/Si衬底上3C-SiC的LPCVD生长(英文) 认领 引用
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- 《人工晶体学报》 EI CAS 北大核心 2005年第6期982-985,976,共4页
- 本文报道用在S i台面及热氧化S iO2衬底上3C-S iC薄膜的LPCVD生长,反应生长使用的气体为S iH4和C2H4,载气为H2,采用光学显微镜、X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、扫描电镜(SEM)、以及室温Hall测试对所生长的3C-S iC材料进行了测... 展开更多
- 关键词 3C—SiC LPCVD生长 Si台面 SiO2/Si
- 脉冲激光沉积法在SiO_2/Si衬底上生长c轴取向LiTaO_3薄膜 认领 引用
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- 《人工晶体学报》 EI CAS 北大核心 2007年第1期134-137,145,共4页
- 本文利用脉冲激光沉积法,系统研究了衬底温度和氧压对硅基LiTaO3薄膜质量及c轴取向性的影响,结果表明衬底温度和氧压对LiTaO3薄膜的c轴取向性及结晶质量有很大的影响,在650℃、30Pa时可以生长出高c轴取向LiTaO3薄膜。采用扫描电镜和原... 展开更多
- 关键词 LiTaO3薄膜 SiO2/Si衬底 c轴取向 脉冲激光沉积
- 低温处理对Al_2O_3·SiO2f/Al-10Si复合材料断裂性能的影响 认领 引用
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- 《金属热处理》 EI CAS 北大核心 2001年第1期24-25,共2页
- 对经 - 196℃× 10min低温处理前后的Al2 O3·SiO2f/Al 10Si复合材料的断裂强度、伸长率、断裂韧度进行了研究。结果表明 ,由于复合材料纤维及基体残余应力的变化 ,处理后 ,复合材料的断裂强度有所降低 ,而伸长率及断裂韧度有... 展开更多
- 关键词 Al2O3·SiO2f/Al-10Si复合材料 低温处理 残余应力 断裂韧度
- Si_3N_4与TiO_2/SiO_2减反射膜用在单晶硅太阳电池的对比研究 认领 引用
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- 《云南师范大学学报（自然科学版）》 2010年第6期54-57,共4页
- 文章对比分析了Si3N4单层减反射膜与TiO2/SiO2双层减反射膜对单晶硅太阳电池性能的影响,发现Si3N4单层减反射膜单晶硅太阳电池短路电流Isc较高。并对这两种减反射膜的批量产品进行抽样检测,结果表明采用TiO2/SiO2双层减反射膜电池总体品... 展开更多
- 关键词 Si3N4 TiO2/SiO2 减反射膜
- 恒压应力下超薄Si_3N_4/SiO_2叠层栅介质与SiO_2栅介质寿命比较 认领 引用
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- 《Journal of Semiconductors》 CAS 北大核心 2004年第12期1717-1721,共5页
- 以等效氧化层厚度 (EOT)同为 2 .1nm的纯 Si O2 栅介质和 Si3N4 / Si O2 叠层栅介质为例 ,给出了恒定电压应力下超薄栅介质寿命预测的一般方法 ,并在此基础上比较了纯 Si O2 栅介质和 Si3N4 / Si O2 叠层栅介质在恒压应力下的寿命 .结... 展开更多
- 关键词 恒压应力 超薄Si3N4/SiO2 叠层栅介质 超薄SiO2栅介质 栅介质寿命预测
- SiO_2-Si_3N_4栅介质膜陷阱特性的高频C-V分析 认领 引用
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- 《固体电子学研究与进展》 EI CAS 北大核心 2003年第2期236-240,共5页
- 采用高频 C-V特性测试技术 ,研究由热氧化生成的超薄 Si O2 膜和低压化学汽相淀积法制备的非均匀结构 Si3N4膜 ,两者组成的栅介质膜的陷阱特性 (包括陷阱密度、能量和空间分布深度等参数 )。结果表明 :在栅复合膜陷阱电荷非稳态释放模... 展开更多
