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SiO_2/Si(111)表面Ge量子点的生长研究 认领 引用 被引量：3
1
作者 王科范 盛斌 +3 位作者 刘金锋 徐彭寿 潘海滨 韦世强 《真空科学与技术学报》 EI CAS 北大核心 2005年第5期358-361,366,共4页
Si衬底用化学方法清洗后,表面大约残余1.0 nm厚SiO2薄膜。利用原子力显微镜(AFM)和反射高能电子衍射(RHEED)来研究温度和Ge蒸发厚度对在SiO2薄膜表面生长的Ge量子点的影响。实验结果表明,当衬底温度超过500℃时,SiO2开始与Ge原子发生化... Si衬底用化学方法清洗后,表面大约残余1.0 nm厚SiO2薄膜。利用原子力显微镜(AFM)和反射高能电子衍射(RHEED)来研究温度和Ge蒸发厚度对在SiO2薄膜表面生长的Ge量子点的影响。实验结果表明,当衬底温度超过500℃时,SiO2开始与Ge原子发生化学反应,并形成与Si(111)表面直接外延的Ge量子点。在650℃时,只有Ge的厚度达到0.5nm时,Ge量子点才开始形成。 展开更多
关键词 Ge量子点 SiO2薄膜 Si(111) 原子力显微镜(AFM) 反射高能电子衍射(RHEED)
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SiO_2/Ge:SiO_2/SiO_2夹层结构红外光发射的起源 认领 引用 被引量：3
2
作者 沈今楷 吴兴龙 +3 位作者 袁仁宽 谭超 邓树胜 鲍希茂 《发光学报》 CAS 北大核心 2001年第4期339-342,共4页
我们借助傅立叶变换红外光谱（FT－IR）以及光致激发谱（PLE），研究了 SiO_2／Ge：SiO_2／SiO_2夹层结构红外光发射的起源。谱分析表明，该红外光发射并非起源于纳米锗、硅的量子限制效应以及锗、硅的中性氧空位，而与锗的氧化物紧密... 我们借助傅立叶变换红外光谱（FT－IR）以及光致激发谱（PLE），研究了 SiO_2／Ge：SiO_2／SiO_2夹层结构红外光发射的起源。谱分析表明，该红外光发射并非起源于纳米锗、硅的量子限制效应以及锗、硅的中性氧空位，而与锗的氧化物紧密相关。PLE的结果证实它们来源于GeO色心TⅡ’→S0的光学跃迁，给出的GeO电子态模型描述了载流子激发和复合的过程。 展开更多
关键词 光荧光 磁控溅射 红外光发射 GeO色心 SiO2/Ge:SiO2/SiO2夹层结构 二氧化硅 锗 混合物薄膜 氧化锗
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Ge(SiO_2)_n团簇结构和电子性质的密度泛函理论研究 认领 引用 被引量：2
3
作者 葛桂贤 井群 +3 位作者 闫红霞 杨增强 曹海宾 张建军 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2011年第4期667-675,共9页
采用密度泛函理论中的广义梯度近似(GGA)对Ge(SiO_2)_n(n=1～7)团簇的几何构型进行优化,并对能量、频率和电子性质进行了计算.结果表明,Ge(SiO_2)_n的最低能量结构是在(SiO_2)_n端位O原子以及近邻端住O原子的Si原子上吸附一个Ge原子优... 采用密度泛函理论中的广义梯度近似(GGA)对Ge(SiO_2)_n(n=1～7)团簇的几何构型进行优化,并对能量、频率和电子性质进行了计算.结果表明,Ge(SiO_2)_n的最低能量结构是在(SiO_2)_n端位O原子以及近邻端住O原子的Si原子上吸附一个Ge原子优化得到;随着锗原子数的增加,增加的锗原子易与原来的锗原子形成锗团簇.掺杂锗原子后团簇的能隙比(SiO_2)_n团簇的能隙小,当多个Ge原子掺杂到(SiO_2)_3团簇时,其能隙随着Ge原子个数的增加出现了振荡,Ge_m(SiO_2)_3的能隙从可见光区到近红外光区变化.二阶能量差分、分裂能表明Ge(SiO_2)_2和Ge(SiO_2)_5团簇是稳定的. 展开更多
关键词 (SiO2)n和Ge(SiO2)n团簇 几何结构 电子性质
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温度对SiO_2表面上磁控溅射制备Ge纳米点的生长模式和尺寸的影响 认领 引用 被引量：2
4
作者 夏中高 王茺 +2 位作者 鲁植全 李亮 杨宇 《人工晶体学报》 EI CAS 北大核心 2010年第4期961-965,共5页
