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Correlation between Light Emissions from Amorphous-Si:H/SiO2 and nc-Si/SiO2 Multilayers 认领 引用
1
作者 马忠元 韩培高 +9 位作者 李卫 陈德嫒 魏德远 钱波 李伟 徐骏 徐岭 黄信凡 陈坤基 冯端 《Chinese Physics Letters》 SCIE EI CAS 2007年第7期2064-2067,共4页
We investigate the properties of light emission from amorphous-Si：H/SiO2 and nc-Si/SiO2 multilayers （MLs）. The size dependence of light emission is well exhibited when the a-Si：H sublayer thickness is thinner than... We investigate the properties of light emission from amorphous-Si：H/SiO2 and nc-Si/SiO2 multilayers （MLs）. The size dependence of light emission is well exhibited when the a-Si：H sublayer thickness is thinner than 4 nm and the interface states are well passlvated by hydrogen. For the nc-Si/Si02 MLs, the oxygen modified interface states and nanocrystalline silicon play a predominant role in the properties of light emission. It is found that the light emission from nc-Si/SiO2 is in agreement with the model of interface state combining with quantum confinement when the size of nc-Si is smaller than 4 nm. The role of hydrogen and oxygen is discussed in detail. 展开更多
关键词 SI/SIO2 SUPERLATTICES POROUS SILICON ELECTRONIC-STRUCTURE OPTICAL-PROPERTIES QUANTUM DOTS PHOTOLUMINESCENCE LUMINESCENCE ELECTROLUMINESCENCE NANOCRYSTALS CONFINEMENT
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Effects of Multilayer Structure of Ag-SiO2 Films on the Photonic Band Gap 认领 引用 被引量：1
2
作者 Song Zhitang Chen Su +1 位作者 Wang Yang Feng Songlin 《光子学报》 EI CAS 北大核心 2005年第11期1736-1739,共4页
The one-dimensional photonic crystals of Ag/SiO2 system are studied to investigate the photonic band gaps (PBG). The samples were prepared by the ultra-high vacuum electron beam evaporation. The clear band gaps wer... The one-dimensional photonic crystals of Ag/SiO2 system are studied to investigate the photonic band gaps (PBG). The samples were prepared by the ultra-high vacuum electron beam evaporation. The clear band gaps were observed. Satisfactory agreement between experimental and calculated results was obtained without fitting. The thickness of SiO_(2 )film has influence on the photonic band gap, as well as it awfully affects the transmittance of Ag. More layers can get clearer PBG. 展开更多
