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The effects of radiation damage on power VDMOS devices with composite SiO_2-Si_3N_4 films 认领 引用 被引量：3
1
作者 高博 刘刚 +5 位作者 王立新 韩郑生 宋李梅 张彦飞 腾瑞 吴海舟 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2013年第3期393-398,共6页
Total dose effects and single event effects on radiation-hardened power vertical double-diffusion metal oxide semiconductor（VDMOS） devices with composite SiO2-Si3N4 film gates are investigated.The relationships amon... Total dose effects and single event effects on radiation-hardened power vertical double-diffusion metal oxide semiconductor（VDMOS） devices with composite SiO2-Si3N4 film gates are investigated.The relationships among the important electrical parameters of the samples with different thickness SiO2-Si3N4 films,such as threshold voltage,breakdown voltage,and on-state resistance in accumulated dose,are discussed.The total dose experiment results show that the breakdown voltage and the on-state resistance barely change with the accumulated dose.However,the relationships between the threshold voltages of the samples and the accumulated dose are more complex,and not only positively drift,but also negatively drift.At the end of the total dose experiment,we select the group of samples which have the smaller threshold voltage shift to carry out the single event effect studies.We find that the samples with appropriate thickness ratio SiO2-Si3N4 films have a good radiation-hardening ability.This method may be useful in solving both the SEGR and the total dose problems with the composite SiO2-Si3N4 films. 展开更多
关键词 power VDMOS device total dose effects single event effects composite SiO2-Si3N4 films
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Fabrication and characterization of SiO2(f)/Si)_3N_4 composites 认领 引用 被引量：4
2
作者 Yongsheng Liu Laifei Cheng +2 位作者 Litong Zhang Yongdong Xu Yi Liu 《Journal of University of Science and Technology Beijing》 2007年第5期454-459,共6页
A silicon dioxide fiber-reinforced silicon nitride matrix(SiOJSi3N4)composite used for radomes was prepared by chemical vapor infiltration(CVI)process using the SiCl4-NH3-H2 system.The effects of the process condition... A silicon dioxide fiber-reinforced silicon nitride matrix(SiOJSi3N4)composite used for radomes was prepared by chemical vapor infiltration(CVI)process using the SiCl4-NH3-H2 system.The effects of the process conditions,including infiltration