采用磁控溅射技术在SiO2/Si(100)表面上制备了一系列不同生长温度的Ge纳米点样品。原子力显微镜(AFM)的实验结果表明:不同衬底温度下Ge纳米点在SiO2薄膜上的生长模式和尺寸分布有所不同。当衬底生长温度达到500℃时,SiO2开始与Ge原子发... 采用磁控溅射技术在SiO2/Si(100)表面上制备了一系列不同生长温度的Ge纳米点样品。原子力显微镜(AFM)的实验结果表明:不同衬底温度下Ge纳米点在SiO2薄膜上的生长模式和尺寸分布有所不同。当衬底生长温度达到500℃时,SiO2开始与Ge原子发生化学反应,并形成"Ge纳米点的Si窗口"。在此温度条件下,外延生长实验可获得尺寸均匀且密度高达3.2×1010cm-2的Ge纳米点。 展开更多
关键词 磁控溅射 Ge纳米点 SiO2薄膜
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新的溶胶-凝胶法制备Ge/SiO_2量子点玻璃 认领 引用 被引量：3
5
作者 杨合情 刘守信 +3 位作者 张邦劳 王喧 张良莹 姚熹 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS 北大核心 2001年第10期1707-1710,共4页
以 3-三氯锗丙酸和正硅酸乙酯为原料 ,通过水解、缩聚凝胶热处理及氢气反应 ,在 Si O2 凝胶玻璃中析出立方相 Ge纳米晶 ,当 x=30时 ,凝胶玻璃中除了析出立方相 Ge纳米晶外 ,还析出六方相 Ge O2 .利用XRD测试了 Ge纳米晶的大小 ,发现随... 以 3-三氯锗丙酸和正硅酸乙酯为原料 ,通过水解、缩聚凝胶热处理及氢气反应 ,在 Si O2 凝胶玻璃中析出立方相 Ge纳米晶 ,当 x=30时 ,凝胶玻璃中除了析出立方相 Ge纳米晶外 ,还析出六方相 Ge O2 .利用XRD测试了 Ge纳米晶的大小 ,发现随着掺杂量的增加 ,纳米颗粒粒径从 1 nm增大到 1 0 nm.电子衍射表明镶嵌在 Si O2 凝胶玻璃中的 展开更多
关键词 溶胶凝胶法 Ge纳米晶 SiO2玻璃 铈/二氧化硅纳米复合材料 量子点玻璃
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退火温度对镶嵌于SiO_2膜中的Ge纳米晶结构的影响 认领 引用 被引量：1
6
作者 张佳雯 高斐 +4 位作者 晏春愉 孙杰 权乃承 刘伟 方晓玲 《人工晶体学报》 EI CAS 北大核心 2009年第1期143-147,共5页
采用磁控溅射及退火的方法制备了含Ge纳米晶的SiO2复合膜,应用拉曼散射和X射线衍射技术研究不同退火温度下的Ge纳米晶结构。结果表明:Ge纳米晶的结晶温度约为750℃。运用声子限域模型(RWL model)对样品的拉曼散射光谱进行拟合,确定出样... 采用磁控溅射及退火的方法制备了含Ge纳米晶的SiO2复合膜,应用拉曼散射和X射线衍射技术研究不同退火温度下的Ge纳米晶结构。结果表明:Ge纳米晶的结晶温度约为750℃。运用声子限域模型(RWL model)对样品的拉曼散射光谱进行拟合,确定出样品中Ge纳米晶的尺寸。通过XRD谱计算复合膜的内部压应力,得出由其引起的拉曼峰位的蓝移量,得出结论:压应力是造成拉曼模拟曲线与实验曲线峰位偏离的主要原因。 展开更多
关键词 Ge纳米晶 磁控溅射 退火 SiO2膜 声子限域模型
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Ge,Al共掺SiO_2薄膜的发光性能研究 认领 引用 被引量：1
7
作者 陈虎 王加贤 张培 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第3期212-215,234,共4页
用射频磁控溅射法制备Ge,Al共掺SiO2复合薄膜并以不同温度进行退火,得到具有特定光致发光性质的复合材料。经600℃退火的薄膜样品在260 nm谱线激发下,主要有398和494 nm发光峰。通过对样品的X射线衍射谱和X射线光电子能谱的测试,确定了... 用射频磁控溅射法制备Ge,Al共掺SiO2复合薄膜并以不同温度进行退火,得到具有特定光致发光性质的复合材料。经600℃退火的薄膜样品在260 nm谱线激发下,主要有398和494 nm发光峰。通过对样品的X射线衍射谱和X射线光电子能谱的测试,确定了薄膜的结构特征,同时对观察到的光致发光从理论上做了重点分析,认为双重配位的Si孤对中心和GeO色心中的三重激发态到基态(T1→S0)之间的辐射跃迁分别是产生414和398 nm发光峰的主要原因。实验结果表明,Al的掺入可能在GeO2晶粒中引入了新缺陷能级,从而产生494 nm这一特殊的发光带,同时Al的掺入也提高了398 nm发光峰的发光效率。 展开更多
