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Cu/Ta/SiO2/Si多层膜纳米压痕与压痕下微观结构的研究 认领 引用
1
作者 卢茜 吴子景 +2 位作者 吴晓京 Weidian Shen 蒋宾 《电子显微学报》 CAS 2008年第4期282-286,共5页
Cu/Ta/SiO2/Si多层膜结构是目前集成电路制造工艺中的常见结构,其硬度与弹性模量通过纳米压入技术测得。为了表征纳米压痕下的形变微观区域,采用聚焦离子束加工出压痕截面,同时进行扫描电子、扫描离子显微观察,发现样品衬底发生开裂,多... Cu/Ta/SiO2/Si多层膜结构是目前集成电路制造工艺中的常见结构,其硬度与弹性模量通过纳米压入技术测得。为了表征纳米压痕下的形变微观区域,采用聚焦离子束加工出压痕截面,同时进行扫描电子、扫描离子显微观察,发现样品衬底发生开裂,多层膜结构出现分层现象。TEM分析表明分层出现在Ta/SiO2界面,说明这是该结构的一个薄弱环节。 展开更多
关键词 Cu/Ta/SiO2/Si多层膜结构 纳米压入技术 压痕下微观结构
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SiO2/Si上石墨烯薄膜的化学气相沉积法制备及其性能表征 认领 引用 被引量：1
2
作者 刘喜锋 张鹏博 +1 位作者 方小红 陈小源 《半导体光电》 CAS 北大核心 2019年第4期513-516,522,共4页
以铜为催化剂,采用聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)和甲烷为碳源的化学气相沉积两步法,在SiO2/Si衬底上制备了石墨烯薄膜。利用拉曼光谱分析了薄膜的层数和质量,利用光学显微镜(OM)和扫描电子显微镜(SEM)分析了薄膜的尺寸与表面形貌。实验探究... 以铜为催化剂,采用聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)和甲烷为碳源的化学气相沉积两步法,在SiO2/Si衬底上制备了石墨烯薄膜。利用拉曼光谱分析了薄膜的层数和质量,利用光学显微镜(OM)和扫描电子显微镜(SEM)分析了薄膜的尺寸与表面形貌。实验探究了生长时间、氢气流量和气体总压强等工艺参数对石墨烯薄膜层数和质量的影响,最终在优化条件下制得10μm级质量较高的多层石墨烯薄膜。 展开更多
关键词 石墨烯 化学气相沉积 SiO2/Si 铜
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非晶SiO2/Si界面缺陷及其钝化/去钝化反应机制 认领 引用 被引量：3
3
作者 洪卓呈 左旭 《系统仿真学报》 CAS CSCD 北大核心 2020年第12期2362-2375,共14页
研究非晶二氧化硅/硅(a-SiO2/Si)界面处的硅悬挂键缺陷(即Pb类缺陷)的钝化与去钝化过程对提高器件性能具有重要意义。基于分子动力学与第一性原理计算方法,以a-SiO2和晶体Si为基础,构建了a-SiO2/Si(111)界面模型。采用CI-NEB(ClimbingIm... 研究非晶二氧化硅/硅(a-SiO2/Si)界面处的硅悬挂键缺陷(即Pb类缺陷)的钝化与去钝化过程对提高器件性能具有重要意义。基于分子动力学与第一性原理计算方法,以a-SiO2和晶体Si为基础,构建了a-SiO2/Si(111)界面模型。采用CI-NEB(ClimbingImage-NudgedElasticBand)方法分别对a-SiO2/Si(111)界面的Pb缺陷分别于氢气和氢原子的钝化、去钝化反应进行了研究。明确了基于非晶二氧化硅/硅界面缺陷模型的钝化、去钝化反应的反应曲线、反应势垒以及反应的过渡态结构。 展开更多
关键词 第一性原理 a-SiO2/Si(111)界面 钝化/去钝化 NEB方法
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湿环境中低温退火能改善SiO2/Si界面 认领 引用
4
作者 褚连青 《电子材料快报》 1995年第11期4-5,共2页
关键词 低温 退火 SiO2/Si 半导体 界面
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SiO_2/Si波导应力双折射数值分析 认领 引用 被引量：3
5
