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Preparation of CeO_2 Buffer Layer on Cube Textured Nickel Substrate by Reactive Sputtering 认领 引用
1
作者 Zhang Hua Yang Jian Gu Hongwei Liu Huizhou Qu Fei 《Journal of Rare Earths》 SCIE EI CAS 2006年第2期205-205,共1页
The buffer layer CeO2 films were grown on cube textured metallic Ni substrates by using reactive magnetrun sputtering. Ar/H2 mixed atmosphere, which effectively inhibited the formation of NiO, was used as pre-depositi... The buffer layer CeO2 films were grown on cube textured metallic Ni substrates by using reactive magnetrun sputtering. Ar/H2 mixed atmosphere, which effectively inhibited the formation of NiO, was used as pre-depositing gas before CeO2 films were grown in Ar and 02. At 700 ℃ under the total pressure of 26 Pa,the pure c-axis orientation tilm was obtained. X-ray θ-2θscan, pole figure and φ-scan were used to observe the microstructure of the buffer layer. The resuits show that CeO2 film has strong cube texture and the FWHM is 9°. In addition, the CeO2 film is dense and crack-free. 展开更多
关键词 CeO2 buffer layer reactive sputtering cube texture Ni substrate rare earths
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Growth of CeO_2, Y_2O_3 Buffer Layers for YBCO Coated Conductor 认领 引用
2
作者 Zhang Hua Yang Jian Gu Hongwei Liu Huizhou Qu Fei 《Journal of Rare Earths》 SCIE EI CAS 2006年第5期I0001-I0001,共1页
The CeO2 and Y2O3 buffer layers were deposited on the cube textured metallic Ni substrates by using reactive magnetron sputtering. Ar/H2 mixed atmosphere, which is used as pre-depositing gas, can effectively inhibit t... The CeO2 and Y2O3 buffer layers were deposited on the cube textured metallic Ni substrates by using reactive magnetron sputtering. Ar/H2 mixed atmosphere, which is used as pre-depositing gas, can effectively inhibit the formation of NiO. In addition, the linear relationship between pre-depositing time and total depositing time is required to ensure the epitaxial growth of the films. The growth conditions of CeO2 and Y2O3 were comparatively studied, and it is found that the windows of substrate temperatures and pressures for CeO2 films are wider than that for Y2O3 films. 展开更多
