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Local corrosion mechanism of SiO2-based refractories caused by slag movement near solid–liquid–gas interface in different slag systems 认领 引用 被引量：1
1
作者 Zhang-fu YUAN Shan-shan XIE +2 位作者 Xiang-tao YU Yan-gang ZHANG Rong-yue WANG 《Transactions of Nonferrous Metals Society of China》 SCIE EI CAS CSCD 2019年第9期1975-1982,共8页
Slag movement on SiO2-based prism refractories in different slag systems was observed. The cross section shape evolution mechanism was discussed. Two types of shape evolution appear. For PbO-SiO2 slag whose surface te... Slag movement on SiO2-based prism refractories in different slag systems was observed. The cross section shape evolution mechanism was discussed. Two types of shape evolution appear. For PbO-SiO2 slag whose surface tension improves with SiO2 concentration, slag film flows up along four edges under axial Marangoni shear force and wettability. Then, it flows down along four lateral faces under gravity. Corrosion rate at edges is larger than that on lateral faces due to different SiO2 solubilities of ascending and descending flow. Prism cross section shape changes from square to round. For FetO-SiO2 slag whose surface tension reduces with the increase of SiO2 concentration, slag film flows up under the inflence of wettability. Then, it flows down under Marangoni shear force and gravity. Compared to four edges, slag is mainly up and down on four lateral faces due to larger surface tension and size. So, prism cross section shape keeps square. 展开更多
关键词 Marangoni convection slag film local corrosion solid-liquid-gas interface SiO2-based refractories
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AFM and XPS Study on the Surface and Interface States of CuPc and SiO_2 Films 认领 引用
2
作者 陈金伙 王永顺 +2 位作者 朱海华 胡加兴 张福甲 《Journal of Semiconductors》 CAS 北大核心 2006年第8期1360-1366,共7页
A CuPc/SiO2 sample is fabricated. Its morphology is characterized by atomic force microscopy, and the electron states are investigated by X-ray photoelectron spectroscopy. In order to investigate these spectra in deta... A CuPc/SiO2 sample is fabricated. Its morphology is characterized by atomic force microscopy, and the electron states are investigated by X-ray photoelectron spectroscopy. In order to investigate these spectra in detail, all of these spectra are normalized to the height of the most intense peak,and each component is fitted with a single Gaussian function. Analysis shows that the O element has great bearing on the electron states and that SiO2 layers produced by spurting technology are better than those produced by oxidation technology. 展开更多