temperature,infiltration time,and gas flux were investigated.The energy dispersion spectra(EDS)result showed that the main elements of this composite contained Si,N,and O.The X-ray diffraction(XRD)results indicated that phases of the composite before and after treatment at 1350℃were all amorphous.A little fiber pull-out was observed on the cross section of the composite by scan electron microscope(SEM).As a result,the composite exhibited good thermal stability,but an appropriate interface was necessary between the fiber and the matrix. 展开更多
关键词 SiO2/Si3N4 composite fabrication characterization chemical vapor infiltration
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Construction of SiO2-TiO2/g-C3N4 composite photocatalyst for hydrogen production and pollutant degradation: Insight into the effect of SiO2 认领 引用 被引量：1
3
作者 Sijia Sun Hao Ding +5 位作者 Lefu Mei Ying Chen Qiang Hao Wanting Chen Zhuoqun Xu Daimei Chen 《Chinese Chemical Letters》 SCIE CAS CSCD 2020年第9期2287-2294,共8页
Using low-cost precipitated silica(SiO2) as the carrier,a ternary SiO2-TiO2/g-C3N4 composite photocatalyst was prepared via the sol-gel method associated with a wet-grinding process.The asprepared composite exhibits p... Using low-cost precipitated silica(SiO2) as the carrier,a ternary SiO2-TiO2/g-C3N4 composite photocatalyst was prepared via the sol-gel method associated with a wet-grinding process.The asprepared composite exhibits photocatalytic hydrogen production and pollutant degradation performance under solar-like irradiation.The effect of SiO2 carrier on the properties of the heterostructure between TiO2 and g-C3N4(CN) was systematically studied.It is found that SiO2 has important effects on promoting the interaction between TiO2 and CN.The particle size of TiO2 and CN was obviously reduced during the calcination process due to the effects of SiO2.Especially,the TiO2 particles exhibit monodispersed state with particle size below 10 nm(quantum dots),resulting in the improvement of the contact area and the interaction betweenTiO2 and CN,and leading to the formation of efficient TiO2/CN Zscheme heterostructure in SiO2-TiO2/CN.Besides,the introduction of SiO2 can increase the specific surface area and light absorption of SiO2-TiO2/CN,further promoting the photocatalytic reaction.As expected,the optimum SiO2-TiO2/CN composite exhibits 12.3,3.1 and 2.9 times higher photocatalytic hydrogen production rate than that of SiO2-TiO2,CN and TiO2/CN under solar-like irradiation,while the photocatalytic active component in SiO2-TiO2/CN is only about 60 wt%.Moreover,the rhodamine B degradation rate of SiO2-TiO2/CN is also higher than that of SiO2-TiO2,CN and TiO2/CN. 展开更多