关键词 CeO2 Y2O3 buffer layer reactive sputtering cube texture Ni substrate rare earths
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Continuous Deposition of Double-sided Y_2O3/YSZ/CeO2 Buffer Layers for Coated Conductors 认领 引用
3
作者 Xia Yudong Zhang Fei +8 位作者 Zhang Ning Zhang Junfei Chai Gang Guo Pei Jing Tongguo Xiong Jie Zhao Xiaohui Tao Bowan Li Yanrong 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第S3期311-314,共4页
In this paper,we report a continuous deposition method for double-sided CeO2/YSZ/Y2O3 buffer layers by reel-to-reel in a D.C.magnetron reactive sputtering system.X-ray diffraction exhibited all the samples were highly... In this paper,we report a continuous deposition method for double-sided CeO2/YSZ/Y2O3 buffer layers by reel-to-reel in a D.C.magnetron reactive sputtering system.X-ray diffraction exhibited all the samples were highly c-axis oriented and atomic force microscope observations revealed a smooth,dense and crack-free surface morphology.Out-of-plane,in-plane texture,and surface roughness of multi-buffer layers were improved under optimized deposition conditions.Full width at half maximum(FWHM)values of out-of-plane and in-plane were about 4°and 5.5°in 50 cm double-sided buffed template.YBa2Cu3O7-δfilms with thickness of 1.2μm were deposited on both sides of the buffed tape.Both sides showed similar critical current density,Jc(77 K,self field)as 0.8 MA/cm2 and 0.7 MA/cm2,respectively. 展开更多
关键词 continuous deposition double-sided Y2O3/YSZ/CeO2 buffer layers
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CeO2缓冲层对蓝宝石基Ba0.6Sr0.4TiO3薄膜结构和介电性能的影响 认领 引用
4
作者 宋安英 宋建民 +3 位作者 李振娜 代秀红 娄建忠 刘保亭 《电子元件与材料》 CAS CSCD 2017年第4期27-31,共5页
利用磁控溅射法制备Ce O_2缓冲层,通过脉冲激光沉积法制备Ba0.6Sr0.4TiO_3(BST)薄膜,在Al_2O_3(11—02)蓝宝石基片上构架了Pt/BST/Ce O_2/Al_2O_3和Pt/BST/Al_2O_3叉指电容器,对比研究了Ce O_2缓冲层对BST薄膜结构和叉指电容器介... 利用磁控溅射法制备Ce O_2缓冲层,通过脉冲激光沉积法制备Ba0.6Sr0.4TiO_3(BST)薄膜,在Al_2O_3(11—02)蓝宝石基片上构架了Pt/BST/Ce O_2/Al_2O_3和Pt/BST/Al_2O_3叉指电容器,对比研究了Ce O_2缓冲层对BST薄膜结构和叉指电容器介电性能的影响。通过X射线衍射仪、原子力显微镜和LCR表分别对叉指电容器的结构、表面形貌和介电性能进行了表征。实验发现,直接沉积在蓝宝石上的BST薄膜为多晶结构,生长在Ce O_2缓冲层上的BST为(001)取向的高质量外延薄膜。生长在Ce O_2缓冲层上的BST薄膜相对于没有缓冲层的BST薄膜具有更小的晶粒和均方根粗糙度。在40 V偏置电压下,Pt/BST/Al_2O_3和Pt/BST/Ce O_2/Al_2O_3叉指电容器的调谐率分别是13.2%和25.8%;最小介电损耗为0.021和0.014。结果表明Ce O_2缓冲层对生长在蓝宝石基片上的BST薄膜结构和介电性能具有重要影响。 展开更多