关键词 CuPc/SiO2 X-ray photoelectron spectroscopy surface and interface analysis
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Theoretical Studies on the Si(001)-SiO_2 Interface Structure 认领 引用 被引量：1
3
作者 ZHOU Ming-Xiu YANG Chun +2 位作者 DENG Xiao-Yan YU Wei-Fei LI Jin-Shan 《Chinese Journal of Structural Chemistry》 SCIE CAS 北大核心 2006年第6期647-652,共6页
Novel models （2× 1） of Si（001）-SiO2 interface structure have been established. The method of the first-principle General Gradient Approximation （GGA） is employed to structurally optimize the established the... Novel models （2× 1） of Si（001）-SiO2 interface structure have been established. The method of the first-principle General Gradient Approximation （GGA） is employed to structurally optimize the established theoretical models under the K-point space of periodic boundary condition. The structures after optimization have been analyzed, and the results show that the interfaces present in disordered state and both Si-O-Si and Si=O structures exist. Meanwhile, the bonding of surface structure is analyzed via the graphics of electron localization function（ELF）. 展开更多
关键词 Si/SiO2 DFT interface structure
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First-principles calculations of the hole-induced depassivation of SiO2/Si interface defects 认领 引用
4
作者 Zhuo-Cheng Hong Pei Yao +1 位作者 Yang Liu Xu Zuo 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2022年第5期575-581,共7页
The holes induced by ionizing radiation or carrier injection can depassivate saturated interface defects.The depassivation of these defects suggests that the deep levels associated with the defects are reactivated,aff... The holes induced by ionizing radiation or carrier injection can depassivate saturated interface defects.The depassivation of these defects suggests that the deep levels associated with the defects are reactivated,affecting the performance of devices.This work simulates the depassivation reactions between holes and passivated amorphous-SiO2/Si interface defects(HPb+h→Pb+H+).The climbing image nudged elastic band method is used to calculate the reaction curves and the barriers.In addition,the atomic charges of the initial and final structures are analyzed by the Bader charge method.It is shown that more than one hole is trapped by the defects,which is implied by the reduction in the total number of valence electrons on the active atoms.The results indicate that the depassivation of the defects by the holes actually occurs in three steps.In the first step,a hole is