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Si/Ti原子比对TiO_2-SiO_2复合薄膜亲水性能与摩擦磨损性能的影响 认领 引用
1
作者 王晓宏 赵青南 +3 位作者 常潇 陆文涛 董玉红 赵杰 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2019年第4期579-586,共8页
采用直流(DC)反应磁控溅射法在玻璃上制备了不同Si/Ti原子比的TiO_2-SiO_2复合薄膜。使用X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电子显微镜(SEM)、X射线光电子能谱仪(XPS)、紫外可见分光光度计、CA-XP150型接触角仪、UMT-2型多功能微摩擦仪,研... 采用直流(DC)反应磁控溅射法在玻璃上制备了不同Si/Ti原子比的TiO_2-SiO_2复合薄膜。使用X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电子显微镜(SEM)、X射线光电子能谱仪(XPS)、紫外可见分光光度计、CA-XP150型接触角仪、UMT-2型多功能微摩擦仪,研究了不同Si/Ti原子比的TiO_2-SiO_2复合薄膜微观结构、表面形貌、亲水性能和摩擦磨损性能。结果表明,所制备的纯TiO_2薄膜具有锐钛矿结构,其平均晶粒尺寸为11 nm,TiO_2-SiO_2复合薄膜呈现非晶结构,其粒子尺寸相对减小;随着Si/Ti原子比的增大,薄膜在可见光区的平均透过率从76. 6%增加到84. 3%。当复合薄膜中Si/Ti原子比为1∶2时,薄膜的摩擦系数为0. 11,薄膜具有最佳的亲水性能;在紫外光照射2 h后水接触角降到3. 0°;在黑暗中放置30 h后水接触角略增加到7. 7°。 展开更多
关键词 TiO2-SiO2复合薄膜 Si/Ti比 亲水性能 摩擦性能 直流磁控溅射
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硅基光电子材料的研究 认领 引用 被引量：1
2
作者 任尚坤 杜远东 《周口师范高等专科学校学报》 2001年第5期43-45,共3页
综述了硅基发光材料的研究新进展 ,分别以发光多孔硅、多孔碳化硅、纳米硅薄膜和发光硅基超晶格为例 ,分析讨论了其制备。
关键词 硅基材料 发光材料 多孔硅 纳米硅薄膜 硅-二氧化硅超晶格
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镓杂质R_S效应的研究与分析 认领 引用 被引量：1
3
作者 孙瑛 刘志军 刘秀喜 《Journal of Semiconductors》 CAS 北大核心 2004年第1期104-108,共5页
在确定的开管扩镓装置中 ,以氢气作为镓源 Ga2 O3的反应和输运气体 ,凭借准确地控制扩散条件 ,控制 Ga在Si O2 / Si系统中扩散 ,可获得良好的杂质 RS效应 .根据 Ga在 Si和 Si O2 中的扩散行为 ,研究和分析了镓在裸 Si系和 Si O2 / Si系... 在确定的开管扩镓装置中 ,以氢气作为镓源 Ga2 O3的反应和输运气体 ,凭借准确地控制扩散条件 ,控制 Ga在Si O2 / Si系统中扩散 ,可获得良好的杂质 RS效应 .根据 Ga在 Si和 Si O2 中的扩散行为 ,研究和分析了镓在裸 Si系和 Si O2 / Si系扩散所产生的杂质 RS效应机理 ,及其热氧化、氧化膜质量和厚度对 展开更多
关键词 杂质Rs效应 裸Si系 SiO2/Si系 氧化膜
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富硅二氧化硅薄膜的蓝色荧光特性研究 认领 引用 被引量：1
4
作者 肖淑娟 《上海海运学院学报》 北大核心 2003年第1期60-62,共3页
用射频磁控溅射法制备了富硅二氧化硅薄膜。红外 (IR)透射光谱表明退火过程中发生2SiOx→xSiO2 +(2 -x)Si化学反应。SiO2 与纳米晶硅 (nc -Si)界面上与氧有关的缺陷 (NBOHC)是蓝光发射 (2 .8eV)的主要原因。用纯二氧化硅靶制备的样品有 ... 用射频磁控溅射法制备了富硅二氧化硅薄膜。红外 (IR)透射光谱表明退火过程中发生2SiOx→xSiO2 +(2 -x)Si化学反应。SiO2 与纳米晶硅 (nc -Si)界面上与氧有关的缺陷 (NBOHC)是蓝光发射 (2 .8eV)的主要原因。用纯二氧化硅靶制备的样品有 1.8eV的发光 ,可能与硅缺陷有关。 展开更多
关键词 富硅二氧化硅薄膜 蓝光发射 非桥键氧空穴中心
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