关键词 Ba0.6Sr0.4TiO3薄膜 CeO2缓冲层 蓝宝石衬底 外延薄膜 介电性能 叉指电容器
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反应溅射法在立方织构镍基底上制备CeO_2缓冲层 认领 引用 被引量：5
5
作者 张华 杨坚 +2 位作者 古宏伟 刘慧舟 屈飞 《中国稀土学报》 CAS 北大核心 2006年第2期188-191,共4页
采用反应溅射的方法在具有立方织构的Ni基底上制备了CeO2缓冲层。以Ar/H2混合气体为预沉积气体,有效地抑制了基底的氧化。在基片温度为650℃,气压为26Pa的条件下沉积的CeO2薄膜具有纯c轴取向。X射线θ-2θ扫描、极图分析、Φ扫描结果表... 采用反应溅射的方法在具有立方织构的Ni基底上制备了CeO2缓冲层。以Ar/H2混合气体为预沉积气体,有效地抑制了基底的氧化。在基片温度为650℃,气压为26Pa的条件下沉积的CeO2薄膜具有纯c轴取向。X射线θ-2θ扫描、极图分析、Φ扫描结果表明,CeO2薄膜有良好的立方织构,其Φ扫描半高宽(FWHM)为9.0°。扫描电镜观察表明,薄膜致密且没有裂纹。 展开更多
关键词 CeO2缓冲层 反应溅射 立方织构 Ni基底 稀土
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YBCO涂层导体CeO_2,Y_2O_3缓冲层的生长研究 认领 引用 被引量：6
6
作者 张华 杨坚 +2 位作者 古宏伟 刘慧舟 屈飞 《中国稀土学报》 CAS 北大核心 2006年第5期636-640,共5页
采用反应溅射的方法在具有立方织构的Ni基底上制备了CeO2,Y2O3缓冲层。Ar/H2气氛下预沉积的引入,有效地抑制了基底的氧化。同时,为保证薄膜的外延取向,预沉积时间必须和总沉积时间满足线性关系。对比CeO2,Y2O3的生长条件,发现CeO2的外... 采用反应溅射的方法在具有立方织构的Ni基底上制备了CeO2,Y2O3缓冲层。Ar/H2气氛下预沉积的引入,有效地抑制了基底的氧化。同时,为保证薄膜的外延取向,预沉积时间必须和总沉积时间满足线性关系。对比CeO2,Y2O3的生长条件,发现CeO2的外延生长区间比Y2O3宽,Y2O3的生长对温度、气压等条件更为敏感。最终制备的CeO2缓冲层是纯的(100)取向,其平面内Ф扫描半高宽(FWHM)为8.5°;而Y2O3存在两种平面取向,一种是Y2O3(110)‖Ni(100),另一种是Y2O3(100)‖Ni(100)。俄歇能谱观察表明,CeO2/Ni界面优于Y2O3/Ni界面。扫描电镜照片显示,CeO2,Y2O3缓冲层的表面均匀致密,无裂纹生成,但两种薄膜中,都有呈三角形的胞状突起。 展开更多
关键词 CeO2 Y2O3 缓冲层 反应溅射 立方织构 Ni基底 稀土
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涂层导体用Ta掺杂CeO_2过渡层的研究(英文) 认领 引用 被引量：1
7
作者 刘敏 吕昭 +2 位作者 徐燕 叶帅 索红莉 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2014年第6期1329-1331,共3页
采用简单的金属有机物沉积方法在自制的Ni-5W基带上成功地制备了Ta掺杂CeO2过渡层。XPS结果表明:在热处理时的还原性气氛中,Ta5+优先于Ce4+被还原为Ta4+,这有利于减少或抑制由于Ce4+被还原而产生的裂纹和孔洞。XRD结果表明除CeO2的衍射... 采用简单的金属有机物沉积方法在自制的Ni-5W基带上成功地制备了Ta掺杂CeO2过渡层。XPS结果表明:在热处理时的还原性气氛中,Ta5+优先于Ce4+被还原为Ta4+,这有利于减少或抑制由于Ce4+被还原而产生的裂纹和孔洞。XRD结果表明除CeO2的衍射峰稍变小外,没有发现新的物相生成,这说明Ta4+部分取代了CeO2晶格中Ce4+的位置生成了Ce0.75Ta0.25O2.Ce0.75Ta0.25O2的ω-扫描和-扫描半高宽带分别是4.38o和6.67o,这表明Ce0.75Ta0.25O2具有良好的面外和面内织构。AES结果表明单层Ce0.75Ta0.25O2的厚度大约为70 nm,在过渡层的表面没有检测到Ni元素,说明该过渡层具有很好的阻止元素扩散的能力。综上说明,Ta掺杂的CeO2过渡层有望成为涂层导体用单层多功能过渡层。 展开更多