captured by the passivated defect,resulting in the stretching of the Si-H bond.In the second step,the defect captures one more hole,which may contribute to the breaking of the Si-H bond.The H atom is released as a proton and the Si atom is three-coordinated and positively charged.In the third step,an electron is captured by the Si atom,and the Si atom becomes neutral.In this step,a Pb-type defect is reactivated. 展开更多
关键词 a-SiO2/Si interface hole depassivation first-principles calculation
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Passivation and dissociation of Pb-type defects at a-SiO2/Si interface 认领 引用
5
作者 Xue-Hua Liu Wei-Feng Xie +1 位作者 Yang Liu Xu Zuo 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2021年第9期49-55,共7页
It is well known that in the process of thermal oxidation of silicon,there are Pb-type defects at amorphous silicon dioxide/silicon(a-SiO2/Si)interface due to strain.These defects have a very important impact on... It is well known that in the process of thermal oxidation of silicon,there are Pb-type defects at amorphous silicon dioxide/silicon(a-SiO2/Si)interface due to strain.These defects have a very important impact on the performance and reliability of semiconductor devices.In the process of passivation,hydrogen is usually used to inactivate Pb-type defects by the reaction Pb+H2→PbH+H.At the same time,PbH centers dissociate according to the chemical reaction PbH→Pb+H.Therefore,it is of great significance to study the balance of the passivation and dissociation.In this work,the reaction mechanisms of passivation and dissociation of the Pb-type defects are investigated by first-principles calculations.The reaction rates of the passivation and dissociation are calculated by the climbing image-nudged elastic band(CI-NEB)method and harmonic transition state theory(HTST).By coupling the rate equations of the passivation and dissociation reactions,the equilibrium density ratio of the saturated interfacial dangling bonds and interfacial defects(Pb,Pb0,and Pb1)at different temperatures is calculated. 展开更多
关键词 first-principles calculation a-SiO2/Si interface Pb-type defects equilibrium density
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Primary Mg2Si phase and Mg2Si/α-Mg interface modified by Sn and Sb elements in a Mg-5Sn-2Si-1.5Al-1Zn-0.8Sb alloy 认领 引用 被引量：2
6
作者 Wenpeng Yang Ying Wang +2 位作者 Hongbao Cui Guangxin Fan Xuefeng Guo 《Journal of Magnesium and Alloys》 SCIE EI CAS CSCD 2022年第11期3234-3249,共16页
