期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
摘要
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
共找到1篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
已选0条
引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
NiO@SnO_2@Zn_2TiO_4@TiO_2同轴四层纳米电缆的制备、表征及形成机理研究 认领 引用 被引量：7
1
作者 宋超 董相廷 +1 位作者 王进贤 刘桂霞 《化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2011年第20期2471-2478,共8页
采用静电纺丝技术,通过改进实验装置,在最佳的纺丝条件下制备了[Ni(CH3COO)2+PVP]@[SnCl4+PVP]@[Zn(CH3COO)2+PVP]@[Ti(OC4H9)4+CH3COOH+PVP]前驱体复合电缆,将其进行热处理,制备出NiO@SnO2@Zn2TiO4@TiO2同轴四层纳米电缆.采用热重-差热... 采用静电纺丝技术,通过改进实验装置,在最佳的纺丝条件下制备了[Ni(CH3COO)2+PVP]@[SnCl4+PVP]@[Zn(CH3COO)2+PVP]@[Ti(OC4H9)4+CH3COOH+PVP]前驱体复合电缆,将其进行热处理,制备出NiO@SnO2@Zn2TiO4@TiO2同轴四层纳米电缆.采用热重-差热(TG-DTA)、X射线衍射(XRD)、傅立叶变换红外光谱(FTIR)、扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)等分析技术对样品进行了表征.结果表明,所得产物为同轴四层纳米电缆,芯层为NiO,直径为35～55 nm;第二层为SnO2,厚度为30～50 nm;第三层为Zn2TiO4,厚度为25～40 nm;壳层为TiO2,厚度为40～90 nm.对同轴四层纳米电缆的形成机理进行了探讨. 展开更多
关键词 NiO@SnO2@Zn2TiO4@TiO2 同轴四层纳米电缆 静电纺丝技术 形成机理
暂未订购 下载PDF
已选0条
引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
上一页 1 下一页 到第 页
在线咨询 使用帮助 返回顶部 意见反馈