关键词 Photonic crystal Photonic band gap Ultra-high vacuum electron beam evaporation Ag/SiO2 Multilayer
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Effects of Si-Layer-Thickness Ratio on UV-Light-Emission Intensity from Si/SiO2Multilayered Thin Films Prepared Using Radio-Frequency Sputtering 认领 引用
3
作者 Kenta Miura Hitomi Hoshino +1 位作者 Masashi Honmi Osamu Hanaizumi 《Materials Sciences and Applications》 2015年第3期215-219,共5页
We investigated the effects of Si-layer-thickness ratios on ultraviolet (UV) peak intensities of Si/ SiO2 multilayered films produced by alternately stacking several-nanometer-thick Si and SiO2 layers using radio-freq... We investigated the effects of Si-layer-thickness ratios on ultraviolet (UV) peak intensities of Si/ SiO2 multilayered films produced by alternately stacking several-nanometer-thick Si and SiO2 layers using radio-frequency sputtering for the first time. The Si-layer-thickness ratio of the Si/SiO2 film is a very important parameter for enhancing the peak intensity because the ratio is concerned with the size of Si nanocrystals in the film, which might affect the intensity of the UV light emission from the film. We prepared seven samples with various estimated Si-layer-thickness ratios, and measured the photoluminescence spectra of the samples after annealing at 1150°C, 1200°C, or 1250°C for 25 min. From our experiments, we estimate that the proper Si-layer-thickness ratio to obtain the strongest UV peaks from the Si/SiO2 multilayered films is around 0.29. Such a UV-lightemitting thin film is expected to be used in future higher-density optical-disk systems. 展开更多
关键词 Si SiO2 Multilayer Sputtering UV-Light Emission
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Si含量对TiO_2/SiO_2复合气凝胶结构及光催化性能的影响 认领 引用 被引量：17
4
作者 刘朝辉 苏勋家 侯根良 《无机材料学报》 SCIE EI CAS 北大核心 2010年第9期911-915,共5页