关键词 光致发光 Ge Al共掺SiO2复合薄膜 PL谱 缺陷中心 磁控溅射
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Ge-SiO_2薄膜的XPS研究 认领 引用 被引量：1
8
作者 叶春暖 汤乃云 +3 位作者 吴雪梅 诸葛兰剑 余跃辉 姚伟国 《微细加工技术》 EI 2002年第1期36-39,共4页
采用射频磁控溅射技术制备了Ge SiO2 薄膜 ,在N2 气氛下进行 30 0℃到 1 0 0 0℃的退火处理 30分钟 ,对样品进行XPS分析 ,研究了在不同退火温度下薄膜样品的成分与化学状态 ,为进一步探讨薄膜的光致发光机理提供了依据。结合XRD谱图分... 采用射频磁控溅射技术制备了Ge SiO2 薄膜 ,在N2 气氛下进行 30 0℃到 1 0 0 0℃的退火处理 30分钟 ,对样品进行XPS分析 ,研究了在不同退火温度下薄膜样品的成分与化学状态 ,为进一步探讨薄膜的光致发光机理提供了依据。结合XRD谱图分析结果可发现 ,退火处理对纳米晶粒的形成与长大起着关键作用。随着退火温度的升高 ,样品中的Si向高价态转化 ,Ge则向低价态转化 ;GeO含量在 80 0℃退火样品中为最大 ,高于 80 展开更多
关键词 Ge-SiO2薄膜 溅射 XPS谱 退火
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溶胶-凝胶法制备Ge/SiO_2微晶复合薄膜 认领 引用 被引量：3
9
作者 翟继卫 杨合情 +1 位作者 张良莹 姚熹 《材料科学与工程》 1999年第4期14-16,共3页
采用Sol－gel方法制备了GeO2－SiO2复合薄膜，并用H2／N2还原使得GeO2转变成Ge微晶而镶嵌在SiO2的玻璃网格中，其平均晶粒尺寸小于4nm 。随着热处理时间的增加，240nm 处吸收峰的强度随之增大，并且其吸收边产生红移，说明Ge
关键词 Ge微晶 SiO2玻璃 微晶复合薄膜 溶胶-凝胶法
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Density Functional Theory Study on the Structural and Electronic Properties of Ge(SiO_2)_n Clusters 认领 引用
10
作者 葛桂贤 闫红霞 +3 位作者 井群 周龙 曹海宾 张建军 《Chinese Journal of Structural Chemistry》 SCIE CAS CSCD 2011年第6期913-919,共7页
The geometry,stability,binding energy and electronic properties of（SiO2）n and Ge（SiO2）n clusters（n = 7） have been investigated by Density functional theory（DFT）.The results show that the lowest energy structur... The geometry,stability,binding energy and electronic properties of（SiO2）n and Ge（SiO2）n clusters（n = 7） have been investigated by Density functional theory（DFT）.The results show that the lowest energy structures of Ge（SiO2）n are obtained by adding one Ge on the end site of the O atom or the Si near end site of the O atom in（SiO2）n.The chemical activation of Ge-（SiO2）n is improved compared with（SiO2）n.The calculated second-order difference of energies and fragmentation energies show that the Ge（SiO2）n clusters with n = 2 or 5 are stable. 展开更多
关键词 （SiO2）n and Ge（SiO2）n clusters geometries electronic properties PACC：3640 3640B