作者 安俊明 班士良 +6 位作者 梁希侠 李健 郜定山 夏君磊 李健光 王红杰 胡雄伟 《Journal of Semiconductors》 CAS 北大核心 2005年第7期1454-1458,共5页
采用有限元法对SiO2/Si掩埋光波导制备工艺中的应力变化进行了系统的分析,在此基础上,应用有限差分束传播法(FDBPM)对应力光波导的双折射进行了计算.结果表明上包层的玻璃化过程是SiO2/Si波导形成水平方向和垂直方向应力差的主要原因,... 采用有限元法对SiO2/Si掩埋光波导制备工艺中的应力变化进行了系统的分析,在此基础上,应用有限差分束传播法(FDBPM)对应力光波导的双折射进行了计算.结果表明上包层的玻璃化过程是SiO2/Si波导形成水平方向和垂直方向应力差的主要原因,相应的应力双折射系数B在10-4量级.进一步的分析表明上包层B,P重掺杂可明显减小波导的双折射系数. 展开更多
关键词 SiO2/Si 波导 应力 双折射 数值分析
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SiO_2/Si衬底制备ZnO薄膜及表征 认领 引用 被引量：3
6
作者 曹亮亮 叶志镇 +4 位作者 张阳 朱丽萍 张银珠 徐伟中 赵炳辉 《真空科学与技术学报》 EI CAS 北大核心 2005年第3期164-167,共4页
本文报道了利用脉冲激光沉积技术在热氧化p型硅衬底上生长ZnO外延薄膜。引入高阻非晶SiO2缓冲层,有效地降低了检测过程中单晶衬底对ZnO薄膜的电学性能影响。利用XRD,SEM,Hall和PL对其进行研究。结果表明,在衬底温度为500℃时,生长的ZnO... 本文报道了利用脉冲激光沉积技术在热氧化p型硅衬底上生长ZnO外延薄膜。引入高阻非晶SiO2缓冲层,有效地降低了检测过程中单晶衬底对ZnO薄膜的电学性能影响。利用XRD,SEM,Hall和PL对其进行研究。结果表明,在衬底温度为500℃时,生长的ZnO薄膜具有优良的晶体质量,电学性能和发光性能。 展开更多
关键词 ZnO薄膜 SiO2/Si 脉冲激光沉积 光致发光
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铒掺杂富硅热氧化SiO_2/Si发光薄膜的显微结构 认领 引用 被引量：2
7
作者 徐飞 肖志松 +4 位作者 程国安 易仲珍 曾宇昕 张通和 顾岚岚 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS 北大核心 2001年第6期758-762,共5页
利用金属蒸气真空弧 (MEVVA)离子源将稀土元素Er离子掺杂到富硅热氧化SiO2 /Si薄膜中。卢瑟福背散射 (RBS)和X 射线电子能谱仪 (XPS)分析表明 ,Er浓度可达原子百分数 (x)～ 10 ,即Er的原子体浓度为～ 10 2 1·cm-3 。XPS研究发现 ,... 利用金属蒸气真空弧 (MEVVA)离子源将稀土元素Er离子掺杂到富硅热氧化SiO2 /Si薄膜中。卢瑟福背散射 (RBS)和X 射线电子能谱仪 (XPS)分析表明 ,Er浓度可达原子百分数 (x)～ 10 ,即Er的原子体浓度为～ 10 2 1·cm-3 。XPS研究发现 ,随着Si注量增大 ,退火态样品表面硅含量增多 ,热氧化硅含量减少。反射式高能电子衍射 (RHEED)和原子灵敏度因子法 (AFM)研究表明 ,样品表面没有大量Er析出或铒硅化物形成 ,退火后表层中Si外延再生长、有针状微晶硅颗粒形成。在 77K及室温下 ,研究了Er掺杂富硅热氧化SiO2 /Si薄膜的近红外区 1 5 展开更多
关键词 MEVVA离子源 半导体薄膜 铒 光致发光 显微结构 掺杂 SiO2/Si发光薄膜 富硅氧化硅 光谱
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用于微机电系统的SiO_2/Si_3N_4驻极体的制备及电荷稳定性 认领 引用 被引量：3
8
作者 肖慧明 温中泉 +1 位作者 张锦文 陈钢进 《功能材料》 EI CAS 北大核心 2007年第8期1297-1299,1303,共3页