- 关键词 金属—氮化硅—二氧化硅—硅结构 存储陷阱分布 高频容—压特性 SiO2—Si3N4栅介质膜 陷阱特性 非挥发性存储器
- 晶态Si_3N_4/非晶SiO_2同轴纳米线的电子显微学研究 认领 引用
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- 《电子显微学报》 CAS 2005年第4期277-277,共1页
- 关键词 Si3N4 电子显微学 SiO2 纳米线 同轴 场发射电子显微镜 非晶 晶态 微观组织结构
- 超薄Si_3N_4/SiO_2(N/O)stack栅介质及器件 认领 引用
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- 《Journal of Semiconductors》 CAS 北大核心 2005年第1期115-119,共5页
- 成功制备了EOT(equivalentoxidethickness)为 2 1nm的Si3 N4/SiO2 (N/O)stack栅介质 ,并对其性质进行了研究 .结果表明 ,同样EOT的Si3 N4/SiO2 stack栅介质和纯SiO2 栅介质比较 ,前者在栅隧穿漏电流、抗SILC性能、栅介质寿命等方面都远... 展开更多
- 关键词 超薄Si3N4/SiO2(N/O)stack栅介质 栅隧穿漏电流 SILC特性 栅介质寿命 CMOS器件
- 超薄Si_3N_4/SiO_2叠层栅介质可靠性研究(英文) 认领 引用
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- 《电子器件》 CAS 2007年第2期361-364,共4页
- 实验成功地制备出等效氧化层厚度为亚2nm的Nitride/Oxynitride(N/O)叠层栅介质难熔金属栅电极PMOS电容并对其进行了可靠性研究.实验结果表明相对于纯氧栅介质而言,N/O叠层栅介质具有更好的抗击穿特性,应力诱生漏电特性以及TDDB特性.进... 展开更多
- 关键词 击穿 Si3N4/SiO2(N/O)叠层 可靠性 应力诱生漏电流(SILC) TDDB特性
- 无压烧结制备Si_3N_4/SiO_2复合材料 认领 引用 被引量：10
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- 《无机材料学报》 SCIE EI CAS 北大核心 2006年第4期935-938,共4页
- 以无压烧结工艺制备了Si3N4／SiO2复合材料．实验结果表明:Si3N4颗粒对石英基体的析晶起到了抑制作用和增韧补强作用．Si3N4含量为5vol％的样品在1370℃烧结2h后,抗弯强度达到96．2MPa,断裂韧性为2．4MPa·m1／2,介电常数和介电损... 展开更多
- 关键词 天线罩 无压烧结 Si3N4/SiO2复合材料 力学性能 介电性能
- Si_3N_4掺杂氮化对Sr_3SiO_5:Eu2+荧光粉发光性能的影响 认领 引用 被引量：1
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- 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2017年第3期252-256,共5页
- 采用高温固相法制备Si_3N_4掺杂氮化Sr2.99SiO5-6xN4x:0.01Eu2+荧光粉。采用XRD、EDS和SEM测试结果表明:N3-进入Sr_3SiO_5基质晶格中取代部分O2-离子,形成了单一相Sr2.99SiO5-6xN4x:0.01Eu2+固溶体。PL&a... 展开更多
- 关键词 Sr3SiO5：Eu2＋ 荧光粉 Si3N4
- PECVDSiO_2/Si_3N_4双层膜驻极体性能 认领 引用
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- 《功能材料与器件学报》 CAS 北大核心 2008年第1期125-128,共4页
- 本文研究了在带有Cr/Au电极的玻璃衬底上利用PECVD制备的SiO2/Si3N4双层膜驻极体性能。针对这种驻极体提出了一个简单的工艺流程暴露出一部分金属电极,并在电晕注极过程中将底电极引出接地。通过实验改变电晕注极过程中的注极时间、温... 展开更多
- 关键词 驻极体 SiO2/Si3N4双层膜 PECVD