关键词 SiO2 carrier Heterostructure Photocatalyst g-C3N4 TiO2
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Si_3N_4-Fe对Al_2O_3-SiC-C质铁沟浇注料性能的影响 认领 引用 被引量：15
4
作者 邓小玲 孙加林 +2 位作者 陈俊红 张厚兴 洪彦若 《耐火材料》 EI CAS 北大核心 2004年第2期82-84,共3页
利用Si3N4 的优良性质及金属塑性相Fe的作用 ,将其添加到高炉出铁沟用Al2 O3-SiC -C浇注料中 ,以改善材料的力学性能和抗氧化性能。对高温处理后试样强度、显气孔率测试以及对氧化层的SEM分析 ,结果表明 ,添加适量的Si3N4 -Fe ,材料的... 利用Si3N4 的优良性质及金属塑性相Fe的作用 ,将其添加到高炉出铁沟用Al2 O3-SiC -C浇注料中 ,以改善材料的力学性能和抗氧化性能。对高温处理后试样强度、显气孔率测试以及对氧化层的SEM分析 ,结果表明 ,添加适量的Si3N4 -Fe ,材料的显气孔率降低 ,强度提高 ,抗氧化性增强。 展开更多
关键词 Si3N4-Fe Al2O3 SiC 铁沟浇注料 力学性能 抗氧化性能 显气孔率测试 氧化层
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SiO_2/(Si_3N_4+BN)透波材料表面涂层的防潮性能和透波性能研究 认领 引用 被引量：11
5
作者 李俊生 张长瑞 +2 位作者 王思青 曹峰 王衍飞 《涂料工业》 CAS 2007年第1期5-7,10,共3页
SiO2／（Si3N4＋BN）复合材料是近几年发展起来的综合性能优良的适用于高马赫数的导弹天线罩材料。本文分析了SiO2／（Si3N4＋BN）复合材料的吸潮机理。采用有机硅树脂在SiO2／（Si3N4＋BN）复合材料表面制备了防潮涂层，取得较好的防... SiO2／（Si3N4＋BN）复合材料是近几年发展起来的综合性能优良的适用于高马赫数的导弹天线罩材料。本文分析了SiO2／（Si3N4＋BN）复合材料的吸潮机理。采用有机硅树脂在SiO2／（Si3N4＋BN）复合材料表面制备了防潮涂层，取得较好的防潮效果。涂装后SiO2／（Si3N4＋BN）复合材料在40℃、90％的高温高湿条件下放置15d的吸水率约0．30％；在大气环境下（温度27-30℃，湿度45-60％）的吸水率小于0．01％。涂层对SiO2／（Si3N4＋BN）复合材料的透波率影响较小，涂装后材料的透波率仍然能保持在85％以上。 展开更多
关键词 SiO2/(Si3N4+BN) 透波率 防潮涂层 吸水率
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SiO2f/SiO_2复合材料与TC4,Ti_3Al和TiAl的钎焊 认领 引用 被引量：5
6
作者 陈波 熊华平 +1 位作者 毛唯 程耀永 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第2期41-44,90,共4页
在880℃/10min规范下,采用AgCuTi活性箔带钎料完成了SiO2f/SiO2/TC4,SiO2f/SiO2/Ti3Al和SiO2f/SiO2/TiAl三种接头的连接,每种接头界面均结合良好。接头显微组织结果表明,三种接头组织形貌较为相似,均在靠近SiO2f/SiO2母材的界面处形成... 在880℃/10min规范下,采用AgCuTi活性箔带钎料完成了SiO2f/SiO2/TC4,SiO2f/SiO2/Ti3Al和SiO2f/SiO2/TiAl三种接头的连接,每种接头界面均结合良好。接头显微组织结果表明,三种接头组织形貌较为相似,均在靠近SiO2f/SiO2母材的界面处形成了一层薄薄的扩散反应层组织,在该组织中出现了Ti和O的富集。分析认为,钎焊过程中钎料中的Ti会优先向SiO2f/SiO2母材边缘扩散,同时,金属母材中的元素在液态钎料的作用下不断向钎缝中溶解,其中一部分母材中的Ti也会向复合材料母材边缘扩散,两种不同来源的Ti共同与SiO2发生反应生成Ti-O相,根据三种接头扩散层中Ti和O的原子比例推断Ti-O相为Ti2O。三种接头的钎缝基体区主要由白色组织和灰色组织共同组成,其中白色组织中富含Ag,主要以Ag基固溶体形式存在,而灰色组织中富含Ti和Cu,二者结合生成Ti-Cu组织。 展开更多
关键词 SiO2f/SiO2复合材料 AgCuTi TC4 Ti3Al TiAl
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Li_2Mg_2Si_4O10F_2、H_2Mn_8O16·1.4H_2O和Li1.3Ti1.7Al0.3(PO_4)_3在高浓度LiCl水溶液中的离子交换行为 认领 引用 被引量：6
7
作者 娄太平 李大纲 +1 位作者 潘蓉 张慧萍 《物理化学学报》 SCIE CAS 北大核心 2003年第9期839-843,共5页