驻极体微型发电机是近期提出的微电子机械系统开发中的一个新领域,驻极体电荷稳定性则是影响驻极体微型发电机性能的关键。用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法制备SiO2/Si3N4双层膜,采用电晕充电和热极化方法对材料进行注极形成驻极... 驻极体微型发电机是近期提出的微电子机械系统开发中的一个新领域,驻极体电荷稳定性则是影响驻极体微型发电机性能的关键。用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法制备SiO2/Si3N4双层膜,采用电晕充电和热极化方法对材料进行注极形成驻极体,探讨了器件加工工艺及存储环境对双层膜驻极体电荷稳定性的影响。结果表明,电晕充电后SiO2/Si3N4双层膜的电荷存储稳定性明显优于SiO2单层膜;传统的电晕注极方法仅适用于大面积驻极体的制备,但对微米量级的材料表面不适用;微器件制备的工艺流程对驻极体电荷稳定性有显著影响,但存储环境对热极化驻极体电荷稳定性的影响很小。 展开更多
关键词 驻极体 微型发电机 SiO2/Si3N4双层膜 电荷稳定性 微器件加工
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Fabrication and characterization of SiO2(f)/Si)_3N_4 composites 认领 引用 被引量：4
9
作者 Yongsheng Liu Laifei Cheng +2 位作者 Litong Zhang Yongdong Xu Yi Liu 《Journal of University of Science and Technology Beijing》 2007年第5期454-459,共6页
A silicon dioxide fiber-reinforced silicon nitride matrix(SiOJSi3N4)composite used for radomes was prepared by chemical vapor infiltration(CVI)process using the SiCl4-NH3-H2 system.The effects of the process condition... A silicon dioxide fiber-reinforced silicon nitride matrix(SiOJSi3N4)composite used for radomes was prepared by chemical vapor infiltration(CVI)process using the SiCl4-NH3-H2 system.The effects of the process conditions,including infiltration temperature,infiltration time,and gas flux were investigated.The energy dispersion spectra(EDS)result showed that the main elements of this composite contained Si,N,and O.The X-ray diffraction(XRD)results indicated that phases of the composite before and after treatment at 1350℃were all amorphous.A little fiber pull-out was observed on the cross section of the composite by scan electron microscope(SEM).As a result,the composite exhibited good thermal stability,but an appropriate interface was necessary between the fiber and the matrix. 展开更多
关键词 SiO2/Si3N4 composite fabrication characterization chemical vapor infiltration
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SiO_2/Si衬底上热化学气相沉积法直接生长石墨烯 认领 引用 被引量：1
10
作者 陈彩云 于晓华 +4 位作者 戴丹 江南 詹肇麟 刘忠 刘建雄 《材料热处理学报》 CAS CSCD 北大核心 2016年第1期205-208,共4页