采用溶胶-凝胶法制备了不同Si含量的TiO2/SiO2复合气凝胶.利用XRD、FTIR、XPS和BET等手段表征了复合气凝胶组织结构,以甲基橙溶液光催化降解实验评价其光催化活性,研究了Si含量对TiO2/SiO2复合气凝胶的结构及光催化性能影响规律.结果表... 采用溶胶-凝胶法制备了不同Si含量的TiO2/SiO2复合气凝胶.利用XRD、FTIR、XPS和BET等手段表征了复合气凝胶组织结构,以甲基橙溶液光催化降解实验评价其光催化活性,研究了Si含量对TiO2/SiO2复合气凝胶的结构及光催化性能影响规律.结果表明:TiO2/SiO2复合气凝胶中Ti-O-Ti、Si-O-Si和Ti-O-Si键相互交织,使复合气凝胶具有小晶粒尺寸、高比表面积和高热稳定性.随着Si含量增大,TiO2/SiO2复合气凝胶中TiO2晶粒尺寸减小,TiO2结晶度降低,比表面积增大,平均孔径减小,且TiO2/SiO2复合气凝胶对甲基橙溶液的光催化降解活性呈现先升后降的变化趋势.适当Si含量能显著改善TiO2/SiO2复合气凝胶的结构和光催化性能,Si含量最佳值在9wt%附近. 展开更多
关键词 TiO2/SiO2复合气凝胶 Si含量 组织结构 光催化性能
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掺杂Si/SiO_2界面电子结构与光学性质的第一性原理研究 认领 引用 被引量：6
5
作者 顾芳 孙亚飞 +2 位作者 张加宏 何鹏翔 王丽阳 《原子与分子物理学报》 CAS 北大核心 2018年第5期853-860,共8页
采用基于密度泛函理论的第一性原理方法,在局域密度近似(LDA)下研究了B掺杂Si/SiO_2界面及其在压强作用下的电子结构和光学性质.能带的计算结果表明:掺杂前后Si/SiO_2界面均属于直隙半导体材料,但掺B后界面带隙由0. 74 eV减小为0. 57 eV... 采用基于密度泛函理论的第一性原理方法,在局域密度近似(LDA)下研究了B掺杂Si/SiO_2界面及其在压强作用下的电子结构和光学性质.能带的计算结果表明:掺杂前后Si/SiO_2界面均属于直隙半导体材料,但掺B后界面带隙由0. 74 eV减小为0. 57 eV,说明掺B使材料的金属性增强;对B掺杂Si/SiO_2界面施加正压强,发现随着压强不断增大,Si/SiO_2界面的带隙呈现了逐渐减小的趋势,并且由直隙逐渐转变为间隙.光学性质的计算结果表明:掺B对Si/SiO_2界面在低能区(即红外区)的介电函数虚部、吸收系数、折射率以及反射率等光学参数有显著影响,且在红外区出现新的吸收峰;对B掺杂Si/SiO_2界面施加正压强,随着压强增大,红外区的吸收峰逐渐消失,而在紫外区出现了吸收峰.上述结果表明,对Si/SiO_2界面掺B及施加正压强均可调控Si/SiO_2界面的电子结构与光学性质.本文的研究为基于Si/SiO_2界面的光电器件研究与设计提供一定的理论参考. 展开更多
关键词 Si/SiO2界面 第一性原理 电子结构 光学性质 掺杂 压强
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Al/Si比对SiO_2-Al_2O_3-MgO系玻璃结构和性能的影响 认领 引用 被引量：5
6
作者 叶时迁 何峰 +3 位作者 陈剑 杨虎 刘小青 谢峻林 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2017年第11期3913-3919,共7页
SiO_2-Al_2O_3-MgO系玻璃因具备强度大、弹性模量高等优异性能而用作高模量玻璃纤维的制备。采用熔融冷却法制备了不同Al/Si比的SiO_2-Al_2O_3-MgO系基础玻璃,并研究了玻璃的结构和性能。红外光谱分析表明,玻璃网络结构由铝氧四面体[AlO... SiO_2-Al_2O_3-MgO系玻璃因具备强度大、弹性模量高等优异性能而用作高模量玻璃纤维的制备。采用熔融冷却法制备了不同Al/Si比的SiO_2-Al_2O_3-MgO系基础玻璃,并研究了玻璃的结构和性能。红外光谱分析表明,玻璃网络结构由铝氧四面体[AlO_4]和硅氧四面体[SiO_4]相互连接而成。随着Al/Si比的增加,[AlO_4]含量保持不变,[AlO_6]含量逐渐增加。DSC分析表明,本系统玻璃的玻璃转变点T_g、成核温度T_x均随Al/Si比的增大而提高,玻璃的析晶倾向变强烈。热膨胀分析表明玻璃的热膨胀系数随Al/Si比的增大呈现先增大后减小的趋势。物理及机械性能测试结果如下:随Al/Si比的增大,密度、弹性模量均随之不断增大;而弯曲强度和维氏硬度则是持续降低。 展开更多
关键词 SiO2-Al2O3-MgO玻璃 玻璃结构 玻璃性能 Al/Si比
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SiO_2/(Si_3N_4+BN)透波材料表面涂层的防潮性能和透波性能研究 认领 引用 被引量：11
7
作者 李俊生 张长瑞 +2 位作者 王思青 曹峰 王衍飞 《涂料工业》 CAS 2007年第1期5-7,10,共3页