关键词 CeO2过渡层 掺杂 涂层导体
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蓝宝石基片上制备双面Tl_2Ba_2CaCu_2O_8超导薄膜 认领 引用 被引量：1
8
作者 游峰 阎少林 +5 位作者 季鲁 谢清连 王争 岳宏卫 赵新杰 方兰 《低温与超导》 CAS 北大核心 2010年第1期32-36,共5页
在蓝宝石基片上,以CeO2为缓冲层制备了高质量的双面Tl2Ba2CaCu2O8(Tl-2212)超导薄膜。以金属铈靶作为溅射源生长了c轴取向的CeO2缓冲薄膜,并对CeO2薄膜进行了高温处理,有效改善了其结晶质量和表面形貌。采用两步法制备了双面的Tl-2212... 在蓝宝石基片上,以CeO2为缓冲层制备了高质量的双面Tl2Ba2CaCu2O8(Tl-2212)超导薄膜。以金属铈靶作为溅射源生长了c轴取向的CeO2缓冲薄膜,并对CeO2薄膜进行了高温处理,有效改善了其结晶质量和表面形貌。采用两步法制备了双面的Tl-2212超导薄膜。XRD测试显示,薄膜为纯的Tl-2212相,且其晶格c轴垂直于衬底表面。超导薄膜的Tc为106K,Jc(77K,0T)为3.5MA/cm2,微波表面电阻Rs(77K,10GHz)为390μΩ。 展开更多
关键词 Tl-2212超导薄膜 蓝宝石基片 CeO2缓冲层
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YSZ基片上Tl-2212超导薄膜的制备及其特性的研究 认领 引用
9
作者 谢清连 游峰 +5 位作者 蒙庆华 季鲁 周铁戈 赵新杰 方兰 阎少林 《人工晶体学报》 EI CAS 北大核心 2010年第6期1539-1543,共5页
本文报道了在(001)掺钇氧化锆(YSZ)基片上生长高质量CeO2缓冲层和Tl-2212超导薄膜的制备方法,以及不同厚度的超导薄膜对其特性的影响。XRD和SEM测试表明,在经过合适条件退火的基片和CeO2缓冲层上,所生长的Tl-2212薄膜具有致密的晶体结... 本文报道了在(001)掺钇氧化锆(YSZ)基片上生长高质量CeO2缓冲层和Tl-2212超导薄膜的制备方法,以及不同厚度的超导薄膜对其特性的影响。XRD和SEM测试表明,在经过合适条件退火的基片和CeO2缓冲层上,所生长的Tl-2212薄膜具有致密的晶体结构、优良的面内和面外取向。最佳样品的临界转变温度(Tc)和临界电流密度为(Jc)可以分别达到107.5 K和4.24 MA/cm2(77 K,0 T)。实验结果表明,采用该工艺所制备的不同厚度Tl-2212超导薄膜的主要指标能满足开发多种超导器件的要求。 展开更多
关键词 Tl-2212超导薄膜 YSZ CeO2缓冲层
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反应溅射法在蓝宝石衬底上制备CeO_2缓冲层 认领 引用 被引量：1
10
作者 雷跃刚 王霈文 +1 位作者 李弢 古宏伟 《稀有金属》 CAS 北大核心 2007年第6期750-754,共5页
用金属铈作为靶材,采用射频反应磁控溅射法在(1 102)蓝宝石衬底上制备C轴取向CeO2外延薄膜缓冲层。结果表明在温度低于450℃或溅射功率低于50 W的条件下CeO2薄膜呈(111)取向生长;升高温度和功率CeO2薄膜的(111)取向减弱,(002)取向增强;... 用金属铈作为靶材,采用射频反应磁控溅射法在(1 102)蓝宝石衬底上制备C轴取向CeO2外延薄膜缓冲层。结果表明在温度低于450℃或溅射功率低于50 W的条件下CeO2薄膜呈(111)取向生长;升高温度和功率CeO2薄膜的(111)取向减弱,(002)取向增强;在温度高于750℃或溅射功率高于120 W条件下CeO2薄膜呈(111)取向和(002)取向混合生长。结合X射线衍射仪和原子力显微镜表征CeO2薄膜的结构和表面形貌,获得在最优化条件下(衬底温度在680℃左右,溅射功率在80 W左右,溅射气压在25 Pa,氩氧比在15∶1)制备的CeO2薄膜具有优良的面内面外取向和平整的表面。 展开更多
关键词 反应溅射 CeO2缓冲层 蓝宝石 外延生长
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反应溅射法沉积氧化铈过渡层研究 认领 引用
11
作者 吴健 陈寅 +3 位作者 崔旭梅 姬洪 陶伯万 李言荣 《微纳电子技术》 CAS 2006年第8期382-385,共4页
采用直流磁控反应溅射法在双轴织构的镍钨合金(Ni-5%W)基带上生长CeO2过渡层。研究了沉积温度、退火时间、水分压等工艺参数对CeO2薄膜取向的影响,并获得了生长高度双轴织构薄膜的优化工艺条件。X射线面内(Φ)扫描揭示了“[100]CeO2∥[1... 采用直流磁控反应溅射法在双轴织构的镍钨合金(Ni-5%W)基带上生长CeO2过渡层。研究了沉积温度、退火时间、水分压等工艺参数对CeO2薄膜取向的影响,并获得了生长高度双轴织构薄膜的优化工艺条件。X射线面内(Φ)扫描揭示了“[100]CeO2∥[110]Ni-W”的单一外延取向关系,原子力显微镜观察到薄膜在退火处理后表面更加平整、致密。 展开更多