采用化学气相沉积法,以Si O2/Si为衬底、镍膜为催化层,研究不同催化层厚度对石墨烯生长的影响。选择拉曼光谱,透射电子显微镜等手段对石墨烯的层数和质量进行表征。结果表明,随着Ni膜厚度的增加,石墨烯的缺陷减小,而且层数也减少,当Ni... 采用化学气相沉积法,以Si O2/Si为衬底、镍膜为催化层,研究不同催化层厚度对石墨烯生长的影响。选择拉曼光谱,透射电子显微镜等手段对石墨烯的层数和质量进行表征。结果表明,随着Ni膜厚度的增加,石墨烯的缺陷减小,而且层数也减少,当Ni膜厚度为300 nm时,可以在Si O2/Si基板上获得高质量的单层石墨烯。 展开更多
关键词 石墨烯 SiO2/Si 镍膜 热化学气相沉积
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Si/SiO_2及Si/SiO_2/Si_3N_4系统的总剂量辐射损伤 认领 引用 被引量：1
11
作者 范隆 郝跃 余学峰 《西安电子科技大学学报》 EI CAS 北大核心 2003年第4期433-436,共4页
从微观氧化物电荷、界面态的感生变化及界面态的能量分布变化的角度,比较并分析了3种采用54HC电路工艺制作的MOS电容样品的总剂量电离辐射损伤退化,结果显示,采用单绝缘栅介质的Si/SiO2系统的双绝缘栅介质的Si/SiO2/Si3N4系统表现出对... 从微观氧化物电荷、界面态的感生变化及界面态的能量分布变化的角度,比较并分析了3种采用54HC电路工艺制作的MOS电容样品的总剂量电离辐射损伤退化,结果显示,采用单绝缘栅介质的Si/SiO2系统的双绝缘栅介质的Si/SiO2/Si3N4系统表现出对总剂量辐射损伤的明显特性差异.在抗总剂量电离辐射能量上,双绝缘栅介质结构甚至劣于常规非加固工艺的单介质Si/SiO2系统结构.同时,对辐射感生界面态的能量分布随辐照总剂量的变化进行了分析,发现试验的3种样品都存在一类深能级界面态,位于中带以上约80meV的位置,该类界面态随辐照剂量的增加最明显. 展开更多
关键词 氧化物电荷 界面态 能量分布 MOS电容 总剂量辐射损伤 Si/SiO2 Si/SiO2/Si3N4
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重离子辐照SiO_2/Si结构变温光致发光谱研究 认领 引用 被引量：1
12
作者 马瑶 龚敏 +3 位作者 刘鑫 胥鹏飞 林巍 冷宏强 《光散射学报》 北大核心 2016年第4期369-373,共5页
本文研究了重离子辐照前后SiO_2/Si结构光学性质的变化。实验选择初始能量为414 MeV,不同辐照总剂量的Sn离子,在室温下辐照氧化层厚度为36nm和90nm的SiO_2/Si结构。并在不同测试温度下获得了辐照前后SiO_2/Si结构的光致发光谱(PL)谱。... 本文研究了重离子辐照前后SiO_2/Si结构光学性质的变化。实验选择初始能量为414 MeV,不同辐照总剂量的Sn离子,在室温下辐照氧化层厚度为36nm和90nm的SiO_2/Si结构。并在不同测试温度下获得了辐照前后SiO_2/Si结构的光致发光谱(PL)谱。在相同的测试温度下,随着辐照总剂量的改变,峰位发生了移动,峰的强度也发生了改变;在相同的辐照总剂量下,随着测试温度的改变,峰位发生移动。由于受束缚激子发光的影响,在测试温度为80K时出现了一个新的光致发光峰。 展开更多
关键词 重离子 SiO2/Si结构 变温光致发光
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Ti/SiO_2(薄)/Si体系在微量氧存在的氮气中退火过程的研究 认领 引用 被引量：1
13
作者 李映雪 李玉铭 李山东 《Journal of Semiconductors》 CAS 北大核心 1993年第10期637-643,共7页
RBS,AES,XPS分析结果证实:在有微量氧存在的氮气中,Ti/SiO_2(薄)/Si体系不同温度下退火过程均无TiN生成;随退火温度升高,该体系形成的TiSi_2层不断增厚,Ti氧化物层不断变薄,并伴有SiO_2在表面层重新出现。通过△G的计算,热力学证明反应2... RBS,AES,XPS分析结果证实:在有微量氧存在的氮气中,Ti/SiO_2(薄)/Si体系不同温度下退火过程均无TiN生成;随退火温度升高,该体系形成的TiSi_2层不断增厚,Ti氧化物层不断变薄,并伴有SiO_2在表面层重新出现。通过△G的计算,热力学证明反应2TiO+5Si=2TiSi_2+SiO_2能够发生,并以此解释了退火中各层的变化规律。 展开更多
