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- SiC DC/DC变换器电磁辐射干扰预测方法 认领 引用
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- 《电工技术》 2025年第21期69-73,共5页
- 碳化硅(SiC)开关器件在DC/DC变换器中会产生强烈的电磁辐射干扰,为优化换流器内部结构,实现更高的功率密度,提出一种SiC DC/DC变换器电磁辐射干扰的预测方法。该方法将变流器内部导线分为竖直导体和平面矩形导线,建立两种导电体在空间... 展开更多
- 关键词 碳化硅 电磁辐射干扰 SPICE模型 竖直导体模型 矩形导线模型
- 三元混晶矩形量子阱线的表面和界面光学声子模 认领 引用 被引量：1
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- 《内蒙古大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2020年第3期244-252,共9页
- 运用改进的无规元素等位移模型和玻恩-黄近似,结合介电连续模型,研究了含三元混晶的矩形量子阱线的表面和界面光学声子模。以GaAs/AlxGa1-xAs和ZnxCd1-xSe/ZnSe为例,获得了表面和界面光学声子模的色散关系以及表面和界面光学声子模的频... 展开更多
- 关键词 表面和界面光学声子模 三元混晶 矩形量子阱线
- 三元混晶矩形量子线的表面光学声子模 认领 引用
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- 《内蒙古大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2018年第6期597-604,共8页
- 运用改进的无规元素等位移模型和玻恩-黄近似,结合介电连续模型,研究了三元混晶矩形量子线系统的表面光学声子模.以AlxGa1-xAs和ZnxCd1-xSe为例,获得了表面光学声子模的色散关系以及表面光学声子模的频率随混晶组分和量子线结构的变化关... 展开更多
- 关键词 表面光学声子模 三元混晶 矩形量子线
- 三元混晶矩形量子阱线的界面光学声子模 认领 引用
- 4
- 《内蒙古大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2019年第3期265-273,共9页
- 运用改进的无规元素等位移模型和玻恩-黄近似,结合介电连续模型,研究了含三元混晶的矩形量子阱线系统的界面光学声子模.以GaAs/AlxGa1-xAs和ZnxCd1-xSe/ZnSe为例,获得了界面光学声子模的色散关系以及界面光学声子模的频率随混晶组分和... 展开更多
- 关键词 界面光学声子模 三元混晶 矩形量子阱线