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Au/Ge/SiO_2/p-Si结构中的电流输运特性 认领 引用
11
作者 陈彦 马书懿 《西北师范大学学报（自然科学版）》 CAS 2006年第6期44-47,共4页
用射频磁控溅射双靶交替淀积的方法在p-Si(100)衬底上制备了Ge/SiO2薄膜,利用Au/Ge/SiO2/p-Si结构的I-V特性曲线研究了该结构的电流输运机制.分析表明,在较低的正向偏压和反向偏压下,电流输运机制分别为Schottky发射和欧姆输运电流;而... 用射频磁控溅射双靶交替淀积的方法在p-Si(100)衬底上制备了Ge/SiO2薄膜,利用Au/Ge/SiO2/p-Si结构的I-V特性曲线研究了该结构的电流输运机制.分析表明,在较低的正向偏压和反向偏压下,电流输运机制分别为Schottky发射和欧姆输运电流;而在较高的正向偏压下,Frenkel-Poole发射和空间电荷限制电流两种机制共同作用. 展开更多
关键词 Ge/SiO2薄膜 射频磁控溅射 电流输运
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利用高压拉曼散射研究Ge/SiO_2/Si纳米系统的压力/张力(英文) 认领 引用
12
作者 L. Liu K.L. Teo Z. X. Shen 《光散射学报》 2005年第3期202-204,共3页
We report the pressure dependence of Ge nanocrystals embedded in SiO2 film matrix on Si substrate using Raman scattering and finite element analysis. Delamination of SiO2 film from the Si substrate occurs at ～23 kbar... We report the pressure dependence of Ge nanocrystals embedded in SiO2 film matrix on Si substrate using Raman scattering and finite element analysis. Delamination of SiO2 film from the Si substrate occurs at ～23 kbar due to the large difference between the compressibility of the SiO2 matrix and Si substrate. The observed effect can be understood by the nonhomogeneous distribution of the elastic field in the Ge/SiO2/Si nanosystem. Previous high pressure PL results on the Si/SiO2/Si nanosystem can also be explained by the nonuniform distribution of the elastic field. Although our investigation focuses on the Ge/SiO2/Si nanosystem, our results could provide generally understanding on the elastic properties of different multi-component nanosystems. 展开更多
关键词 高压拉曼散射 Ge/SiO2/Si 纳米系统 纳米晶体 二氧化硅薄膜 有限元分析
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Ge/SiO_2和Ge/ZnO/SiO_2薄膜的磁控溅射制备及电学性能 认领 引用 被引量：2
13
作者 余乐 刘劲松 +7 位作者 李子全 陈建康 何明霞 彭洁 曹安 刘建宁 蒋维娜 万龙 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2012年第4期103-105,共3页