关键词 双轴织构 氧化铈 反应溅射 过渡层
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高分子辅助化学溶液沉积制备涂层导体CeO_2缓冲层 认领 引用
12
作者 李果 蒲明华 +8 位作者 孙瑞萍 王文涛 张欣 武伟 雷鸣 张红 杨烨 程翠华 赵勇 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS 北大核心 2009年第A1期411-414,共4页
分别采用两种高分子辅助化学溶液沉积方法,在双轴织构的NiW(200)合金基底上制备了涂层导体CeO2缓冲层。结果表明,制得的CeO2缓冲层双轴织构良好,表面无裂纹。比较两种不同的高分子辅助方法,利用聚甲基丙烯酸辅助制得的CeO2表面平整,均... 分别采用两种高分子辅助化学溶液沉积方法,在双轴织构的NiW(200)合金基底上制备了涂层导体CeO2缓冲层。结果表明,制得的CeO2缓冲层双轴织构良好,表面无裂纹。比较两种不同的高分子辅助方法,利用聚甲基丙烯酸辅助制得的CeO2表面平整,均方根粗糙度在1μm×1μm的范围内仅为2nm,粗糙度远小于利用聚乙烯醇辅助沉积而得的CeO2缓冲层。 展开更多
关键词 CeO2缓冲层 高分子辅助 化学溶液沉积
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在蓝宝石上生长CeO_2缓冲层的原位双温工艺法及Tl-2212薄膜的技术改进 认领 引用 被引量：4
13
作者 谢清连 王争 +6 位作者 黄国华 王向红 游峰 季鲁 赵新杰 方兰 阎少林 《物理学报》 SCIE CAS 北大核心 2009年第11期7958-7965,共8页
报道了在蓝宝石衬底上制备CeO2缓冲层的原位双温工艺法及其对Tl2Ba2CaCu2O8(Tl-2212)薄膜超导特性的影响.XPS和AFM测试结果表明,采用原位双温工艺法制备缓冲层,具有工艺简单,薄膜表面光滑,衬底材料原子扩散量少等特点.在先驱膜的高温后... 报道了在蓝宝石衬底上制备CeO2缓冲层的原位双温工艺法及其对Tl2Ba2CaCu2O8(Tl-2212)薄膜超导特性的影响.XPS和AFM测试结果表明,采用原位双温工艺法制备缓冲层,具有工艺简单,薄膜表面光滑,衬底材料原子扩散量少等特点.在先驱膜的高温后退火过程中,40nm厚的CeO2薄膜就能有效地阻挡衬底材料对超导薄膜底层的扩散.随后制备厚度为530nm的Tl-2212超导薄膜具有优越的电学性能,其临界温度达到108.2K,临界电流密度达到6.58MA/cm2(77K,0T),微波表面电阻只有185μΩ(77K,10GHz),超导薄膜的主要特性参数得到显著提高. 展开更多
关键词 Tl-2212超导薄膜 蓝宝石 氧化铈缓冲层 原位双温工艺法
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蓝宝石基片上制备大面积Tl_2Ba_2CaCu_2O_8超导薄膜 认领 引用 被引量：2
14
作者 游峰 季鲁 +5 位作者 谢清连 王争 岳宏卫 赵新杰 方兰 阎少林 《物理学报》 SCIE CAS 北大核心 2010年第7期5035-5043,共9页
在2英寸双面蓝宝石基片上采用CeO2作为缓冲层制备了高质量Tl2Ba2CaCu2O8(Tl-2212)超导薄膜.以金属铈作为溅射靶材,采用射频磁控反应溅射法生长了c轴织构的CeO2缓冲薄膜,并研究了不同生长条件对于CeO2缓冲层的晶体结构及表面形貌的影响.... 在2英寸双面蓝宝石基片上采用CeO2作为缓冲层制备了高质量Tl2Ba2CaCu2O8(Tl-2212)超导薄膜.以金属铈作为溅射靶材,采用射频磁控反应溅射法生长了c轴织构的CeO2缓冲薄膜,并研究了不同生长条件对于CeO2缓冲层的晶体结构及表面形貌的影响.超导薄膜采用直流磁控溅射和后热处理的方法制备.扫描电子显微镜(SEM)图像显示,超导薄膜具有致密的晶体结构和均匀平坦的表面形貌.X射线衍射(XRD)结果表明,超导薄膜为纯的Tl-2212相,具有c轴垂直于基片表面的织构并外延生长在CeO2缓冲层上.电磁测试结果显示了薄膜的超导电性具有高度的面内均匀性和两面一致性,临界转变温度Tc为105K左右,临界电流密度Jc(77K,0T)分别为1.2±0.1MA/cm2和(1.25±0.1)MA/cm2,微波表面电阻Rs(77K,10GHz)为390μΩ. 展开更多
关键词 Tl-2212超导薄膜 CeO2缓冲层 蓝宝石基片
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