研究了用功能材料Li_2Mg_2Si_4O10F_2(LHT)、H_2Mn_8O16·1.4H_2O(CRYMO)和Li1.3Ti1.7Al0.3(PO_4)_3(LTAP)分别去除高浓度氯化锂水溶液中的杂质Fe3+、K^+和Na^+.实验结果表明,这几种功能材料分别对溶液中的杂质Fe... 研究了用功能材料Li_2Mg_2Si_4O10F_2(LHT)、H_2Mn_8O16·1.4H_2O(CRYMO)和Li1.3Ti1.7Al0.3(PO_4)_3(LTAP)分别去除高浓度氯化锂水溶液中的杂质Fe3+、K^+和Na^+.实验结果表明,这几种功能材料分别对溶液中的杂质Fe3+、K^+和Na^+有很高的选择性,除杂效果明显.分析和研究了这几种功能材料在高浓度氯化锂水溶液中分别与Fe3+、K^+和Na^+的交换行为.结果表明,在高浓度氯化锂溶液中这几种功能材料与杂质交换的动力学行为可近似用JMAK方程描述. 展开更多
关键词 Li2Mg2Si4O10F2 H2Mn8O16·1.4H2O Li1.3Ti1.7Al0.3(PO4)3 LiCl 水溶液 离子交换行为 氯化锂 杂质 功能材料 分离
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用于微机电系统的SiO_2/Si_3N_4驻极体的制备及电荷稳定性 认领 引用 被引量：3
8
作者 肖慧明 温中泉 +1 位作者 张锦文 陈钢进 《功能材料》 EI CAS 北大核心 2007年第8期1297-1299,1303,共3页
驻极体微型发电机是近期提出的微电子机械系统开发中的一个新领域,驻极体电荷稳定性则是影响驻极体微型发电机性能的关键。用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法制备SiO2/Si3N4双层膜,采用电晕充电和热极化方法对材料进行注极形成驻极... 驻极体微型发电机是近期提出的微电子机械系统开发中的一个新领域,驻极体电荷稳定性则是影响驻极体微型发电机性能的关键。用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法制备SiO2/Si3N4双层膜,采用电晕充电和热极化方法对材料进行注极形成驻极体,探讨了器件加工工艺及存储环境对双层膜驻极体电荷稳定性的影响。结果表明,电晕充电后SiO2/Si3N4双层膜的电荷存储稳定性明显优于SiO2单层膜;传统的电晕注极方法仅适用于大面积驻极体的制备,但对微米量级的材料表面不适用;微器件制备的工艺流程对驻极体电荷稳定性有显著影响,但存储环境对热极化驻极体电荷稳定性的影响很小。 展开更多
关键词 驻极体 微型发电机 SiO2/Si3N4双层膜 电荷稳定性 微器件加工
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Si_3N_4-Al_2O_3-SiO_2系材料烧结性能及反应过程研究 认领 引用 被引量：3
9
作者 金胜利 李亚伟 李楠 《耐火材料》 EI CAS 北大核心 2003年第5期262-266,共5页
以氮化硅、活性氧化铝微粉和氧化硅微粉为原料,研究了在焦炭保护条件下,Si_3N_4-Al_2O_3-SiO_2系材料经1500℃、1600℃和1650℃烧成时的烧结性能和物相变化,同时借助SEM、EDX和XRD等手段对其显微结构和反应过程进行了观察和分析。结果表... 以氮化硅、活性氧化铝微粉和氧化硅微粉为原料,研究了在焦炭保护条件下,Si_3N_4-Al_2O_3-SiO_2系材料经1500℃、1600℃和1650℃烧成时的烧结性能和物相变化,同时借助SEM、EDX和XRD等手段对其显微结构和反应过程进行了观察和分析。结果表明,随着烧成温度的升高,Si_3N_4-Al_2O_3-SiO_2系材料的体积密度下降,显气孔率增加,同时烧成后试样的质量损失大大增加,尤其是经1650℃烧成的试样,显气孔率在40％以上,质量损失大于20％。XRD物相分析显示,1500℃时,产物中生成Si_2N_2O,高于1650℃时,生成SiC相,与热力学计算结果一致。同时,高温下大量的N_2(g)及SiO(g)逸出试样表面,可能是导致试样质量损失、结构松散、显气孔率增加的主要原因。切开经高温烧成的试样发现,其截面由中心致密区、过渡区和边缘的松散区3部分组成,含氮物相的形状由中心部位发育良好的柱状,演变成过渡区的针状或须状,直至松散区时消失。这种松散区所占面积和松散程度取决于试样的组成和烧成温度。 展开更多
关键词 Si3N4-Al2O3-SiO2系材料 烧结性能 反应过程 氮化硅 活性氧化铝微粉 氧化硅微粉 原料
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纳米Si_3N_4及其与石墨、MoS_2混合填充PTFE摩擦磨损性能研究 认领 引用 被引量：1
10
作者 何春霞 张静 +2 位作者 范正国 史丽萍 路琴 《材料科学与工艺》 EI CAS 北大核心 2009年第2期195-198,共4页
用M-2000型摩擦磨损试验机对纳米Si3N4及其与石墨、MoS2混合填充聚四氟乙烯(PTFE)复合材料在干摩擦条件下与45#钢对磨时摩擦磨损性能进行了研究,用洛氏硬度仪对其进行了测量,用扫描电子显微镜对磨损表面进行了观察.结果表明:纳米Si3N4... 用M-2000型摩擦磨损试验机对纳米Si3N4及其与石墨、MoS2混合填充聚四氟乙烯(PTFE)复合材料在干摩擦条件下与45#钢对磨时摩擦磨损性能进行了研究,用洛氏硬度仪对其进行了测量,用扫描电子显微镜对磨损表面进行了观察.结果表明:纳米Si3N4的加入能提高PTFE复合材料的硬度和耐磨性,纳米Si3N4与MoS2混合填充会使PTFE复合材料的耐磨性能提高更多,特别是在载荷增大时其耐磨效果更好.纳米Si3N4能阻止PTFE复合材料中磨损微裂纹的产生,在纳米Si3N4的富聚区,磨损微裂纹较少,在纳米Si3N4的贫聚区,磨损的微裂纹较多.纳米Si3N4填充PTFE复合材料的摩擦系数比纯PTFE大,且随着载荷增加有所减小,石墨的加入可降低PTFE的摩擦系数. 展开更多
