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- ADSP2106X扩展片外EDRAM的方法 认领 引用
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- 《计算机工程与设计》 北大核心 2008年第5期1172-1173,1206,共2页
- 在设计ADSP2106X的应用系统时,有时需要在其外部扩展大容量的存储器。EDRAM具有速度快、容量大的特点,因此可给ADSP2106X扩展片外EDRAM以满足应用需要。在对ADSP2106X片外存储结构、扩展外部存储器所用信号及连接方法、等待模式和EDRAM... 展开更多
- 关键词 数字信号处理器 存储器扩展 增强型动态随机读写存储器 现场可编程门阵列 刷新
- 片上eDRAM性能评价函数簇研究 认领 引用
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- 《微计算机信息》 北大核心 2008年第5期97-98,2,共2页
- 本论文针对基于eDRAM的SOC中存储系统的性能评估问题、设计问题和可复用的eDRAM的集成技术问题进行研究,提出了一种定量的存储系统性能评估的建模方法。建立基于eDRAM存储系统评价函数簇模型,包括L(访问延迟)函数,P(功耗)函数,A(面积)... 展开更多
- 关键词 嵌入式DRAM 评价 FPGA 函数簇
- eDRAM+CLU令TIGERSHARC威力倍增 认领 引用
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- 《今日电子》 2003年第7期78-78,共1页
- 关键词 eDRAM CLU 美国模拟器件公司 嵌入式处理器 TigerSHARC处理器
- 一种基于4T存储单元的低温存算一体电路 认领 引用
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- 《集成电路与嵌入式系统》 CSCD 2026年第5期20-29,共10页
- 采用4T GC-eDRAM存储单元设计了面向低温应用的可编程存算一体电路。首先提出了双字线读出结构,避免了存储单元的数据破坏问题;其次依据计算数据分布集中于零的特点,提出了强零编解码电路进一步降低电路的读出功耗;最后提出了可编程的... 展开更多
- 关键词 GC-eDRAM 低温存算 双字线 强零编解码电路 存算一体电路
- 基于3T0C阵列和级联电流镜的高线性度存内计算方案设计 认领 引用
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- 《微电子学与计算机》 2026年第6期81-90,共10页
- 存内计算(Compute in Memory,CIM)能够减少数据搬运,从而有效缓解冯·诺依曼架构中的“存储墙”瓶颈。其中,基于非晶氧化物半导体晶体管(Amorphous Oxide Semiconductor Field-effect Transistors,AOSFET)的嵌入式动态随机存取存储... 展开更多
- 关键词 存内计算 3T0C eDRAM 级联电流镜 线性度
- 采用TigerSHARC DSP开发实时信号处理平台 认领 引用 被引量：2
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- 《世界电子元器件》 2005年第7期87-91,共5页
- TigerSHARC处理器TS201/2/3产品特性TS20X系列处理器的基本特性包括:600MHz主频下每次可进行48亿次16bit定点全累加操作,或者每秒可进行12亿次32bit浮点全累加操作.在25mm×25mm的封装内通过先进的eDRAM技术提供了4/12/24Mbit的弹... 展开更多
- 关键词 TigerSHARC处理器 实时信号处理 DSP 平台 开发 600MHz 25mm eDRAM I/O端口
- 新潮DRAM芯光灿烂 认领 引用
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- 《电脑硬件（现代电子技术）》 2000年第9期18-21,共4页
- 关键词 DRAM 动态读写存储器 CDRAM EDRAM RDRAM
- 任天堂Wii主机将采用MoSys和NEC内存技术 认领 引用
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- 《程序员（游戏创造）》 2006年第7期5-5,共1页
- “MoSys”和“NEC”电子公司于2006年6月19日证实，它们将分别向任天堂的“Wii”主机提供“IT—SRAM”和“eDRAM”内存技术。
- 关键词 内存技术 NEC 任天堂 主机 eDRAM 电子公司 SRAM
- LGA1150最后的绝唱——Broadwell-DT处理器技术解析与性能预览 认领 引用
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- 《微型计算机》 2015年第19期94-99,共6页
- 最近，英特尔终于发布了首款面向桌面市场的Broadwell架构产品，也就是Corei7—5775C、Corei7—5775R、Corei5—5675C等五款。和上代产品相比，全新产品最引人注目的就是采用14nm工艺、Iris Pro核芯显卡以及128MB eDRAM板载缓存。那么... 展开更多
- 关键词 处理器 新技术 性能 预览 解析 eDRAM Iris 产品
- 嵌入式存储器发展现状 认领 引用
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- 《中国集成电路》 2007年第10期83-86,共4页
- 文章中简要介绍了嵌入式存储器技术发展历程。
- 关键词 IP SOC 存储器 eDRAM OTP MTP 嵌入式闪存 1T-SRAM 2T-SRAM
- IBM制成32nm SOI嵌入式DRAM测试芯片 认领 引用
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- 《微型计算机》 2009年第30期13-13,共1页
- 由IBM一手打造32nm SOI嵌入式eDRAM存储芯片原型样品已经出炉了，这款产品自诞生之日起，就被IBM冠以了多个名号全世界体积最小、存储密度最大、速度最快的芯片内嵌动态存储设备。说到体积小，相比于芯片缓存中通常使用的SRAM，这个“... 展开更多
- 关键词 嵌入式DRAM 存储芯片 IBM SOI 测试 eDRAM 存储密度 存储设备
- 嵌入式DRAM的BIST测试方法的研究 认领 引用 被引量：3
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- 《中国测试技术》 2005年第1期69-71,共3页
- 通过对比分析了嵌入式DRAM的传统测试方法和内建自测试 (BIST)方法 ,提出了嵌入式DRAM的内建自测试 (BIST)方案 ,该方案具有测试生成快 ,节约测试成本等优点 ,对其它类型电路的测试也有很好的借鉴价值。
- 关键词 片上系统(SOC) 超大规模集成电路 嵌入式DRAM 内建自测试
- 嵌入式DRAM市场将增长快速 认领 引用
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- 《电子产品世界》 2004年第7B期44-44,共1页
- 据市场分析公司In-Stat／MDR的报告，虽然专用标准产品(ASSP)的应用不断增长，使嵌入式DRAM(embedded DRAM，eDRAM)的增长受到一定限制，但对于高性能基础设施应用，采用eDRAM仍是一种比较理想的方案。In-Stat／MDR公司认为，2008年全球... 展开更多
- 关键词 嵌入式DRAM 市场 eDRAM In-Stat/MDR公司