采用射频磁控溅射方法以石英玻璃为衬底分别沉积制备出了Ge/SiO2和Ge/ZnO/SiO2薄膜。X射线衍射表明薄膜展示了明显的ZnO衍射峰和较弱的Ge衍射峰;傅里叶变换红外光谱曲线证明薄膜均具有各自的特征吸收峰;扫描电镜结果显示薄膜为颗粒状团... 采用射频磁控溅射方法以石英玻璃为衬底分别沉积制备出了Ge/SiO2和Ge/ZnO/SiO2薄膜。X射线衍射表明薄膜展示了明显的ZnO衍射峰和较弱的Ge衍射峰;傅里叶变换红外光谱曲线证明薄膜均具有各自的特征吸收峰;扫描电镜结果显示薄膜为颗粒状团簇结构,并且加入ZnO中间层可以有效的改善Ge层的质量。同时,对所得薄膜材料的电流-电压性能进行了研究,结果发现,Ge/SiO2薄膜的I-V曲线拟合后为斜线,相当于电阻;ZnO/SiO2薄膜为直线,可以认为是绝缘体;Ge/ZnO/SiO2薄膜在-10～10V之间电流电压呈线性关系,其电阻比Ge/SiO2薄膜小,当电压值超过15V之后,电流急剧增加而迅速使薄膜击穿,薄膜导通。 展开更多
关键词 射频磁控溅射 Ge/SiO2薄膜 Ge/ZnO/SiO2薄膜 电流-电压性能
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射频磁控溅射技术制备Ge-SiO_2薄膜的结构和光学特性研究 认领 引用 被引量：2
14
作者 栾彩霞 柴跃生 +2 位作者 孙钢 马志华 张敏刚 《太原科技大学学报》 2005年第2期136-139,共4页
用射频共溅射技术和后退火的方法,制备出埋入SiO2基质中的Ge纳米晶复合膜(ncGe/SiO2)。用XRD对薄膜的晶体结构进行了测试,未经退火的样品呈现非晶状态,600℃退火后的薄膜中开始有Ge纳米晶粒出现。研究了薄膜的Raman散射光谱,发现了其红... 用射频共溅射技术和后退火的方法,制备出埋入SiO2基质中的Ge纳米晶复合膜(ncGe/SiO2)。用XRD对薄膜的晶体结构进行了测试,未经退火的样品呈现非晶状态,600℃退火后的薄膜中开始有Ge纳米晶粒出现。研究了薄膜的Raman散射光谱,发现了其红移和宽化现象。测量了薄膜的光致发光谱,所有样品都在394nm处发出很强的光,随着Ge纳米晶粒的出现,样品有310nm和625nm处的光发出,其强度随晶粒平均尺寸的增大而增强。 展开更多
关键词 射频磁控溅射技术 SiO2薄膜 特性研究 制备 Raman散射光谱 光学 纳米晶粒 Ge纳米晶 光致发光谱 晶体结构 平均尺寸 退火 复合膜 XRD 样品 600
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Si含量对TiO_2/SiO_2复合气凝胶结构及光催化性能的影响 认领 引用 被引量：17
15
作者 刘朝辉 苏勋家 侯根良 《无机材料学报》 SCIE EI CAS 北大核心 2010年第9期911-915,共5页
采用溶胶-凝胶法制备了不同Si含量的TiO2/SiO2复合气凝胶.利用XRD、FTIR、XPS和BET等手段表征了复合气凝胶组织结构,以甲基橙溶液光催化降解实验评价其光催化活性,研究了Si含量对TiO2/SiO2复合气凝胶的结构及光催化性能影响规律.结果表... 采用溶胶-凝胶法制备了不同Si含量的TiO2/SiO2复合气凝胶.利用XRD、FTIR、XPS和BET等手段表征了复合气凝胶组织结构,以甲基橙溶液光催化降解实验评价其光催化活性,研究了Si含量对TiO2/SiO2复合气凝胶的结构及光催化性能影响规律.结果表明:TiO2/SiO2复合气凝胶中Ti-O-Ti、Si-O-Si和Ti-O-Si键相互交织,使复合气凝胶具有小晶粒尺寸、高比表面积和高热稳定性.随着Si含量增大,TiO2/SiO2复合气凝胶中TiO2晶粒尺寸减小,TiO2结晶度降低,比表面积增大,平均孔径减小,且TiO2/SiO2复合气凝胶对甲基橙溶液的光催化降解活性呈现先升后降的变化趋势.适当Si含量能显著改善TiO2/SiO2复合气凝胶的结构和光催化性能,Si含量最佳值在9wt%附近. 展开更多
关键词 TiO2/SiO2复合气凝胶 Si含量 组织结构 光催化性能
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Synthesis and photoluminescence properties of octahedral K_2(Ge,Si)F_6:Mn4+ red phosphor for white LED 认领 引用 被引量：12
16
作者 金玉明 刘荣辉 +4 位作者 陈观通 刘元红 马小乐 邵冷冷 王磊 《Journal of Rare Earths》 SCIE EI CAS CSCD 2016年第12期1173-1178,共6页