SiO2／（Si3N4＋BN）复合材料是近几年发展起来的综合性能优良的适用于高马赫数的导弹天线罩材料。本文分析了SiO2／（Si3N4＋BN）复合材料的吸潮机理。采用有机硅树脂在SiO2／（Si3N4＋BN）复合材料表面制备了防潮涂层，取得较好的防... SiO2／（Si3N4＋BN）复合材料是近几年发展起来的综合性能优良的适用于高马赫数的导弹天线罩材料。本文分析了SiO2／（Si3N4＋BN）复合材料的吸潮机理。采用有机硅树脂在SiO2／（Si3N4＋BN）复合材料表面制备了防潮涂层，取得较好的防潮效果。涂装后SiO2／（Si3N4＋BN）复合材料在40℃、90％的高温高湿条件下放置15d的吸水率约0．30％；在大气环境下（温度27-30℃，湿度45-60％）的吸水率小于0．01％。涂层对SiO2／（Si3N4＋BN）复合材料的透波率影响较小，涂装后材料的透波率仍然能保持在85％以上。 展开更多
关键词 SiO2/(Si3N4+BN) 透波率 防潮涂层 吸水率
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SiO_2/Si波导应力双折射数值分析 认领 引用 被引量：3
8
作者 安俊明 班士良 +6 位作者 梁希侠 李健 郜定山 夏君磊 李健光 王红杰 胡雄伟 《Journal of Semiconductors》 CAS 北大核心 2005年第7期1454-1458,共5页
采用有限元法对SiO2/Si掩埋光波导制备工艺中的应力变化进行了系统的分析,在此基础上,应用有限差分束传播法(FDBPM)对应力光波导的双折射进行了计算.结果表明上包层的玻璃化过程是SiO2/Si波导形成水平方向和垂直方向应力差的主要原因,... 采用有限元法对SiO2/Si掩埋光波导制备工艺中的应力变化进行了系统的分析,在此基础上,应用有限差分束传播法(FDBPM)对应力光波导的双折射进行了计算.结果表明上包层的玻璃化过程是SiO2/Si波导形成水平方向和垂直方向应力差的主要原因,相应的应力双折射系数B在10-4量级.进一步的分析表明上包层B,P重掺杂可明显减小波导的双折射系数. 展开更多
关键词 SiO2/Si 波导 应力 双折射 数值分析
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Mg-SiO_2体系制备Mg_2Si/AZ91D复合材料的研究 认领 引用 被引量：3
9
作者 王军 陈刚 +4 位作者 赵玉涛 徐萌 张道理 黄康 彭蕾 《中国稀土学报》 CAS 北大核心 2010年第2期207-211,共5页
采用原位合成技术制备了Mg2Si/AZ91D复合材料,并通过光学显微镜（OM）、扫描电镜（SEM）、能谱仪（EDS）和X射线衍射仪（XRD）等对添加碱土、稀土元素的影响进行了研究。结果表明：AZ91D镁合金中加入SiO2（其中Si占合金质量的3%）后,出... 采用原位合成技术制备了Mg2Si/AZ91D复合材料,并通过光学显微镜（OM）、扫描电镜（SEM）、能谱仪（EDS）和X射线衍射仪（XRD）等对添加碱土、稀土元素的影响进行了研究。结果表明：AZ91D镁合金中加入SiO2（其中Si占合金质量的3%）后,出现多边形状或树枝晶状的初生Mg2Si相,以及汉字状的共晶Mg2Si相,树枝晶状Mg2Si的平均尺寸约25~50μm,汉字状Mg2Si的平均尺寸约12~15μm;Mg2Si对镁合金中的β-Mg17Al12相有细化作用。添加Ca,Sr,Y对Mg2Si形貌、尺寸有明显的改善,当添加0.9%Ca,0.1%Sr,0.5%RE（80%Y）变质处理后,Mg2Si形貌全部变为多边形状,平均尺寸约0.8~5μm。 展开更多
关键词 Mg2Si 原位自生 AZ91D SiO2 复合材料 稀土
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第一性原理研究厚度和空位缺陷对Si/SiO_2界面电子结构与光学性质的影响 认领 引用 被引量：3
10
作者 顾芳 陈云云 +2 位作者 张仙岭 李敏 张加宏 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2014年第6期993-999,共7页
采用基于密度泛函理论的平面波超软赝势方法,在局域密度近似(LDA)下研究了Si纳米层厚度和O空位缺陷对Si/Si O2界面电子结构及光学性质的影响.电子结构计算结果表明:在0.815~2.580nm的Si层厚度范围内,Si/Si O2界面结构的能隙随着厚度减... 采用基于密度泛函理论的平面波超软赝势方法,在局域密度近似(LDA)下研究了Si纳米层厚度和O空位缺陷对Si/Si O2界面电子结构及光学性质的影响.电子结构计算结果表明:在0.815~2.580nm的Si层厚度范围内,Si/Si O2界面结构的能隙随着厚度减小而逐渐增大,表现出明显的量子尺寸效应,这与实验以及其他理论计算结果一致;三种不同的O空位缺陷的存在均使得Si/Si O2界面能隙中出现了缺陷态,费米能级向高能量方向移动,且带隙有微弱增加.光学性质计算结果表明:随着Si纳米层厚度的减小,Si/Si O2界面吸收系数产生了蓝移;O空位缺陷引入后,界面光学性质的变化主要集中在低能区,即低能区的吸收系数和光电导率显著增加.可见,改变厚度和引入缺陷能够有效地调控Si/Si O2界面体系的电子和光学性质,上述研究结果为Si/Si O2界面材料的设计与应用提供了一定的理论依据. 展开更多
