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喷雾热解法制备SnO2:Sb+F透明导电薄膜
认领
引用
1
作者
赵高扬
魏征
+1 位作者
郅晓
张卫华
《中国材料科技与设备》
2006年第5期83-85,共3页
采用溶胶-凝胶与喷雾热解相结合的方法,在大面积浮法玻璃基板上制备出了SnO2:Sb+F透明导电薄膜,研究了F/Sn比例、基板温度与SnO2薄膜的结构、形貌、光电性能的关系。实验结果表明:在溶胶的Sn:Sb:F比例为1:0.04:0.5和基板温度...
采用溶胶-凝胶与喷雾热解相结合的方法,在大面积浮法玻璃基板上制备出了SnO2:Sb+F透明导电薄膜,研究了F/Sn比例、基板温度与SnO2薄膜的结构、形貌、光电性能的关系。实验结果表明:在溶胶的Sn:Sb:F比例为1:0.04:0.5和基板温度550℃的条件下,制备的SnO2:Sb+F薄膜具有最佳的导电性能及较高的透光率,薄膜方阻达25Ω/□,电阻率为7.5×10^-4Ω·cm,平均可见光透过率为77.4%,辐射率e=0.208,表现出了较好的低辐射性。
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关键词
透明导电薄膜
SnO2
:
Sb
+
F
喷雾热解
光电性能
大面积
暂未订购
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采用USP-CVD沉积SnO_2透明导电膜——F、Sb掺杂及特性研究
认领
引用
被引量:
2
2
作者
丁尔峰
崔容强
+3 位作者
周之斌
赵亮
于化丛
赵占霞
《电源技术》
CAS
北大核心
2004年第12期779-783,共5页
以F、Sb掺杂,采用超声雾化喷涂化学气相沉积工艺制备出二氧化锡透明导电膜。对SnO2∶F薄膜的沉积工艺进行了研究,探索出最佳的工艺条件,沉积出方块电阻低达6 赘/□左右的高透过率透明导电薄膜,其可见光平均透过率可以达到85%。分析了HF...
以F、Sb掺杂,采用超声雾化喷涂化学气相沉积工艺制备出二氧化锡透明导电膜。对SnO2∶F薄膜的沉积工艺进行了研究,探索出最佳的工艺条件,沉积出方块电阻低达6 赘/□左右的高透过率透明导电薄膜,其可见光平均透过率可以达到85%。分析了HF和NH4F掺杂的不同点。对在两种最佳工艺条件下沉积的膜的结构、电学性质进行了研究。对SnO2∶Sb薄膜的电学性质进行了研究,用X射线衍射方法分析了在同一温度下,不同Sb掺杂浓度的膜的结构。并对薄膜的透过率、折射率及光学带隙等光学性质进行了分析。
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关键词
超声雾化喷涂化学气相沉积(USP-CVD)
SnO2
:
F
SnO2
:
Sb
NH4
F
H
F
暂未订购
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题名
喷雾热解法制备SnO2:Sb+F透明导电薄膜
认领
引用
1
作者
赵高扬
魏征
郅晓
张卫华
机构
西安理工大学材料科学与工程学院
出处
《中国材料科技与设备》
2006年第5期83-85,共3页
基金
国家自然科学基金资助项目(90401009)
摘要
采用溶胶-凝胶与喷雾热解相结合的方法,在大面积浮法玻璃基板上制备出了SnO2:Sb+F透明导电薄膜,研究了F/Sn比例、基板温度与SnO2薄膜的结构、形貌、光电性能的关系。实验结果表明:在溶胶的Sn:Sb:F比例为1:0.04:0.5和基板温度550℃的条件下,制备的SnO2:Sb+F薄膜具有最佳的导电性能及较高的透光率,薄膜方阻达25Ω/□,电阻率为7.5×10^-4Ω·cm,平均可见光透过率为77.4%,辐射率e=0.208,表现出了较好的低辐射性。
关键词
透明导电薄膜
SnO2
:
Sb
+
F
喷雾热解
光电性能
大面积
Keywords
Transparent conducting thin
f
ilms
SnO2
:
Sb
+
F
Spray pyrolysis
Photoelectric per
f
ormances
Large area
分类号
TB383 [一般工业技术—材料科学与工程]
暂未订购
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题名
采用USP-CVD沉积SnO_2透明导电膜——F、Sb掺杂及特性研究
认领
引用
被引量:
2
2
作者
丁尔峰
崔容强
周之斌
赵亮
于化丛
赵占霞
机构
上海交通大学物理系太阳能研究所
出处
《电源技术》
CAS
北大核心
2004年第12期779-783,共5页
摘要
以F、Sb掺杂,采用超声雾化喷涂化学气相沉积工艺制备出二氧化锡透明导电膜。对SnO2∶F薄膜的沉积工艺进行了研究,探索出最佳的工艺条件,沉积出方块电阻低达6 赘/□左右的高透过率透明导电薄膜,其可见光平均透过率可以达到85%。分析了HF和NH4F掺杂的不同点。对在两种最佳工艺条件下沉积的膜的结构、电学性质进行了研究。对SnO2∶Sb薄膜的电学性质进行了研究,用X射线衍射方法分析了在同一温度下,不同Sb掺杂浓度的膜的结构。并对薄膜的透过率、折射率及光学带隙等光学性质进行了分析。
关键词
超声雾化喷涂化学气相沉积(USP-CVD)
SnO2
:
F
SnO2
:
Sb
NH4
F
H
F
Keywords
ultrasonic spray CVD
SnO2
∶
F
SnO2
∶
Sb
NH4
F
H
F
分类号
O484.1 [理学—固体物理]
暂未订购
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
喷雾热解法制备SnO2:Sb+F透明导电薄膜
赵高扬
魏征
郅晓
张卫华
《中国材料科技与设备》
2006
0
暂未订购
下载PDF
2
采用USP-CVD沉积SnO_2透明导电膜——F、Sb掺杂及特性研究
丁尔峰
崔容强
周之斌
赵亮
于化丛
赵占霞
《电源技术》
CAS
北大核心
2004
2
暂未订购
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