A novel red-emitting K2（Ge,Si）F6：Mn^4＋ phosphor with uniform morphology was synthesized by co-precipitation method. The pure K2GeF6 phase with P63 mc space group other than P3m1 space group was affirmed just by in... A novel red-emitting K2（Ge,Si）F6：Mn^4＋ phosphor with uniform morphology was synthesized by co-precipitation method. The pure K2GeF6 phase with P63 mc space group other than P3m1 space group was affirmed just by incorporation of Si in K2GeF6 at room temperature according to XRD characterization. SEM images showed lamellar and octahedron grain morphology for K2GeF6：Mn^4＋ and K2（Ge,Si）F6：Mn^4＋ phosphors, respectively. It was also found that the photoluminescence excitation（PLE） and photoluminescence（PL） showed slight displacement in K2GeF6：Mn^4＋ and K2（Ge,Si）F6：Mn^4＋ system. And the zero-phonon line（ZPL） of the PL spectrum of K2GeF6：Mn^4＋ with Si showed a strong peak. Meanwhile crystalline field surrounding Mn^4＋ changes could affect the decay time in this fluoride system. The color gamut of the LED devices based on K2（Ge,Si）F6：Mn^4＋ and K2GeF6：Mn^4＋ reached up to 94.58% NTSC（National Television Standards Committee） and 94.386% NTSC, respectively, that was much higher than that based on nitride red phosphors. All these original characteristics in K2（Ge,Si）F6：Mn^4＋ phosphor are desirable for potential applications as a red phosphor for improving lighting and display quality of conventional white LEDs. 展开更多
关键词 K2（Ge Si）F6：Mn4＋ fluoride PLE and PL decay time phosphors rare earths
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Sn合金化对Gd_5Si_2Ge_2磁致冷材料结构和性能的影响 认领 引用 被引量：6
17
作者 张铁邦 付浩 +2 位作者 陈云贵 涂铭旌 唐永柏 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS 北大核心 2005年第10期1528-1531,共4页
以商业纯Gd为原料,采用非自耗电弧炉氩气保护下熔炼了Gd5Si2Ge2-xSn(xx=0.2,0.5,1)和Gd5Si2-yGe2Sny(y=0.1,0.2,0.5)系列合金,研究Sn合金化对Gd5Si2Ge2晶体结构和磁热性能的影响。粉末XRD结果表明:Sn代Ge样品具有正交Gd5Si4型结构;Sn少... 以商业纯Gd为原料,采用非自耗电弧炉氩气保护下熔炼了Gd5Si2Ge2-xSn(xx=0.2,0.5,1)和Gd5Si2-yGe2Sny(y=0.1,0.2,0.5)系列合金,研究Sn合金化对Gd5Si2Ge2晶体结构和磁热性能的影响。粉末XRD结果表明:Sn代Ge样品具有正交Gd5Si4型结构;Sn少量代Si(y=0.1,0.2)的样品具有单斜Gd5Si2Ge2型结构;Gd5Si1.5Ge2Sn0.5则为单斜和正交的混合结构。用超导量子磁强计(SQUID)测定了样品的M-T和不同温度的M-H曲线,结果表明:Gd5Si2Ge2-xSnx(x=0.2,0.5,1)不具有巨磁热效应;Gd5Si1.9Ge2Sn0.1合金的最大磁熵变达15.3J/kg·K(0T^5T),具有巨磁热效应。 展开更多