关键词 纳米Si3N4 MoS2 石墨 PTFE 摩擦磨损
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Si/SiO_2及Si/SiO_2/Si_3N_4系统的总剂量辐射损伤 认领 引用 被引量：1
11
作者 范隆 郝跃 余学峰 《西安电子科技大学学报》 EI CAS 北大核心 2003年第4期433-436,共4页
从微观氧化物电荷、界面态的感生变化及界面态的能量分布变化的角度,比较并分析了3种采用54HC电路工艺制作的MOS电容样品的总剂量电离辐射损伤退化,结果显示,采用单绝缘栅介质的Si/SiO2系统的双绝缘栅介质的Si/SiO2/Si3N4系统表现出对... 从微观氧化物电荷、界面态的感生变化及界面态的能量分布变化的角度,比较并分析了3种采用54HC电路工艺制作的MOS电容样品的总剂量电离辐射损伤退化,结果显示,采用单绝缘栅介质的Si/SiO2系统的双绝缘栅介质的Si/SiO2/Si3N4系统表现出对总剂量辐射损伤的明显特性差异.在抗总剂量电离辐射能量上,双绝缘栅介质结构甚至劣于常规非加固工艺的单介质Si/SiO2系统结构.同时,对辐射感生界面态的能量分布随辐照总剂量的变化进行了分析,发现试验的3种样品都存在一类深能级界面态,位于中带以上约80meV的位置,该类界面态随辐照剂量的增加最明显. 展开更多
关键词 氧化物电荷 界面态 能量分布 MOS电容 总剂量辐射损伤 Si/SiO2 Si/SiO2/Si3N4
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Si_3N_4/SiO_2复合栅介质电离辐照的电子能谱分析 认领 引用 被引量：1
12
作者 范隆 郝跃 +1 位作者 严荣良 陆妩 《西安电子科技大学学报》 EI CAS 北大核心 2003年第3期302-305,共4页
采用氩离子刻蚀X光激发电子能谱分析方法对Si3N4/SiO2/Si复合栅介质系统进行电离辐照剖析.实验结果表明存在一个由Si3N4和SiO2构成的界面区及由SiO2和Si构成的界面区,电离辐照能将SiO2/Si界面区中心向Si3N4/SiO2界面方向推移,同时SiO2/S... 采用氩离子刻蚀X光激发电子能谱分析方法对Si3N4/SiO2/Si复合栅介质系统进行电离辐照剖析.实验结果表明存在一个由Si3N4和SiO2构成的界面区及由SiO2和Si构成的界面区,电离辐照能将SiO2/Si界面区中心向Si3N4/SiO2界面方向推移,同时SiO2/Si界面区亦被电离辐照展宽;电离辐照相当程度地减少位于SiO2/Si界面至Si衬底之间Si过渡态的浓度.在同样偏置电场中辐照,随着辐照剂量的增加SiO2/Si界面区中Si过渡态键的断开量也增加,同时辐照中所施偏置电场对SiO2/Si界面区Si过渡态键断开有显著作用.并对实验现象进行了机制分析. 展开更多
关键词 Si3N4/SiO2复合栅介质 电离辐照 X光激发电子能谱 氢离子刻蚀 Si过渡态
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Si_3N_4结合SiC制品中SiO_2含量的测定 认领 引用 被引量：2
13
作者 曹海洁 梁献雷 《耐火材料》 EI CAS 北大核心 2007年第3期236-236,240,共1页
关键词 SiO2含量 碳化硅制品 测定方法 Si3N4 SiC 氮化硅 高温强度 抗热震性
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Fe_2(MoO_4)_3/Si_3N_4复合粉末还原过程中的微观组织结构 认领 引用 被引量：1
14
作者 银锐明 范景莲 +1 位作者 刘勋 张曙光 《材料研究学报》 EI CAS 北大核心 2010年第1期69-75,共7页
观测Fe_2(MoO_4)_3和Fe_2(MoO_4)_3/Si_3N_4粉末H_2还原后的微结构特征,研究了其微观组织结构的演变。结果表明:Fe_2(MoO_4)_3还原后转变为20 nm厚的Fe薄层包覆Mo颗粒的微结构;Fe_2(MoO_4)_3/Si_3N_4粉末被还原后转变为两种结构形式颗... 观测Fe_2(MoO_4)_3和Fe_2(MoO_4)_3/Si_3N_4粉末H_2还原后的微结构特征,研究了其微观组织结构的演变。结果表明:Fe_2(MoO_4)_3还原后转变为20 nm厚的Fe薄层包覆Mo颗粒的微结构;Fe_2(MoO_4)_3/Si_3N_4粉末被还原后转变为两种结构形式颗粒粉末,一种为3-5nm的薄层Fe包覆在Mo颗粒表面粉末,一种为粘附有纳米Fe-Mo氮化物、Si、Mo等颗粒的Si_3N_4粉末。Fe_2(MoO_4)_3/Si_3N_4粉末还原后形成这种微结构的原因是,在还原过程中同时发生了两种反应:一种是Fe_2(MoO_4)_3自身发生分解还原反应,另一种是Fe_2(MoO_4)_3与Si_3N_4颗粒表面发生反应。 展开更多
关键词 无机非金属材料 Si3N4 Fe2(MoO4)3 微结构 非均相沉淀-热还原