The microstructure of primary Mg2Si and the interface of Mg2Si/α-Mg modified by Sn and Sb elements in an as-cast Mg-5Sn-2Si-1.5Al-1Zn-0.8Sb(wt.%) alloy were investigated.In the primary Mg2Si phase not only t... The microstructure of primary Mg2Si and the interface of Mg2Si/α-Mg modified by Sn and Sb elements in an as-cast Mg-5Sn-2Si-1.5Al-1Zn-0.8Sb(wt.%) alloy were investigated.In the primary Mg2Si phase not only the Si atoms but also the Mg atoms could be substituted by Sn and Sb atoms,resulting in the slightly reduced lattice constant a of 0.627 nm.An OR of Mg2Si phase and α-Mg in the form of[001]Mg2Si‖[01■1]α,(220)Mg2Si‖(0■12)αwas discovered.Between primary Mg2Si phase and α-Mg matrix two transitional nano-particle layers were formed.In the rim region of primary Mg2Si particle,Mg2Sn precipitates sizing from 5 nm to 50 nm were observed.Adjacent to the boundary of primary Mg2Si particle,luxuriant columnar crystals of primary Mg2Sn phase with width of about 25 nm and length of about100 nm were distributed on the α-Mg matrix.The lattice constant of the Mg2Sn precipitate in primary Mg2Si particle was about 0.756 nm.Three ORs between Mg2Sn and Mg2Si were found,in which the Mg2Sn precipitates had strong bonding interfaces with Mg2Si phase.Three new minor ORs between Mg2Sn phase and α-Mg were found.The lattice constant of primary Mg2Sn phase was enlarged to 0.813 nm owing to the solution of Sn and Sb atoms.Primary Mg2Sn had edge-to-edge interfaces with α-Mg.Therefore,the primary Mg2Si particle and α-Mg were united and the interfacial adhesion was improved by the two nano-particles layers of Mg2Sn phase. 展开更多
关键词 Mg2Si Mg2Sn Modification Interface HRTEM
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Novel SiO2 nanoparticle-decorated BiOCl nanosheets exhibiting high photocatalytic performances for the removal of organic pollutants 认领 引用 被引量：21
7
作者 Changlin Yu Hongbo He +2 位作者 Xingqiang Liu Julan Zeng Zhen Liu 《Chinese Journal of Catalysis》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2019年第8期1212-1221,共10页
Novel SiO2/BiOCl composites were fabricated by decorating BiOCl nanosheets with SiO2 nanoparticles via a simple hydrothermal process. The as-prepared pure BiOCl and SiO2/BiOCl composites were intensively characterized... Novel SiO2/BiOCl composites were fabricated by decorating BiOCl nanosheets with SiO2 nanoparticles via a simple hydrothermal process. The as-prepared pure BiOCl and SiO2/BiOCl composites were intensively characterized by various techniques such as XRD, FT-IR, SEM/TEM, BET, UV-vis, DRS, XPS, and photocurrent measurements. The SiO2/BiOCl composite nanosheets displayed high photocatalytic activity and excellent stability in the degradation