关键词 Gd5Si2Ge2 磁热效应 磁致冷材料 晶体结构 磁熵变
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掺杂Si/SiO_2界面电子结构与光学性质的第一性原理研究 认领 引用 被引量：6
18
作者 顾芳 孙亚飞 +2 位作者 张加宏 何鹏翔 王丽阳 《原子与分子物理学报》 CAS 北大核心 2018年第5期853-860,共8页
采用基于密度泛函理论的第一性原理方法,在局域密度近似(LDA)下研究了B掺杂Si/SiO_2界面及其在压强作用下的电子结构和光学性质.能带的计算结果表明:掺杂前后Si/SiO_2界面均属于直隙半导体材料,但掺B后界面带隙由0. 74 eV减小为0. 57 eV... 采用基于密度泛函理论的第一性原理方法,在局域密度近似(LDA)下研究了B掺杂Si/SiO_2界面及其在压强作用下的电子结构和光学性质.能带的计算结果表明:掺杂前后Si/SiO_2界面均属于直隙半导体材料,但掺B后界面带隙由0. 74 eV减小为0. 57 eV,说明掺B使材料的金属性增强;对B掺杂Si/SiO_2界面施加正压强,发现随着压强不断增大,Si/SiO_2界面的带隙呈现了逐渐减小的趋势,并且由直隙逐渐转变为间隙.光学性质的计算结果表明:掺B对Si/SiO_2界面在低能区(即红外区)的介电函数虚部、吸收系数、折射率以及反射率等光学参数有显著影响,且在红外区出现新的吸收峰;对B掺杂Si/SiO_2界面施加正压强,随着压强增大,红外区的吸收峰逐渐消失,而在紫外区出现了吸收峰.上述结果表明,对Si/SiO_2界面掺B及施加正压强均可调控Si/SiO_2界面的电子结构与光学性质.本文的研究为基于Si/SiO_2界面的光电器件研究与设计提供一定的理论参考. 展开更多
关键词 Si/SiO2界面 第一性原理 电子结构 光学性质 掺杂 压强
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Al/Si比对SiO_2-Al_2O_3-MgO系玻璃结构和性能的影响 认领 引用 被引量：5
19
作者 叶时迁 何峰 +3 位作者 陈剑 杨虎 刘小青 谢峻林 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2017年第11期3913-3919,共7页
SiO_2-Al_2O_3-MgO系玻璃因具备强度大、弹性模量高等优异性能而用作高模量玻璃纤维的制备。采用熔融冷却法制备了不同Al/Si比的SiO_2-Al_2O_3-MgO系基础玻璃,并研究了玻璃的结构和性能。红外光谱分析表明,玻璃网络结构由铝氧四面体[AlO... SiO_2-Al_2O_3-MgO系玻璃因具备强度大、弹性模量高等优异性能而用作高模量玻璃纤维的制备。采用熔融冷却法制备了不同Al/Si比的SiO_2-Al_2O_3-MgO系基础玻璃,并研究了玻璃的结构和性能。红外光谱分析表明,玻璃网络结构由铝氧四面体[AlO_4]和硅氧四面体[SiO_4]相互连接而成。随着Al/Si比的增加,[AlO_4]含量保持不变,[AlO_6]含量逐渐增加。DSC分析表明,本系统玻璃的玻璃转变点T_g、成核温度T_x均随Al/Si比的增大而提高,玻璃的析晶倾向变强烈。热膨胀分析表明玻璃的热膨胀系数随Al/Si比的增大呈现先增大后减小的趋势。物理及机械性能测试结果如下:随Al/Si比的增大,密度、弹性模量均随之不断增大;而弯曲强度和维氏硬度则是持续降低。 展开更多
关键词 SiO2-Al2O3-MgO玻璃 玻璃结构 玻璃性能 Al/Si比
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非化学计量比Gd_5Si_2Ge_2合金的磁热性能研究 认领 引用 被引量：6
20
作者 付浩 滕保华 +3 位作者 唐永柏 陈云贵 唐定骧 涂铭旌 《功能材料》 EI CAS 北大核心 2003年第1期29-30,33,共2页
　在使用纯度为99.94%(质量分数)的国产稀土金属Gd的基础上,研究了非化学计量比的Gd5Si2Ge2合金的磁热效应。结果表明:适量的非化学计量比可以使合金保持一级磁相变的特征并表现出巨磁热效应,而且还使居里点有所提高。
关键词 非化学计量比 Gd5Si2Ge2合金 磁热性能 磁热效应 一级磁相变
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