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Mechanism of toughening and strengthening of Si_3N_4/SiC/ZrO_2 nanocomposites 认领 引用 被引量：1
15
作者 晏建武 周继承 +2 位作者 鲁世强 李卫超 张志华 《中国有色金属学会会刊：英文版》 2004年第3期430-435,共6页
The Si3N4-based nanocomposites reinforced with micro ZrO2 and nano SiC particles were prepared by polarity dispersant and vacuum-sintering technology. The mechanical properties and microstructures were tested. The res... The Si3N4-based nanocomposites reinforced with micro ZrO2 and nano SiC particles were prepared by polarity dispersant and vacuum-sintering technology. The mechanical properties and microstructures were tested. The results show that appropriate amount of micro ZrO2 and nano SiC particles, not only enhance the microhardness, but also block the excessively growth of β-Si3N4 and β-Si3N4 grains, so they finally all grow up to uniformly pole-shaped grains. This process is similar to the strengthening and toughening mechanism of grain whiskers and makes a remarkable improvement on the toughness. Compared with Si3N4 ceramic, the toughness of Si3N4/SiC/ZrO2 nanocomposites are increased from 6.2 MPa·m1/2 to 11 MPa·m1/2. 展开更多
关键词 韧化机制 Si3N4/SiC/ZrO2 复合材料 纳米材料 强化机制
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Si_3N_4-Al_2O_3-SiO_2体系高温还原条件下的物相变化 认领 引用
16
作者 陈俊红 宋文 +2 位作者 崔艳玲 孙加林 李勇 《耐火材料》 CAS 北大核心 2009年第4期253-255,共3页
以闪速燃烧合成的Si3N4(w(Si3N4)≥95%,粒度≤0.044mm)、α-Al2O3微粉(w(Al2O3)≥99%,d50=1.2μm)及SiO2微粉(w(SiO2)≥92%,粒度≤1μm)为原料,按照m(Si3N4):m(Al2O3):m(SiO2)=4:4:2比例混合,液压成型为Φ20mm×20mm试样在埋炭(不... 以闪速燃烧合成的Si3N4(w(Si3N4)≥95%,粒度≤0.044mm)、α-Al2O3微粉(w(Al2O3)≥99%,d50=1.2μm)及SiO2微粉(w(SiO2)≥92%,粒度≤1μm)为原料,按照m(Si3N4):m(Al2O3):m(SiO2)=4:4:2比例混合,液压成型为Φ20mm×20mm试样在埋炭(不接触焦炭)条件下分别于1300、1400、1500、1600℃保温6h处理后进行XRD分析。结果表明:1300℃的新生物相主要为Si2N2O和方石英,SiO2微粉方石英化明显;1400℃的新生物相主要为Si2N2O、方石英和O’-SiAlON;1500℃的新生物相为Si2N2O、方石英、O’-SiAlON、X相及莫来石;与1500℃相比,1600℃的新生物相没有变化,但是Si2N2O、O’-SiAlON、X相及莫来石的生成量增加明显,方石英生成量显著减少。 展开更多
关键词 Si3N4-Al2O3-SiO2体系 0’-SiAION X相 莫来石
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THE ROLE OF MgO-CeO_2 IN THE DENSIFICATION OF Si_3N_4 认领 引用
17
作者 杨海涛 杨国涛 袁润章 《Journal of Wuhan University of Technology(Materials Science)》 SCIE EI CAS 1996年第3期1-7,共7页