关键词 Ti/SiO2/Si 微量氧 氮气 退火
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MEMS用Si台面及SiO_2/Si衬底上3C-SiC的LPCVD生长(英文) 认领 引用
14
作者 孙国胜 王雷 +4 位作者 巩全成 高欣 刘兴日方 曾一平 李晋闽 《人工晶体学报》 EI CAS 北大核心 2005年第6期982-985,976,共4页
本文报道用在S i台面及热氧化S iO2衬底上3C-S iC薄膜的LPCVD生长,反应生长使用的气体为S iH4和C2H4,载气为H2,采用光学显微镜、X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、扫描电镜(SEM)、以及室温Hall测试对所生长的3C-S iC材料进行了测... 本文报道用在S i台面及热氧化S iO2衬底上3C-S iC薄膜的LPCVD生长,反应生长使用的气体为S iH4和C2H4,载气为H2,采用光学显微镜、X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、扫描电镜(SEM)、以及室温Hall测试对所生长的3C-S iC材料进行了测试与分析,结果表明在3C-S iC和S iO2之间没有明显的坑洞形成。 展开更多
关键词 3C—SiC LPCVD生长 Si台面 SiO2/Si
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脉冲激光沉积法在SiO_2/Si衬底上生长c轴取向LiTaO_3薄膜 认领 引用
15
作者 王新昌 叶志镇 +1 位作者 曹亮亮 赵炳辉 《人工晶体学报》 EI CAS 北大核心 2007年第1期134-137,145,共4页
本文利用脉冲激光沉积法,系统研究了衬底温度和氧压对硅基LiTaO3薄膜质量及c轴取向性的影响,结果表明衬底温度和氧压对LiTaO3薄膜的c轴取向性及结晶质量有很大的影响,在650℃、30Pa时可以生长出高c轴取向LiTaO3薄膜。采用扫描电镜和原... 本文利用脉冲激光沉积法,系统研究了衬底温度和氧压对硅基LiTaO3薄膜质量及c轴取向性的影响,结果表明衬底温度和氧压对LiTaO3薄膜的c轴取向性及结晶质量有很大的影响,在650℃、30Pa时可以生长出高c轴取向LiTaO3薄膜。采用扫描电镜和原子力显微镜对最佳条件下制得薄膜的表面形貌进行了分析,发现薄膜表面光滑,晶粒尺寸均匀致密,薄膜表面粗糙度约为3.6nm。 展开更多
关键词 LiTaO3薄膜 SiO2/Si衬底 c轴取向 脉冲激光沉积
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键合Si/SiO_2/Si结构的C-V特征 认领 引用
16
作者 黄庆安 陈军宁 +1 位作者 张会珍 童勤义 《Journal of Semiconductors》 CAS 北大核心 1994年第5期354-360,共7页
本文研究了理想Si／SiO2／Si结构的电容－电压（C－V）特征，提出了根据Si／SiO2／Si的C－V特征测量SiO2厚度、衬底掺杂浓度和固定电荷的方法，并对键合样品进行了实验．
关键词 C-V特性 SIS结构 Si/SiO2/Si
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SiO_2/Si衬底上聚苯乙稀薄膜的退湿润过程观测 认领 引用
17
作者 刘海林 熊锐 李美亚 《物理实验》 北大核心 2009年第2期9-12,共4页
采用光学显微镜和原子力显微镜观测了光滑SiO2衬底上聚苯乙稀薄膜的退湿润过程.观测到成核退湿润过程为:初态时,在聚苯乙稀薄膜中出现随机分布的小孔,并且小孔随着时间的增加而逐渐变大,孔的尺寸的变化与时间成正比;终态时观测到聚苯乙... 采用光学显微镜和原子力显微镜观测了光滑SiO2衬底上聚苯乙稀薄膜的退湿润过程.观测到成核退湿润过程为:初态时,在聚苯乙稀薄膜中出现随机分布的小孔,并且小孔随着时间的增加而逐渐变大,孔的尺寸的变化与时间成正比;终态时观测到聚苯乙稀小球在SiO2衬底上的蜂窝状分布,聚苯乙稀小球的分布与薄膜表面的缺陷密切相关. 展开更多
关键词 退湿润过程 聚苯乙稀薄膜 SiO2/Si衬底