of organic pollutants such as phenol, bisphenol A (BPA), and rhodamine B (RhB). With respect to those over bare BiOCl, the degradation rates of RhB, BPA, and phenol over 1.88% SiO2/BiOCl increased 16.5%, 29.0%, and 38.7%, respectively. Radical capturing results suggested that h^+ is the major reactive species and that hydroxyl (·OH) and superoxide (·O2^-) radicals could also be involved in the degradation of organic pollutants. The enhanced photocatalytic performances of SiO2/BiOCl composites can be mainly attributed to the improved texture and the formation of intimate SiO2/BiOCl interfaces, which largely promoted the adsorption of organic pollutants, enhanced the light harvesting, and accelerated the separation of e^– and h^+. 展开更多
关键词 SiO2/BiOCl Nanosheets Organic pollutant Photocatalysis Interface
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Microstructure and fracture behavior of SiO_2 glass ceramic and TC4 alloy joint brazed with TiZrNiCu alloy 认领 引用 被引量：7
8
作者 刘多 张丽霞 +2 位作者 冯吉才 刘洪斌 何鹏 《Journal of Central South University》 SCIE EI CAS 2009年第5期713-718,共6页
Vacuum brazing of SiO2 glass ceramic and TC4 alloy using a commercially available TiZrNiCu foil was investigated. The interfacial microstructure and the fractures were examined with an optical microscope （OM） and an... Vacuum brazing of SiO2 glass ceramic and TC4 alloy using a commercially available TiZrNiCu foil was investigated. The interfacial microstructure and the fractures were examined with an optical microscope （OM） and an S-4700 scanning electron microscope （SEM） equipped with an energy dispersive spectrometer （EDS） and an electron probe X-ray microanalyzer （EPMA）. The structure of joint interface was identified by XRD （JDX-3530M）. Meanwhile, the fracture paths of the joints were comprehensively studied. The results show that processing parameters, especially the brazing temperature, have a significant effect on the microstructure and mechanical properties of joints. The typical interface structure is SiO2/Ti2O＋Zr3Si2＋Ti5Si3/（Ti,Zr）＋Ti2O＋ TiZrNiCu/Ti（s.s）/TiZrNiCu＋Ti（s.s）＋Ti2（Cu,Ni）/TC4 from SiO2 glass ceramic to TC4 alloy side. Based on the mechanical property tests, the joints brazed at 880 ℃ for 5 rain has the maximum shear strength of 23 MPa. 展开更多
关键词 SiO2 glass ceramic TC4 alloy brazing joints interface microstructure mechanical properties
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Si含量对TiO_2/SiO_2复合气凝胶结构及光催化性能的影响 认领 引用 被引量：17
9
作者 刘朝辉 苏勋家 侯根良 《无机材料学报》 SCIE EI CAS 北大核心 2010年第9期911-915,共5页