An investigation of the pressureless sintering of Si3N4 with MgO-CeO2 reveals that MgO-CeO2 is a much more effective sintering aid for silicon nitride than either MgO or CeO2. The amount of MgO-CeO2 and MgO/CeO, weigh... An investigation of the pressureless sintering of Si3N4 with MgO-CeO2 reveals that MgO-CeO2 is a much more effective sintering aid for silicon nitride than either MgO or CeO2. The amount of MgO-CeO2 and MgO/CeO, weight ratio has a strong influence on the densification be-haviour and mechanical properties of the sintered materials. The silicon nitride pressureless sintered with MgO-CeO2 re-tains a relative density of 98. 5% , a bending strength of 950 MPa. The Si-Mg-Ce-O-N system is of great value for appli-cation and theoretical study. 展开更多
关键词 Si3N4 densification MgO-Ce()2 ce- ramics
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SiO_2-Si_3N_4-SiO_2复合梁谐振式压力传感器结构设计与分析 认领 引用
18
作者 李新 薛阳 李春风 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 2015年第8期13-15,共3页
提出了一种采用SiO2-Si3N4-SiO2复合谐振梁结构的谐振式压力传感器。采用有限元分析技术分别对谐振梁和传感器芯片结构进行了电热分析、模态分析以及谐响应分析,最后对SiO2-Si3N4-SiO2复合梁谐振式压力传感器的工艺进行了探讨,表明通过... 提出了一种采用SiO2-Si3N4-SiO2复合谐振梁结构的谐振式压力传感器。采用有限元分析技术分别对谐振梁和传感器芯片结构进行了电热分析、模态分析以及谐响应分析,最后对SiO2-Si3N4-SiO2复合梁谐振式压力传感器的工艺进行了探讨,表明通过多晶硅牺牲层技术能更好地得到Si O2-Si3N4-Si O2复合谐振梁,具有良好的选频特性。 展开更多
关键词 有限元 SiO2-Si3 N4-SiO2复合梁 压力传感器
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超薄Si_3N_4/SiO_2(N/O)stack栅介质及器件 认领 引用
19
作者 林钢 徐秋霞 《Journal of Semiconductors》 CAS 北大核心 2005年第1期115-119,共5页
成功制备了EOT(equivalentoxidethickness)为 2 1nm的Si3 N4/SiO2 (N/O)stack栅介质 ,并对其性质进行了研究 .结果表明 ,同样EOT的Si3 N4/SiO2 stack栅介质和纯SiO2 栅介质比较 ,前者在栅隧穿漏电流、抗SILC性能、栅介质寿命等方面都远... 成功制备了EOT(equivalentoxidethickness)为 2 1nm的Si3 N4/SiO2 (N/O)stack栅介质 ,并对其性质进行了研究 .结果表明 ,同样EOT的Si3 N4/SiO2 stack栅介质和纯SiO2 栅介质比较 ,前者在栅隧穿漏电流、抗SILC性能、栅介质寿命等方面都远优于后者 .在此基础上 ,采用Si3 N4/SiO2 stack栅介质制备出性能优良的栅长为 0 12 μm的CMOS器件 ,器件很好地抑制了短沟道效应 .在Vds=Vgs=± 1 5V下 ,nMOSFET和pMOSFET对应的饱和电流Ion分别为5 84 3μA/ μm和 - 2 81 3μA/ μm ,对应Ioff分别是 8 3nA/ μm和 - 1 3nA/ μm . 展开更多
关键词 超薄Si3N4/SiO2(N/O)stack栅介质 栅隧穿漏电流 SILC特性 栅介质寿命 CMOS器件
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SiO_2-Si_3N_4栅介质膜陷阱特性的高频C-V分析 认领 引用
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作者 黄君凯 易清明 +2 位作者 刘伟平 钟雨乐 张坤 《固体电子学研究与进展》 EI CAS 北大核心 2003年第2期236-240,共5页
采用高频 C-V特性测试技术 ,研究由热氧化生成的超薄 Si O2 膜和低压化学汽相淀积法制备的非均匀结构 Si3N4膜 ,两者组成的栅介质膜的陷阱特性 (包括陷阱密度、能量和空间分布深度等参数 )。结果表明 :在栅复合膜陷阱电荷非稳态释放模... 采用高频 C-V特性测试技术 ,研究由热氧化生成的超薄 Si O2 膜和低压化学汽相淀积法制备的非均匀结构 Si3N4膜 ,两者组成的栅介质膜的陷阱特性 (包括陷阱密度、能量和空间分布深度等参数 )。结果表明 :在栅复合膜陷阱电荷非稳态释放模型下建立的高频 C-V理论及其分析方法 ,可以很好地表征实验曲线 。 展开更多
关键词 金属—氮化硅—二氧化硅—硅结构 存储陷阱分布 高频容—压特性 SiO2—Si3N4栅介质膜 陷阱特性 非挥发性存储器
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