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多层模型计算椭偏法测量的SiO_2/Si超薄膜厚度 认领 引用 被引量：2
18
作者 范江玮 王锋 +1 位作者 孙钦蕾 韩小刚 《测试技术学报》 2012年第5期388-392,共5页
采用不同的光学模型对厚度为6 nm,密度为2.2 g/cm3的理想SiO2薄膜理论曲线进行了拟合,得到了薄膜厚度的计算结果随所采取的薄膜密度变化的规律:选用更大的薄膜密度值进行拟合计算会得到更小的厚度结果,其趋势近似线性.参考GIXRR方法测... 采用不同的光学模型对厚度为6 nm,密度为2.2 g/cm3的理想SiO2薄膜理论曲线进行了拟合,得到了薄膜厚度的计算结果随所采取的薄膜密度变化的规律:选用更大的薄膜密度值进行拟合计算会得到更小的厚度结果,其趋势近似线性.参考GIXRR方法测量得到的薄膜物理结构的结果,给出了优化的拟合计算模型(薄膜密度为2.4 g/cm3、表面粗糙度为0.4 nm、界面粗糙度为0.3 nm),对于热氧化法制备的厚度小于10 nm的SiO2超薄膜,使用此模型进行拟合计算,可以得到比常规模型更为准确的厚度结果.采用优化的模型拟合了期望厚度为2,4,6,8,10 nm的SiO2超薄膜的SE实验曲线,得到的厚度结果分别为2.61,4.07,6.02,7.41,9.43 nm,与传统模型计算结果相比,分别降低了13.8%,10.3%,8.1%,7.3%和6.6%. 展开更多
关键词 SiO2/Si超薄膜 多层模型 椭偏法 X射线全反射 热氧比法
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Ga在SiO_2-Si复合结构中的热分布研究 认领 引用 被引量：6
19
作者 裴素华 孙海波 +2 位作者 修显武 张晓华 江玉清 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS 北大核心 2005年第2期275-278,共4页
用 H2 和 Ga_2O_3的高温反应形成元素 Ga 的恒定表面源,通过 SiO_2-Si 复合结构实现了 Ga 在 Si 中的高均匀性掺杂;利用二次离子质谱分析(SIMS)、扩展电阻(SRP)、四探针测试等方法,对 P 型杂质 Ga 在 SiO_2薄膜、SiO_2-Si 两固相接触的... 用 H2 和 Ga_2O_3的高温反应形成元素 Ga 的恒定表面源,通过 SiO_2-Si 复合结构实现了 Ga 在 Si 中的高均匀性掺杂;利用二次离子质谱分析(SIMS)、扩展电阻(SRP)、四探针测试等方法,对 P 型杂质 Ga 在 SiO_2薄膜、SiO_2-Si 两固相接触的内界面、近 Si 表面的热分布进行分析;揭示出开管方式扩散 Ga 的实质是由 SiO_2薄膜对 Ga 原子的快速输运及其在 SiO_2-Si 内界面分凝效应两者统一的必然结果;并对该过程 Ga 杂质浓度分布机理进行了分析和讨论。 展开更多
关键词 Ga SiO2-Si结构 浓度分布
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原料中SiO2结晶特性影响熟料烧成的研究进展 认领 引用 被引量：6
20
作者 刘潭 任雪红 张文生 《硅酸盐通报》 CAS 北大核心 2019年第6期1777-1781,共5页
二氧化硅(SiO2)是硅酸盐水泥生料的主要成分,其赋存于原料中的结晶特性对熟料烧成能耗及熟料质量具有决定性的影响。结合熟料烧成反应过程,根据熟料矿物与原料矿物组分之间的成键关系,分析了原料中SiO2参与熟料烧成反应的化学过程,综述... 二氧化硅(SiO2)是硅酸盐水泥生料的主要成分,其赋存于原料中的结晶特性对熟料烧成能耗及熟料质量具有决定性的影响。结合熟料烧成反应过程,根据熟料矿物与原料矿物组分之间的成键关系,分析了原料中SiO2参与熟料烧成反应的化学过程,综述了原料矿物中的Si-O键合形式,石英的含量、晶粒尺寸、晶型及结晶度等SiO2结晶特性对熟料烧成的影响及作用机理,并总结了提高惰性石英质原料中SiO2反应活性的方法。综述分析可为水泥企业高效应用各类硅源原材料,生产高质量水泥提供参考依据和科学方法。 展开更多
关键词 硅质原料 SiO2 Si-O键合形式 反应活性 熟料烧成
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