采用溶胶-凝胶法制备了不同Si含量的TiO2/SiO2复合气凝胶.利用XRD、FTIR、XPS和BET等手段表征了复合气凝胶组织结构,以甲基橙溶液光催化降解实验评价其光催化活性,研究了Si含量对TiO2/SiO2复合气凝胶的结构及光催化性能影响规律.结果表... 采用溶胶-凝胶法制备了不同Si含量的TiO2/SiO2复合气凝胶.利用XRD、FTIR、XPS和BET等手段表征了复合气凝胶组织结构,以甲基橙溶液光催化降解实验评价其光催化活性,研究了Si含量对TiO2/SiO2复合气凝胶的结构及光催化性能影响规律.结果表明:TiO2/SiO2复合气凝胶中Ti-O-Ti、Si-O-Si和Ti-O-Si键相互交织,使复合气凝胶具有小晶粒尺寸、高比表面积和高热稳定性.随着Si含量增大,TiO2/SiO2复合气凝胶中TiO2晶粒尺寸减小,TiO2结晶度降低,比表面积增大,平均孔径减小,且TiO2/SiO2复合气凝胶对甲基橙溶液的光催化降解活性呈现先升后降的变化趋势.适当Si含量能显著改善TiO2/SiO2复合气凝胶的结构和光催化性能,Si含量最佳值在9wt%附近. 展开更多
关键词 TiO2/SiO2复合气凝胶 Si含量 组织结构 光催化性能
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掺杂Si/SiO_2界面电子结构与光学性质的第一性原理研究 认领 引用 被引量：6
10
作者 顾芳 孙亚飞 +2 位作者 张加宏 何鹏翔 王丽阳 《原子与分子物理学报》 CAS 北大核心 2018年第5期853-860,共8页
采用基于密度泛函理论的第一性原理方法,在局域密度近似(LDA)下研究了B掺杂Si/SiO_2界面及其在压强作用下的电子结构和光学性质.能带的计算结果表明:掺杂前后Si/SiO_2界面均属于直隙半导体材料,但掺B后界面带隙由0. 74 eV减小为0. 57 eV... 采用基于密度泛函理论的第一性原理方法,在局域密度近似(LDA)下研究了B掺杂Si/SiO_2界面及其在压强作用下的电子结构和光学性质.能带的计算结果表明:掺杂前后Si/SiO_2界面均属于直隙半导体材料,但掺B后界面带隙由0. 74 eV减小为0. 57 eV,说明掺B使材料的金属性增强;对B掺杂Si/SiO_2界面施加正压强,发现随着压强不断增大,Si/SiO_2界面的带隙呈现了逐渐减小的趋势,并且由直隙逐渐转变为间隙.光学性质的计算结果表明:掺B对Si/SiO_2界面在低能区(即红外区)的介电函数虚部、吸收系数、折射率以及反射率等光学参数有显著影响,且在红外区出现新的吸收峰;对B掺杂Si/SiO_2界面施加正压强,随着压强增大,红外区的吸收峰逐渐消失,而在紫外区出现了吸收峰.上述结果表明,对Si/SiO_2界面掺B及施加正压强均可调控Si/SiO_2界面的电子结构与光学性质.本文的研究为基于Si/SiO_2界面的光电器件研究与设计提供一定的理论参考. 展开更多
关键词 Si/SiO2界面 第一性原理 电子结构 光学性质 掺杂 压强
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Al/Si比对SiO_2-Al_2O_3-MgO系玻璃结构和性能的影响 认领 引用 被引量：5
11
作者 叶时迁 何峰 +3 位作者 陈剑 杨虎 刘小青 谢峻林 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2017年第11期3913-3919,共7页
SiO_2-Al_2O_3-MgO系玻璃因具备强度大、弹性模量高等优异性能而用作高模量玻璃纤维的制备。采用熔融冷却法制备了不同Al/Si比的SiO_2-Al_2O_3-MgO系基础玻璃,并研究了玻璃的结构和性能。红外光谱分析表明,玻璃网络结构由铝氧四面体[AlO... SiO_2-Al_2O_3-MgO系玻璃因具备强度大、弹性模量高等优异性能而用作高模量玻璃纤维的制备。采用熔融冷却法制备了不同Al/Si比的SiO_2-Al_2O_3-MgO系基础玻璃,并研究了玻璃的结构和性能。红外光谱分析表明,玻璃网络结构由铝氧四面体[AlO_4]和硅氧四面体[SiO_4]相互连接而成。随着Al/Si比的增加,[AlO_4]含量保持不变,[AlO_6]含量逐渐增加。DSC分析表明,本系统玻璃的玻璃转变点T_g、成核温度T_x均随Al/Si比的增大而提高,玻璃的析晶倾向变强烈。热膨胀分析表明玻璃的热膨胀系数随Al/Si比的增大呈现先增大后减小的趋势。物理及机械性能测试结果如下:随Al/Si比的增大,密度、弹性模量均随之不断增大;而弯曲强度和维氏硬度则是持续降低。 展开更多
关键词 SiO2-Al2O3-MgO玻璃 玻璃结构 玻璃性能 Al/Si比
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SiO_2/(Si_3N_4+BN)透波材料表面涂层的防潮性能和透波性能研究 认领 引用 被引量：11
12
作者 李俊生 张长瑞 +2 位作者 王思青 曹峰 王衍飞 《涂料工业》 CAS 2007年第1期5-7,10,共3页
SiO2／（Si3N4＋BN）复合材料是近几年发展起来的综合性能优良的适用于高马赫数的导弹天线罩材料。本文分析了SiO2／（Si3N4＋BN）复合材料的吸潮机理。采用有机硅树脂在SiO2／（Si3N4＋BN）复合材料表面制备了防潮涂层，取得较好的防... SiO2／（Si3N4＋BN）复合材料是近几年发展起来的综合性能优良的适用于高马赫数的导弹天线罩材料。本文分析了SiO2／（Si3N4＋BN）复合材料的吸潮机理。采用有机硅树脂在SiO2／（Si3N4＋BN）复合材料表面制备了防潮涂层，取得较好的防潮效果。涂装后SiO2／（Si3N4＋BN）复合材料在40℃、90％的高温高湿条件下放置15d的吸水率约0．30％；在大气环境下（温度27-30℃，湿度45-60％）的吸水率小于0．01％。涂层对SiO2／（Si3N4＋BN）复合材料的透波率影响较小，涂装后材料的透波率仍然能保持在85％以上。 展开更多
关键词 SiO2/(Si3N4+BN) 透波率 防潮涂层 吸水率