关键词 Si/SiO2界面 第一性原理 空位缺陷 电子结构 光学性质
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SiO_2/Si衬底制备ZnO薄膜及表征 认领 引用 被引量：3
11
作者 曹亮亮 叶志镇 +4 位作者 张阳 朱丽萍 张银珠 徐伟中 赵炳辉 《真空科学与技术学报》 EI CAS 北大核心 2005年第3期164-167,共4页
本文报道了利用脉冲激光沉积技术在热氧化p型硅衬底上生长ZnO外延薄膜。引入高阻非晶SiO2缓冲层,有效地降低了检测过程中单晶衬底对ZnO薄膜的电学性能影响。利用XRD,SEM,Hall和PL对其进行研究。结果表明,在衬底温度为500℃时,生长的ZnO... 本文报道了利用脉冲激光沉积技术在热氧化p型硅衬底上生长ZnO外延薄膜。引入高阻非晶SiO2缓冲层,有效地降低了检测过程中单晶衬底对ZnO薄膜的电学性能影响。利用XRD,SEM,Hall和PL对其进行研究。结果表明,在衬底温度为500℃时,生长的ZnO薄膜具有优良的晶体质量,电学性能和发光性能。 展开更多
关键词 ZnO薄膜 SiO2/Si 脉冲激光沉积 光致发光
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Si/SiNx/SiO2多层膜的光致发光 认领 引用 被引量：4
12
作者 陈青云 段满益 +6 位作者 周海平 董成军 魏屹 纪红萱 黄劲松 陈卫东 徐明 《发光学报》 CAS 北大核心 2008年第2期363-370,共8页
采用射频磁控溅射法,制备了具有强光致可见发光的纳米Si/SiNx/SiO2多层膜,利用傅立叶红外吸收(FTIR)谱,光致发光(PL)谱对其进行了研究。用260nm光激发得到的PL谱中观察到高强度的392nm(3.2eV)和670nm(1.9eV)光致发光峰,分析认为它们分... 采用射频磁控溅射法,制备了具有强光致可见发光的纳米Si/SiNx/SiO2多层膜,利用傅立叶红外吸收(FTIR)谱,光致发光(PL)谱对其进行了研究。用260nm光激发得到的PL谱中观察到高强度的392nm(3.2eV)和670nm(1.9eV)光致发光峰,分析认为它们分别来自于缺陷态≡Si-到价带顶和从导带底到缺陷态≡Si-的辐射跃迁而产生的光致激发辐射复合发光。PL谱中只有370nm(3.4eV)处发光峰的峰位会受退火温度的影响,结合FTIR谱认为370nm发光与低价氧化物—SiOx(x<2.0)结合体有密不可分的关系。当SiO2层的厚度增大时,发光强度有所增强,800℃退火后出现最强发光,认为具有较大SiO2层厚度的Si/SiNx/SiO2结构多层膜更有利于退火后形成Si—N网络,能够得到更高效的光致发光。用量子限制-发光中心(QCLC)模型解释了可能的发光机制,并建立了发光的能隙态(EGS)模型。 展开更多
关键词 Si/SiNx/SiO2多层膜 红外吸收 光致发光
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Si/莫来石/Er_2SiO_5环境障涂层的高温氧化行为 认领 引用 被引量：4
13
作者 范金娟 常振东 +1 位作者 陶春虎 王富耻 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第6期1553-1559,共7页
采用化学气相沉积与等离子喷涂相结合的方法在SiC/SiC复合材料基体上制备了Si/莫来石/Er2Si O5环境障涂层。采用扫描电镜(SEM)、能谱分析仪(EDS)与X射线衍射仪(XRD)分析其结构变化,通过氧化试验研究涂层在1350℃与1500℃下的高温氧化行... 采用化学气相沉积与等离子喷涂相结合的方法在SiC/SiC复合材料基体上制备了Si/莫来石/Er2Si O5环境障涂层。采用扫描电镜(SEM)、能谱分析仪(EDS)与X射线衍射仪(XRD)分析其结构变化,通过氧化试验研究涂层在1350℃与1500℃下的高温氧化行为。结果表明:Si/莫来石/Er2Si O5环境障涂层可在1350℃长时间使用,在1500℃短时间使用。涂层在不同高温下的氧化失效机理不同。1350℃时,涂层氧化失效主要是由于涂层材料与基体材料热膨胀不匹配使涂层中产生了垂直于表面的裂纹,裂纹成为元素扩散通道,加速环境中O元素扩散至粘结层与基体并将其氧化,降低了涂层与基体之间的粘结强度,从而导致涂层脱落。1500℃时,涂层氧化失效主要是元素快速扩散、反应生成大量的气泡状玻璃态物质所致。 展开更多