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SiO_2/Si波导应力双折射数值分析 认领 引用 被引量：3
13
作者 安俊明 班士良 +6 位作者 梁希侠 李健 郜定山 夏君磊 李健光 王红杰 胡雄伟 《Journal of Semiconductors》 CAS 北大核心 2005年第7期1454-1458,共5页
采用有限元法对SiO2/Si掩埋光波导制备工艺中的应力变化进行了系统的分析,在此基础上,应用有限差分束传播法(FDBPM)对应力光波导的双折射进行了计算.结果表明上包层的玻璃化过程是SiO2/Si波导形成水平方向和垂直方向应力差的主要原因,... 采用有限元法对SiO2/Si掩埋光波导制备工艺中的应力变化进行了系统的分析,在此基础上,应用有限差分束传播法(FDBPM)对应力光波导的双折射进行了计算.结果表明上包层的玻璃化过程是SiO2/Si波导形成水平方向和垂直方向应力差的主要原因,相应的应力双折射系数B在10-4量级.进一步的分析表明上包层B,P重掺杂可明显减小波导的双折射系数. 展开更多
关键词 SiO2/Si 波导 应力 双折射 数值分析
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Mg-SiO_2体系制备Mg_2Si/AZ91D复合材料的研究 认领 引用 被引量：3
14
作者 王军 陈刚 +4 位作者 赵玉涛 徐萌 张道理 黄康 彭蕾 《中国稀土学报》 CAS 北大核心 2010年第2期207-211,共5页
采用原位合成技术制备了Mg2Si/AZ91D复合材料,并通过光学显微镜（OM）、扫描电镜（SEM）、能谱仪（EDS）和X射线衍射仪（XRD）等对添加碱土、稀土元素的影响进行了研究。结果表明：AZ91D镁合金中加入SiO2（其中Si占合金质量的3%）后,出... 采用原位合成技术制备了Mg2Si/AZ91D复合材料,并通过光学显微镜（OM）、扫描电镜（SEM）、能谱仪（EDS）和X射线衍射仪（XRD）等对添加碱土、稀土元素的影响进行了研究。结果表明：AZ91D镁合金中加入SiO2（其中Si占合金质量的3%）后,出现多边形状或树枝晶状的初生Mg2Si相,以及汉字状的共晶Mg2Si相,树枝晶状Mg2Si的平均尺寸约25~50μm,汉字状Mg2Si的平均尺寸约12~15μm;Mg2Si对镁合金中的β-Mg17Al12相有细化作用。添加Ca,Sr,Y对Mg2Si形貌、尺寸有明显的改善,当添加0.9%Ca,0.1%Sr,0.5%RE（80%Y）变质处理后,Mg2Si形貌全部变为多边形状,平均尺寸约0.8~5μm。 展开更多
关键词 Mg2Si 原位自生 AZ91D SiO2 复合材料 稀土
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第一性原理研究厚度和空位缺陷对Si/SiO_2界面电子结构与光学性质的影响 认领 引用 被引量：3
15
作者 顾芳 陈云云 +2 位作者 张仙岭 李敏 张加宏 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2014年第6期993-999,共7页
采用基于密度泛函理论的平面波超软赝势方法,在局域密度近似(LDA)下研究了Si纳米层厚度和O空位缺陷对Si/Si O2界面电子结构及光学性质的影响.电子结构计算结果表明:在0.815~2.580nm的Si层厚度范围内,Si/Si O2界面结构的能隙随着厚度减... 采用基于密度泛函理论的平面波超软赝势方法,在局域密度近似(LDA)下研究了Si纳米层厚度和O空位缺陷对Si/Si O2界面电子结构及光学性质的影响.电子结构计算结果表明:在0.815~2.580nm的Si层厚度范围内,Si/Si O2界面结构的能隙随着厚度减小而逐渐增大,表现出明显的量子尺寸效应,这与实验以及其他理论计算结果一致;三种不同的O空位缺陷的存在均使得Si/Si O2界面能隙中出现了缺陷态,费米能级向高能量方向移动,且带隙有微弱增加.光学性质计算结果表明:随着Si纳米层厚度的减小,Si/Si O2界面吸收系数产生了蓝移;O空位缺陷引入后,界面光学性质的变化主要集中在低能区,即低能区的吸收系数和光电导率显著增加.可见,改变厚度和引入缺陷能够有效地调控Si/Si O2界面体系的电子和光学性质,上述研究结果为Si/Si O2界面材料的设计与应用提供了一定的理论依据. 展开更多
关键词 Si/SiO2界面 第一性原理 空位缺陷 电子结构 光学性质
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SiO_2/Si衬底制备ZnO薄膜及表征 认领 引用 被引量：3
16
作者 曹亮亮 叶志镇 +4 位作者 张阳 朱丽萍 张银珠 徐伟中 赵炳辉 《真空科学与技术学报》 EI CAS 北大核心 2005年第3期164-167,共4页
本文报道了利用脉冲激光沉积技术在热氧化p型硅衬底上生长ZnO外延薄膜。引入高阻非晶SiO2缓冲层,有效地降低了检测过程中单晶衬底对ZnO薄膜的电学性能影响。利用XRD,SEM,Hall和PL对其进行研究。结果表明,在衬底温度为500℃时,生长的ZnO... 本文报道了利用脉冲激光沉积技术在热氧化p型硅衬底上生长ZnO外延薄膜。引入高阻非晶SiO2缓冲层,有效地降低了检测过程中单晶衬底对ZnO薄膜的电学性能影响。利用XRD,SEM,Hall和PL对其进行研究。结果表明,在衬底温度为500℃时,生长的ZnO薄膜具有优良的晶体质量,电学性能和发光性能。 展开更多
关键词 ZnO薄膜 SiO2/Si 脉冲激光沉积 光致发光
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Si/SiNx/SiO2多层膜的光致发光 认领 引用 被引量：4
17
作者 陈青云 段满益 +6 位作者 周海平 董成军 魏屹 纪红萱 黄劲松 陈卫东 徐明 《发光学报》 CAS 北大核心 2008年第2期363-370,共8页