关键词 Si/莫来石/Er2SiO5环境障涂层 高温氧化 失效行为
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Si/SiO_2和SiN_x/SiO_2多层膜的室温光致发光 认领 引用 被引量：2
14
作者 陈青云 徐明 +4 位作者 段满益 陈卫东 丁迎春 纪红萱 沈益斌 《半导体光电》 EI CAS 北大核心 2007年第5期680-684,共5页
采用射频磁控溅射法,制备了纳米Si/SiO2和SiNx/SiO2多层膜,得到强的可见光致发光,利用傅里叶红外吸收(FTIR)谱和光致发光(PL)谱,对其发光特性进行了研究,在374 nm和712 nm左右观察到强发光峰。用量子限制-发光中心(QCLC)模型解释了其可... 采用射频磁控溅射法,制备了纳米Si/SiO2和SiNx/SiO2多层膜,得到强的可见光致发光,利用傅里叶红外吸收(FTIR)谱和光致发光(PL)谱,对其发光特性进行了研究,在374 nm和712 nm左右观察到强发光峰。用量子限制-发光中心(QCLC)模型解释了其可能的发光机制,认为发光可能源自于SiOx界面处的缺陷发光中心。建立了发光的能隙态(EGS)模型,认为440 nm和485 nm的发光源于N-Si-O和Si-O-Si缺陷态能级。 展开更多
关键词 Si/SiO2多层膜 SiNx/SiO2多层膜 红外吸收 光致发光
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Si表面Si-OH、SiO2结构的LDA与GGA研究 认领 引用 被引量：2
15
作者 杨春 廖子夷 +3 位作者 余毅 周明秀 郁卫飞 黄辉 《深圳大学学报（理工版）》 EI CAS 北大核心 2008年第2期187-191,共5页
在Si(001)面上建立2×1两种模型,表面分别为Si-OH结构和Si-O-Si桥氧结构.在周期性边界条件下的k空间中,采用局域密度近似法和广义梯度近似法,对比计算两种体系的能量和表面结构.研究表明,广义梯度近似法更适合硅复合材料表面Si-OH和... 在Si(001)面上建立2×1两种模型,表面分别为Si-OH结构和Si-O-Si桥氧结构.在周期性边界条件下的k空间中,采用局域密度近似法和广义梯度近似法,对比计算两种体系的能量和表面结构.研究表明,广义梯度近似法更适合硅复合材料表面Si-OH和SiO2结构的计算. 展开更多
关键词 Si—OH SiO2 密度泛函 局域密度近似 广义梯度近似
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Si/Ti摩尔比对SiO_2-TiO_2气凝胶催化性能的影响 认领 引用 被引量：3
16
作者 张波 姜剑锋 +1 位作者 邓冰心 陈银飞 《浙江工业大学学报》 CAS 北大核心 2015年第4期374-378,共5页
通过溶胶凝胶—常压干燥法制备了不同Si/Ti摩尔比的SiO2-TiO2复合气凝胶,结合Uv-vis,FT-IR等表征手段研究Si/Ti摩尔比对其在以N,N-二甲基甲酰胺(DMF)为溶剂,H2O2((H2O2)=30%)为氧化剂的苯乙烯环氧化反应中催化性能的影响.结果表明:反... 通过溶胶凝胶—常压干燥法制备了不同Si/Ti摩尔比的SiO2-TiO2复合气凝胶,结合Uv-vis,FT-IR等表征手段研究Si/Ti摩尔比对其在以N,N-二甲基甲酰胺(DMF)为溶剂,H2O2((H2O2)=30%)为氧化剂的苯乙烯环氧化反应中催化性能的影响.结果表明:反应产物只有环氧苯乙烷(SO)和苯甲醛(BA).随着Si/Ti摩尔比的降低,催化剂的TON和双氧水的有效利用率逐渐降低,但苯乙烯的转化率先迅速增加后增加缓慢,SO的选择性先增加后降低,当Si/Ti摩尔比为16.4时,SO的选择性和收率最高,这归因于随着钛含量的增加,三种不同钛物种相对含量的变化. 展开更多
关键词 苯乙烯 环氧化 SiO2-TiO2复合气凝胶 Si/Ti比 选择性
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CaCl_2熔盐中电解高钛渣/SiO_2复合阴极制备Ti_5Si_3的研究 认领 引用 被引量：2
17
作者 况文浩 华一新 +4 位作者 徐存英 李坚 李艳 张臻 高小兵 《有色金属（冶炼部分）》 CAS 北大核心 2017年第7期52-57,共6页
采用FFC熔盐电解法,在900℃和2.6~3.2V槽电压的条件下,以CaCl2熔盐为电解质电解还原高钛渣/SiO_2复合阴极,成功制备出了Ti_5Si_3合金。通过热力学计算和单因素条件试验探讨了电解时间和槽电压对电解产物的影响。结果表明,在初始阶段反... 采用FFC熔盐电解法,在900℃和2.6~3.2V槽电压的条件下,以CaCl2熔盐为电解质电解还原高钛渣/SiO_2复合阴极,成功制备出了Ti_5Si_3合金。通过热力学计算和单因素条件试验探讨了电解时间和槽电压对电解产物的影响。结果表明,在初始阶段反应速率很快,随着中间产物CaTiO_3和CaSiO_3的生成,反应速率逐渐减缓。当槽电压为2.6V时,反应速率缓慢;提高到2.8V后,反应速率有了明显的提升。在900℃、8h、3.2V的条件下制备出的Ti_5Si_3为疏松多孔、粒径为2~5μm的合金粉末。 展开更多
关键词 Ti5Si3 高钛渣 SiO2 CaCl2熔盐电解
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薄膜厚度对Si基SiO_2薄膜力学性能的影响 认领 引用 被引量：2
18
作者 聂晓梦 李继军 +3 位作者 郎风超 张伟光 赵春旺 邢永明 《机械科学与技术》 CSCD 北大核心 2019年第4期646-651,共6页
为了研究薄膜厚度对Si基SiO_2薄膜力学性能的影响规律,利用纳米压痕技术及有限元模拟方法对不同厚度的Si基SiO_2薄膜材料进行测试,分析了不同厚度薄膜的硬度及弹性模量等力学性能,讨论了不同压深膜厚比对不同厚度薄膜弹性恢复率的影响,... 为了研究薄膜厚度对Si基SiO_2薄膜力学性能的影响规律,利用纳米压痕技术及有限元模拟方法对不同厚度的Si基SiO_2薄膜材料进行测试,分析了不同厚度薄膜的硬度及弹性模量等力学性能,讨论了不同压深膜厚比对不同厚度薄膜弹性恢复率的影响,并在试验的基础上,建立了有限元模型,模拟了不同厚度薄膜在相同压深下的载荷位移关系,分析了薄膜的弹性恢复性能。结果表明:SiO_2薄膜越厚其弹性模量越小,而薄膜的硬度在薄膜较薄时压痕的尺寸效应更明显,并利用模拟进一步分析得出薄膜越薄弹性恢复性能越好。 展开更多
关键词 Si基SiO2薄膜 纳米压痕 有限元模拟 弹性模量 硬度
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SiON对Si基SiO_2AWG偏振补偿的数值分析 认领 引用 被引量：2
19
作者 安俊明 郜定山 +3 位作者 李健 李建光 王红杰 胡雄伟 《Journal of Semiconductors》 CAS 北大核心 2004年第7期858-862,共5页
采用全矢量交替方向隐含迭代方法系统分析了高折射率 Si ON薄膜对 Si基 Si O2 阵列波导光栅中波导应力双折射的影响 .分析结果表明在芯区上或下表面沉积 Si ON薄膜可以明显减小 Si基 Si O2 阵列波导光栅 (AWG)中波导的应力双折射 ,但这... 采用全矢量交替方向隐含迭代方法系统分析了高折射率 Si ON薄膜对 Si基 Si O2 阵列波导光栅中波导应力双折射的影响 .分析结果表明在芯区上或下表面沉积 Si ON薄膜可以明显减小 Si基 Si O2 阵列波导光栅 (AWG)中波导的应力双折射 ,但这两种补偿方法容易使模场偏移中心位置 ,不利于波导与光纤的耦合 .理想的补偿方法是在芯区上下同时补偿 ,可减小模场偏移 ,并用该方法设计了偏振无关的 1 6通道 AWG. 展开更多
关键词 SiON薄膜 Si基SiO2波导 应力 双折射 阵列波导光栅 偏振补偿 EEACC 4130
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SiO_2/Si(111)表面Ge量子点的生长研究 认领 引用 被引量：3
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作者 王科范 盛斌 +3 位作者 刘金锋 徐彭寿 潘海滨 韦世强 《真空科学与技术学报》 EI CAS 北大核心 2005年第5期358-361,366,共4页
Si衬底用化学方法清洗后,表面大约残余1.0 nm厚SiO2薄膜。利用原子力显微镜(AFM)和反射高能电子衍射(RHEED)来研究温度和Ge蒸发厚度对在SiO2薄膜表面生长的Ge量子点的影响。实验结果表明,当衬底温度超过500℃时,SiO2开始与Ge原子发生化... Si衬底用化学方法清洗后,表面大约残余1.0 nm厚SiO2薄膜。利用原子力显微镜(AFM)和反射高能电子衍射(RHEED)来研究温度和Ge蒸发厚度对在SiO2薄膜表面生长的Ge量子点的影响。实验结果表明,当衬底温度超过500℃时,SiO2开始与Ge原子发生化学反应,并形成与Si(111)表面直接外延的Ge量子点。在650℃时,只有Ge的厚度达到0.5nm时,Ge量子点才开始形成。 展开更多
关键词 Ge量子点 SiO2薄膜 Si(111) 原子力显微镜(AFM) 反射高能电子衍射(RHEED)
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