采用射频磁控溅射法,制备了具有强光致可见发光的纳米Si/SiNx/SiO2多层膜,利用傅立叶红外吸收(FTIR)谱,光致发光(PL)谱对其进行了研究。用260nm光激发得到的PL谱中观察到高强度的392nm(3.2eV)和670nm(1.9eV)光致发光峰,分析认为它们分... 采用射频磁控溅射法,制备了具有强光致可见发光的纳米Si/SiNx/SiO2多层膜,利用傅立叶红外吸收(FTIR)谱,光致发光(PL)谱对其进行了研究。用260nm光激发得到的PL谱中观察到高强度的392nm(3.2eV)和670nm(1.9eV)光致发光峰,分析认为它们分别来自于缺陷态≡Si-到价带顶和从导带底到缺陷态≡Si-的辐射跃迁而产生的光致激发辐射复合发光。PL谱中只有370nm(3.4eV)处发光峰的峰位会受退火温度的影响,结合FTIR谱认为370nm发光与低价氧化物—SiOx(x<2.0)结合体有密不可分的关系。当SiO2层的厚度增大时,发光强度有所增强,800℃退火后出现最强发光,认为具有较大SiO2层厚度的Si/SiNx/SiO2结构多层膜更有利于退火后形成Si—N网络,能够得到更高效的光致发光。用量子限制-发光中心(QCLC)模型解释了可能的发光机制,并建立了发光的能隙态(EGS)模型。 展开更多
关键词 Si/SiNx/SiO2多层膜 红外吸收 光致发光
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SiO_2/SiC界面对4H-SiC n-MOSFET反型沟道电子迁移率的影响 认领 引用 被引量：4
18
作者 徐静平 吴海平 +1 位作者 黎沛涛 韩弼 《Journal of Semiconductors》 CAS 北大核心 2004年第2期200-205,共6页
提出了一种基于器件物理的 4 H- Si C n- MOSFET反型沟道电子迁移率模型 .该模型包括了界面态、晶格、杂质以及表面粗糙等散射机制的影响 ,其中界面态散射机制考虑了载流子的屏蔽效应 .利用此模型 ,研究了界面态、表面粗糙度等因素对迁... 提出了一种基于器件物理的 4 H- Si C n- MOSFET反型沟道电子迁移率模型 .该模型包括了界面态、晶格、杂质以及表面粗糙等散射机制的影响 ,其中界面态散射机制考虑了载流子的屏蔽效应 .利用此模型 ,研究了界面态、表面粗糙度等因素对迁移率的影响 ,模拟结果表明界面态和表面粗糙度是影响沟道电子迁移率的主要因素 .其中 ,界面态密度决定了沟道电子迁移率的最大值 ,而表面粗糙散射则制约着高场下的电子迁移率 .该模型能较好地应用于器件模拟 . 展开更多
关键词 SiC n—M0sFET SiO2/SiC界面 迁移率
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Si/莫来石/Er_2SiO_5环境障涂层的高温氧化行为 认领 引用 被引量：4
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作者 范金娟 常振东 +1 位作者 陶春虎 王富耻 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第6期1553-1559,共7页
采用化学气相沉积与等离子喷涂相结合的方法在SiC/SiC复合材料基体上制备了Si/莫来石/Er2Si O5环境障涂层。采用扫描电镜(SEM)、能谱分析仪(EDS)与X射线衍射仪(XRD)分析其结构变化,通过氧化试验研究涂层在1350℃与1500℃下的高温氧化行... 采用化学气相沉积与等离子喷涂相结合的方法在SiC/SiC复合材料基体上制备了Si/莫来石/Er2Si O5环境障涂层。采用扫描电镜(SEM)、能谱分析仪(EDS)与X射线衍射仪(XRD)分析其结构变化,通过氧化试验研究涂层在1350℃与1500℃下的高温氧化行为。结果表明:Si/莫来石/Er2Si O5环境障涂层可在1350℃长时间使用,在1500℃短时间使用。涂层在不同高温下的氧化失效机理不同。1350℃时,涂层氧化失效主要是由于涂层材料与基体材料热膨胀不匹配使涂层中产生了垂直于表面的裂纹,裂纹成为元素扩散通道,加速环境中O元素扩散至粘结层与基体并将其氧化,降低了涂层与基体之间的粘结强度,从而导致涂层脱落。1500℃时,涂层氧化失效主要是元素快速扩散、反应生成大量的气泡状玻璃态物质所致。 展开更多
关键词 Si/莫来石/Er2SiO5环境障涂层 高温氧化 失效行为
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Si/SiO_2和SiN_x/SiO_2多层膜的室温光致发光 认领 引用 被引量：2
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作者 陈青云 徐明 +4 位作者 段满益 陈卫东 丁迎春 纪红萱 沈益斌 《半导体光电》 EI CAS 北大核心 2007年第5期680-684,共5页
采用射频磁控溅射法,制备了纳米Si/SiO2和SiNx/SiO2多层膜,得到强的可见光致发光,利用傅里叶红外吸收(FTIR)谱和光致发光(PL)谱,对其发光特性进行了研究,在374 nm和712 nm左右观察到强发光峰。用量子限制-发光中心(QCLC)模型解释了其可... 采用射频磁控溅射法,制备了纳米Si/SiO2和SiNx/SiO2多层膜,得到强的可见光致发光,利用傅里叶红外吸收(FTIR)谱和光致发光(PL)谱,对其发光特性进行了研究,在374 nm和712 nm左右观察到强发光峰。用量子限制-发光中心(QCLC)模型解释了其可能的发光机制,认为发光可能源自于SiOx界面处的缺陷发光中心。建立了发光的能隙态(EGS)模型,认为440 nm和485 nm的发光源于N-Si-O和Si-O-Si缺陷态能级。 展开更多
关键词 Si/SiO2多层膜 SiNx/SiO2多层膜 红外吸收 光致发光
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